【技术实现步骤摘要】
201610218528
【技术保护点】
一种栅缝地微带馈电电容加载的三极化半槽天线,其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载天线(13);每个单极化的栅缝地电容加载天线(13)包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),介质基板(1)的另一面是微带馈线(4)的导带(5);金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列,栅缝(6)的形状是矩形,栅缝位于辐射槽缝(3)的四周,栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直;栅缝(6)的一端短路;栅缝(6)的另一端开路,位于介质基板(1)的边缘;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端开路;在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8),辐射槽缝(3)其它部分(9)有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)的两个边缘,使得辐射槽缝(3)的特性阻抗变低;金属地(2)也是所述的微带馈线(4)的接地面,微带馈线(4)的一端是天线的端口(10),微带馈线(4)的导带(5)的另一端跨过辐射槽缝(3),在 ...
【技术特征摘要】
1.一种栅缝地微带馈电电容加载的三极化半槽天线,其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的栅缝地电容加载天线(13);每个单极化的栅缝地电容加载天线(13)包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),介质基板(1)的另一面是微带馈线(4)的导带(5);金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列,栅缝(6)的形状是矩形,栅缝位于辐射槽缝(3)的四周,栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直;栅缝(6)的一端短路;栅缝(6)的另一端开路,位于介质基板(1)的边缘;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端开路;在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8),辐射槽缝(3)其它...
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