一种MOSFET输出短路保护线路装置制造方法及图纸

一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路，所述MOSFET驱动电路连有保护线路装置，该MOSFET驱动电路内包括有若干路MOS管、光耦，MOS管的栅极G端由光耦输入控制信号；每路MOS管的源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的MOS管的源极S端通过取样电阻接线路地线，每路MOS管的漏极D端连有负载；本实用新型专利技术的有益效果为：本保护线路装置可有效保护MOSFET输出线路在出现输出短接、大电流灌入时不被损坏；且在保护动作触发后，能可靠自锁，切断输出，有效保护负载及驱动线路。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于机电一体化
，尤其涉及一种应用于橡胶制品加工机械的 塑料注射成型伺服机控制系统中的MOSFET输出短路保护线路装置。 一种MOSFET输出短路保护线路装置
技术介绍
目前国内生产的注塑机控制电脑其控制输出开关阀的一般都是采用IRLU024或 IRFR1205等M0S管(见图1 )，这种线路的特点是线路简单，响应快，输出电流大。但在实际使 用的过程中，由于工作人员在接线方面的疏忽或开关阀本身的问题，会造成M0S管驱动的 输出电路短路，短路导致M0S管因过流、过热而损坏，严重时甚至将线路板的铜箔烧毁。单 只M0S管驱动输出加保护电路比较简单成本也低，问题是一般的注塑机控制电脑至少有32 路48路M0S管驱动输出，每路都加装保护成本很高，PCB布线面积也增加很多。 目前也出现了一些带内部过热或过流保护的M0S管，比如英飞凌的BTS452、安森 美的NCV8408等，但缺点是价格1?，单片价格1?达人民币5兀以上，外围线路复杂，贴片封装 安装面积大；并且由于目前国内使用量不大，普遍造成供货周期较长，采购不易，容易断货， 关键是用32只、48只这样的M0S管成本也增加很多，不经济。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种MOSFET输出短路 保护线路装置，在使用IRLU024等这种不带保护的M0S管时，加上这个保护线路装置，可有 效保护M0S管及PCB线路板。 本技术的目的是通过如下技术方案来完成的，包括MOSFET驱动电路，所述 MOSFET驱动电路连有保护线路装置，该MOSFET驱动电路内包括有若干路M0S管、光耦，M0S 管的栅极G端由光耦输入控制信号；每路M0S管的源极S端间通过并联的方式连接在一起， 并固定于PCB线路板上；连接在一起的M0S管的源极S端通过取样电阻接线路地线，每路 M0S管的漏极D端连有负载。 作为优选，所述的保护线路装置包括取样电阻、信号放大电路、施密特比较电路及 电子开关，该取样电阻通过信号放大电路与施密特比较电路相连，施密特比较电路上设有 两只用来确定预设电流值的分压电阻，该施密特比较电路与电子开关相连。 本技术的有益效果为：本保护线路装置可有效保护MOSFET输出线路在出现 输出短接、大电流灌入时不被损坏；且在保护动作触发后，能可靠自锁，切断输出，有效保护 负载及驱动线路。 【附图说明】 图1是现有的单路线路不意图。 图2是本技术的线路分布示意图。 附图中的标号分别为：1、MOSFET驱动电路；2、保护线路装置；3、负载；11、 MOS管；12、光耦；21、取样电阻；22、信号放大电路；23、施密特比较电路；24、电子开 关；25、分压电阻。 【具体实施方式】 下面将结合附图对本技术做详细的介绍：如附图2所示，本技术每路M0S 管11的源极S端在PCB线路板上是相互连接在一起的，连接在一起的源极S端再通过取样 电阻21接线路地线。+24V是输入电源，正常情况下电子开关24是导通的，+24V_S电压就 是+24V，当控制信号高电平加入到光耦12时，光耦12导通，M0S管11也导通，负载3上就 流过电流正常工作。 本技术实现原理：注塑机控制电脑10输出的驱动电流在实际应用中的总电 流不会超过一定值，假设额定总电流允许输出为η安培（A)，设计时把所有M0S管11的输出 平均分成m组，那么每组的输出最大输出的电流为n/m安培。设计时每组输出M0S管11共 用用一个保护线路装置2,每组M0S管11的源极S端连接在一起再通过取样电阻21接到地 线上，当保护线路装置2通过取样电阻21检测到某组的工作电流大于n/m安培时，就快速 切断输入到M0S管11栅极G端上控制信号，关闭M0S管11输出，从而达到保护M0S管的目 的。按这样设计就只需要增加 m个短路保护线路装置2就够了，该保护线路装置2也可以 同时保护多路M0S管11。 如果负载3两端意外短接或者负载3损坏导致流过M0S管11上的电流超过预先 设定的n/m安培(此值通过施密特比较电路23前的两只分压电阻25来确定)，此电流在取 样电阻21上产生压降，因取样电阻21只有几十毫欧，产生的压降也小，所以需要信号放大 电路22予以放大，放大后的信号加到施密特比较电路23,施密特比较电路23比较后就维 持一个固定信号输出切断电子开关24,这样+24V_S上就没有了 +24V电源，光耦12输出关 闭，从而快速关闭M0S管11的导通，保护了 M0S管11。 本技术不局限于上述实施方式，不论在其形状或器件材料构成上作任何变 化，凡是采用本技术所提供的结构设计，都是本技术的一种变形，均应认为在本实 用新型保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路（1），其特征在于：所述MOSFET驱动电路（1）连有保护线路装置（2），该MOSFET驱动电路（1）内包括有若干路MOS管（11）、光耦（12），MOS管（11）的栅极G端由光耦（12）输入控制信号；每路MOS管（11）的源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的MOS管（11）的源极S端通过取样电阻（21）接线路地线，每路MOS管（11）的漏极D端连有负载（3）。

【技术特征摘要】
1. 一种MOSFET输出短路保护线路装置，包括MOSFET驱动电路（1)，其特征在于：所述 M0SFET驱动电路（1)连有保护线路装置（2)，该M0SFET驱动电路（1)内包括有若干路M0S 管（11)、光耦（12)，M0S管（11)的栅极G端由光耦（12)输入控制信号；每路M0S管（11)的 源极S端间通过并联的方式连接在一起，并固定于PCB线路板上；连接在一起的M0S管（11) 的源极S端通过取样电阻（21)接线路地线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华良，张芳，
申请(专利权)人：宁波伊士通技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33