一种共平面双探针反相馈电的微带天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双探针馈电的微带天线，包括第一介质基片、第二介质基片和地平面，第一介质基片与地平面平行，第二介质基片垂直穿过地平面，第二介质基片的上端与第一介质基片的下表面相邻；第一介质基片上设置有微带贴片，第二介质基片上对称设置有第一L形探针条带和第二L形探针条带，第一L形探针条带由平行于地平面的第一耦合激励条带和垂直于地平面的第一馈电条带连接而成，第二介质基片与地平面的相交线将第二介质基片分割为上下两个区域，在第二介质基片的位于相交线下侧的区域上设置有一分二的微带功率分配器，一分二的微带功率分配器的一路通过反相器与第一馈电条带连接，另一路直接与第二馈电条带连接。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微波天线
，涉及一种可使极化和方向图特性上获得优良的性能的微带天线。
技术介绍
微带天线有多种馈电方法，用于改善和提高微带天线的性能，常见的微带天线大多采用微带线直接馈电、探针馈电、口径耦合馈电等方法。探针馈电是获得较宽工作带宽的方法之一，因而受到广泛的关注，针对探针馈电的技术研究也较多，展宽频带的措施基本上是采取附加电容使之与探针电感调谐来获得更大的带宽，如水滴形探针、L形探针在展宽微带天线工作带宽方面都取得了明显的效果。但在展宽频带的同时由于探针馈电的非对称性而使天线的极化纯度较低，交叉极化特性较差、辐射方向图的主瓣发生偏移，使其应用受到 了限制，因此，克服上述缺陷对宽带微带天线的推广使用显得十分必要。
技术实现思路
技术问题本技术提供了一种可解决非对称馈电结构对探针馈电微带天线性能的影响，既有展宽工作带宽的优点，又能克服一般L探针馈电天线极化纯度低、辐射方向图主瓣发生偏移等缺点的共平面双探针反相馈电的微带天线。本技术的共平面双探针反相馈电的微带天线可以满足高性能的阵列天线对极化纯度、带宽及可集成性的要求。技术方案本技术的双探针馈电的微带天线，包括第一介质基片、第二介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共平面双探针反相馈电的微带天线，其特征在于，该天线包括第一介质基片（1）、第二介质基片（2）和地平面（3），所述第一介质基片（1）与地平面（3）平行，所述第二介质基片（2）垂直穿过地平面（3），第二介质基片（2）的上端与第一介质基片（1）的下表面相邻；？所述第一介质基片（1）上设置有微带贴片（4），所述第二介质基片（2）上对称设置有第一L形探针条带（5）和第二L形探针条带（6），所述第一L形探针条带（5）由平行于地平面（3）的第一耦合激励条带（51）和垂直于地平面（3）的第一馈电条带（52）连接而成，所述第一L形探针条带（5）和第二L形探针条带（6）实现反向馈电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒯振起，卢杰，朱晓维，洪伟，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：