薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置制造方法及图纸

提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基础基板；在基础基板上的半导体层，该半导体层包括第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层的霍尔迁移率小于第一氧化物半导体层的霍尔迁移率；及栅极，与半导体层间隔开并与半导体层部分地交叠，其中，关于原子数，与总金属元素相比，所述第二氧化物半导体层包括40原子百分比或更多的镓(Ga)，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之间的第一混合区域，其中，所述第一混合区域的厚度大于0且为3nm或更小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置。更具体而言，本专利技术涉及一种包括被配置为保护主沟道层的界面沟道层的薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

1、可以在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管，并且薄膜晶体管被广泛用作显示装置(例如液晶显示装置或有机发光装置)中的开关器件或驱动器件。根据用于有源层的材料，可以将薄膜晶体管分类为具有非晶硅有源层的非晶硅薄膜晶体管、具有多晶硅有源层的多晶硅薄膜晶体管和具有氧化物半导体有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。

2、非晶硅在短时间内沉积，并且形成为有源层，由此非晶硅薄膜晶体管(a-si tft)具有制造时间短和制造成本低的优点。同时，其具有由于迁移率低和阈值电压的变化而导致的电流驱动效率差的缺点。因此，难以将非晶硅薄膜晶体管用于有源矩阵有机发光器件(amoled)。

3、可以通过沉积非晶硅并且使所沉积的非晶硅结晶来获得多晶硅薄膜晶体管(poly-si tft)。多晶硅薄膜晶体管具有电子迁移率高和稳定性高、实现薄外形和高分辨率以及功率效率高的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与所述第一氧化物半导体层相比，所述第二氧化物半导体层更靠近所述栅极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括IZO(铟锌氧化物；InZnO)基氧化物半导体材料、IGO(InGaO)基氧化物半导体材料、ITO(铟锡氧化物；InSnO)基氧化物半导体材料、IGZO(InGaZnO)基氧化物半导体材料、IGZTO(InGaZnSnO)基氧化物半导体材料和ITZO(铟锡锌氧化物；InSnZnO)基氧化物半导体材料的至少...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，与所述第一氧化物半导体层相比，所述第二氧化物半导体层更靠近所述栅极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括izo(铟锌氧化物；inzno)基氧化物半导体材料、igo(ingao)基氧化物半导体材料、ito(铟锡氧化物；insno)基氧化物半导体材料、igzo(ingazno)基氧化物半导体材料、igzto(ingaznsno)基氧化物半导体材料和itzo(铟锡锌氧化物；insnzno)基氧化物半导体材料的至少之一。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层比所述第一氧化物半导体层薄。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的厚度为1nm至10nm。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述源极和所述漏极不接触所述第一氧化物半导体层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述第三氧化物半导体层的镓(ga)的浓度高于所述第二氧化物半导体层的镓的浓度。

12.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴世熙，徐廷锡，尹弼相，全济勇，朴在润，丁燦墉，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：