【技术实现步骤摘要】
本技术涉及等离子体耐蚀性构件。
技术介绍
以往，作为等离子体耐蚀性构件，已知以氮化铝烧结体为母材，在该母材中的暴露于等离子体的表面上形成有氧化钇薄膜的构件(例如专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2000 - 129388号公报
技术实现思路
技术要解决的课题然而，在使用氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材作为构成构件的情况下，升温至700°C时，有时在氧化钇薄膜与构成构件的界面产生裂纹。本技术是为了解决这样的课题而作出的，主要目的在于防止在升温至700°C后的薄膜与基材的界面产生裂纹。解决课题的方案本技术的等离子体耐蚀性构件为，在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在前述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成前述凸部的部分的膜厚al的比率a2 / al满足I < a2 / al < I. 6。技术的效果根据本技术，可得到在升温至700°C后的薄膜与基材的界面不产生裂纹这...
【技术保护点】
一种等离子体耐蚀性构件，其特征在于，其为在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在所述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，所述薄膜中的形成有所述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成所述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。
【技术特征摘要】
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