有机发光二极管制造技术

一种有机发光二极管，包括：第一电极；在所述第一电极上的第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；以及在所述第一电子传输层上的第二电极，其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层中的每一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管(OLED)，具体地说，涉及提高了发光效率和寿命的有机发光二极管。
技术介绍
尽管阴极射线管(CRT)曾广泛用作显示装置，但近来已研究和使用各种平板显示器(FPD)，例如等离子显示板(PDP)、液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。在各种FH)中，因为OLED显示装置是自发光式的，所以OLED显示装置不包括非自发光 式的LCD所需要的背光部件。因此，OLED显示装置具有轻的重量和薄的外形。此外，与LCD装置相比，OLED显示装置在视角、对比度和耗电量方面具有优势。OLED显示装置还具有低直流驱动电压(DC)和快响应速度的特点。还有，由于OLED显示装置的内部部件为固态的，因此OLED显示装置耐外部冲击，并且具有使用温度范围广的特点。尤其是，由于制造工艺简单，OLED显示装置的产品成本比IXD装置的产品成本低。OLED显示装置是包括利用有机发光现象发光的有机发光二极管的自发光式显示装置。图I是表示根据相关技术的有机发光二极管的能带图。在图I中，有机发光二极管10包括阳极21、阴极25、空穴传输层(HTL) 33、电子传输层(ETL) 35和发光材料层(EML) 40。此外，为了提高发光效率，在阳极21和HTL 33之间形成空穴注入层(HIL) 37，在阴极25和ETL 35之间形成电子注入层(EIL) 39。当把高电平电压和低电平电压分别施加到有机发光二极管10的阳极21和阴极25上时，阳极21的空穴和阴极25的电子就被传输到EML 40，从而形成激子。当激子从激发态跃迁至基态时就产生光，则EML 40发出光。激子可具有单重态和三重态，并且单重态和三重态的存在概率的比例大约是I 3。由于当激子从单重态跃迁至基态时OLED才会发出光，因此OLED具有这样的缺点，即OLED的内部量子效率理论上不高于大约25%。于是，期望能够利用三重态的较高内部量子效率(例如至少是大约75% )的0LED。
技术实现思路
本专利技术涉及提高了发光效率和寿命的有机发光二极管。本专利技术的其它的特点和优点将在下面的描述中阐述，这些特点和优点的一些将从下面的描述中显而易见的得出，或者可通过对本专利技术的实施而获悉。本专利技术的目的和另一些优点能够通过在本专利技术的文字描述和权利要求以及附图中特别指出的结构来了解和获得。为了实现这些和另一些优点，并且根据与本专利技术的一个方面一致的目的，如在此具体表达的和概括描述的那样，一种有机发光二极管可包括第一电极；在所述第一电极上的第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；在所述第一电子传输层上的第二电极，其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层中的每一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高。应该理解的是，之前的概括的描述和之后的具体的描述是示例性和解释性的，并且意图提供对请求保护的本专利技术的进一步解释。附图说明 附图说明了本专利技术的实施方式并且和说明书一起解释本专利技术的原理，为了提供对本专利技术的进一步理解而被包括的附图与本说明书合并并且构成本说明书的一部分，在所述附图中图I是表示根据相关技术的有机发光二极管的能带图；图2是表示根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的横截面图；图3是表不根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管的横截面图；图4是表示根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管的能带图；图5A和图5B是分别表不根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管的发光效率和寿命的曲线图；图6是表示根据本专利技术的第二实施方式的有机发光二极管的能带图；图7是表示根据本专利技术的第三实施方式的有机发光二极管的能带图。具体实施例方式现在将详细描述优选的实施方式，所述优选的实施方式的示例在附图中说明。尽可能地，在全部附图中将使用相同的标号来指代相同的或者相似的部分。要注意的是，如果对已知技术的具体的描述被认为会导致对本专利技术的误解，则将省略对已知技术的具体的描述。图2是表示根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的横截面图，图3是表不根据本专利技术的第一实施方式的有机发光二极管的横截面图。在图2中，有机发光二极管(OLED)显示装置100包括在像素区P中的驱动薄膜晶体管(TFT)DTr和有机发光二极管(OLED)E。半导体层103形成在第一基板101上的像素区P中。所述半导体层103可包括(i)在所述半导体层103的中央的有源区103b以及(ii)在所述有源区103b两侧的源极区103a和漏极区103c。所述有源区103b可包括本征硅，所述源极区103a和所述漏极区103c可包括掺有杂质的硅。此外，栅极绝缘层105形成在所述半导体层103上。栅极107以及栅线(未示出)形成在栅极绝缘层105上。栅极107对应于半导体层103的有源区103b，并且与所述栅线相连接。层间绝缘层109a在所述栅极107和所述栅线上形成。所述层间绝缘层109a和所述栅极绝缘层105具有分别暴露所述源极区103a和所述漏极区103c的第一半导体接触孔Illa和第二半导体接触孔111b。源极113和漏极115形成在所述层间绝缘层109a上。所述源极113和所述漏极115彼此分开。所述源极113通过所述第一半导体接触孔Illa与所述源极区103a相连接，所述漏极115通过所述第二半导体接触孔Illb与所述漏极区103c相连接。钝化层10%形成在所述源极113和所述漏极115上。所述钝化层109b具有暴露所述漏极115的漏极接触孔117。具有所述源极区103a和所述漏极区103c的所述半导体层103、所述栅极绝缘层105、所述栅极107、所述源极113和所述漏极115构成了驱动TFT DTr。尽管未示出，与所述栅线相交以限定像素区P的数据线形成在所述层间绝缘层109a上。此外，切换TFT形成在像素区P中，所述切换TFT具有与所述驱动TFT DTr的结构相同的结构并且与所述驱动TFT DTr相连接。尽管所述驱动TFT DTr和所述切换TFT在图2中具有半导体层103由多晶硅形成的顶栅结构，但所述驱动TFTDTr和所述切换TFT可具 有所述半导体层由非晶硅形成的底栅结构。构成所述有机发光二极管(OLED)E的第一电极211、有机发光层213和第二电极215顺序地形成在所述钝化层109b上。所述第一电极211通过在所述钝化层109b中的所述漏极接触孔117与所述驱动TFT DTr的所述漏极115相连接。此处，所述第一电极211可由具有相对高的功函数的材料形成，以用作阳极，这种材料是例如氧化铟锡(ITO)，所述第二电极215可由具有相对低的功函数的材料形成，以用作阴极，这种材料是例如单层的铝(Al)、钙(Ca)或镁(Mg)，或者是双层的氟化锂(LiF)/铝(Al)。此外，来自所述有机发光层213的光经由所述第二电极215发出，以便能够以上发光模式驱动OLED显示装置100。所述有机发光层213可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括：第一电极；在所述第一电极上的第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层上的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括掺杂了第一掺杂剂的第一基质，其中所述第一掺杂剂的最低未占有分子轨道的能级比所述第一基质的最低未占有分子轨道的能级高；在所述第一发光材料层上的第一电子传输层；以及在所述第一电子传输层上的第二电极，其中所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层中的每一层的能级都比所述第一发光材料层的三重态激子的能级高。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋基旭，皮性勋，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：