【技术实现步骤摘要】
无损耗单片集成电源选择电路
[0001 ] 本技术涉及集成电路的供电电源，尤其涉及对集成电路的非单一供电电源具备选择功能的电源选择电路，而且所述电源选择电路与所述集成电路集成于同一芯片中。
技术介绍
集成电路芯片采用非单一电源供电时，一般可以用电池供电或片外电源供电，两者用电源选择电路进行选取。现有技术中采用外接二极管构成电源选择电路，其缺点是电源选择电路置于集成电路芯片外面，导致集成电路芯片集成度不高，而且当电池和片外电源同时接入集成电路芯片并由片外电源供电时，并不能保证优先选择片外电源而是继续选择电池供电，致使电池消耗快。
技术实现思路
本技术的主要目的是解决现有电源选择电路置于集成电路芯片外面致使芯片集成度不高、当由片外电源供电时不能保证电池同时被断开致使电池消耗快，以及电源选择电路存在自身功率损耗的技术问题，提供一种能与集成电路同时集成于单个芯片的无损耗单片集成电源选择电路，集成电路芯片用该电源选择电路优先选择片外电源供电，从而保证电池寿命，同时电源选择电路自身不存在功率损耗。本技术的技术方案如下:一种无损耗单片集成电源选择电路，包括集成于单片的多路功率管...
【技术保护点】
一种无损耗单片集成电源选择电路，其特征在于：包括集成于单片的多路功率管，所述各路功率管的输入端分别与各供电电源连接，各路功率管的输出端同时与后续负载电路连接，各路功率管的控制端分别与电源选择逻辑控制电路连接，所述电源选择逻辑控制电路控制各路功率管中的一路功率管导通，与此同时控制其余各路功率管截止，由此选择与所述导通功率管支路输入端相连接的供电电源供电；具体电路结构为： 包括集成于单芯片的两路功率管，每路功率管由两个串联的PMOS功率管组成；片外电源功率管支路由第一功率管(M0)以及第二功率管(M1)组成，电池电源功率管支路由第三功率管(M2)以及第四功率管(M3)组成；第一...
【技术特征摘要】
1.一种无损耗单片集成电源选择电路，其特征在于:包括集成于单片的多路功率管，所述各路功率管的输入端分别与各供电电源连接，各路功率管的输出端同时与后续负载电路连接，各路功率管的控制端分别与电源选择逻辑控制电路连接，所述电源选择逻辑控制电路控制各路功率管中的一路功率管导通，与此同时控制其余各路功率管截止，由此选择与所述导通功率管支路输入端相连接的供电电源供电；具体电路结构为: 包括集成于单芯片的两路功率管，每路功率管由两个串联的PMOS功率管组成；片外电源功率管支路由第一功率管(MO)以及第二功率管(Ml)组成，电池电源功率管支路由第三功率管(M2)以及第四功率管(M3)组成；第一功率管(MO)的源极和片外电源相连，漏极和第二功率管(Ml)的源极相连，第二功率管(Ml)的漏极连接至电源选择电路的输出VDDOUT ；第一功率管(MO)的衬底连接至片外电源，第二功率管(Ml)的衬底连接至电源选择电路的输出 VDDOUT ； 第四功率管(M3)的源极和电池相连，漏极和第三功率管(M2)的源极相连，第三功率管(M2)的漏极连接至电源选择电路的输出VDDOUT ;第四功率管(M3)的衬底连接至电池，第三功率管(M2)的衬底连接至电源选择电路的输出VDDOUT ； 电源选择逻辑控制电路由第一与非门(NAND0)、第二与非门(NAND1)、第三与非门(NAND2)、第一非门(INV1)、第二非门(INVO)以及第四与非门(NAND3)组成；第一与非门(NANDO)的电源连接至片外电源，两个输入中的一个连接至片外电源，另一个输入连接第二非门(INVO)的输出，第一与非门(NANDO)的输出连接至第一功率管(MO)的栅极；第二与非门(NANDl)的电源连接至电源选择电路的输出VDD0UT，两个输入中的一个连接至片外电源，另外一个输入连接至第二非门(INVO)的输出，第二与非门(NANDl)的输出连接至第二功率管(Ml)的栅极；第 三与非门(NAND2)的电源连接至电源选择电路的输出VDD0UT，两个输入中的一个连接至电池，另外一...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾金辉，杨林，卢国云，奚谷枫，
申请(专利权)人：无锡紫芯集成电路系统有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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