用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置。该气体密封装置是在投影透镜组和衬底之间的装置，由上构件、下构件和旋转构件组成。在光刻扫描过程中，伴随衬底高速运动对浸没液体的牵拉作用，浸没流场的边界形态会发生迅速变化。该装置内部采用多层阶梯式气密封结构，从中心向外部气密封压力逐渐升高，并且根据衬底的运动方向及速度大小实时调整各层气体的密封压力大小，从而抑制外围气密封压力不足导致浸没液体的泄漏，及内部气密封压力过大导致的气泡卷吸，实现液体的自适应气体密封。同时，在该装置外部采用旋转气流辅助密封，进一步提高了气体密封的可靠性与稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用浸没式光刻机的密封装置，特别是涉及一种用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置。
技术介绍
现代光刻设备以光学光刻为基础，它利用光学系统把掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的衬底(如硅片)上。它包括一个紫外光源、一个光学系统、一块由芯片 图形组成的投影掩膜版、一个对准系统和一个覆盖光敏光刻胶的衬底。浸没式光刻(Immersion Lithography)系统在投影透镜和衬底之间的缝隙中填充某种液体，通过提高该缝隙中介质的折射率(η)来提高投影透镜的数值孔径(NA)，从而提高光刻的分辨率和焦深。通常采用的方案将液体限制在衬底上方和投影装置的末端元件之间的局部区域内。如果缺乏有限密封，该方案将导致填充流场边界液体的泄漏，泄漏的液体在光刻胶或Topcoat表面干燥后将形成水迹，严重影响曝光成像质量。目前该方案的密封结构，一般采用气密封构件环绕投影透镜组末端元件和衬底之间的缝隙流场。在密封构件和衬底的表面之间，气密封技术(例如参见中国专利ZL200310120944. 4和美国专利US2007046916)通过施加高压气体在环绕填充流场周边形成气幕，将液体限制在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置，包括投影透镜组（1）、密封装置和衬底（3），密封装置设置在投影透镜组（1）和衬底（3）之间；其特征在于：所述的密封装置为阶梯式自适应气体密封装置（2），包括下构件（2A）、上构件（2B）和旋转构件（2C）；其中：1）下构件（2A）：下构件（2A）为环状柱体，圆周方向等距开有10~18个扇形多层的气密封通道（4A），并且每个气密封通道为5~8层；气密封通道下部开有倾斜气密封腔（5A）；在气密封通道外围设有等距分布的回气通道（6A），回气通道（6A）的下部设有回气腔（7A），回气腔（7A）内填充吸水性多孔介质（9）；在下构件（2A）圆周外壁开有环状的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅新，刘琦，陈文昱，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：