【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于IC制造和超精密测量及加工技术，主要涉及一种用于光刻机双工件台的微位移测量方法及传感装置。
技术介绍
光刻是大规模集成电路制造中的核心步骤，宏微双工件台技术是提高光刻机性能的主要手段之一，宏微双重驱动技术作为大行程、高精度、高速定位机构，在国内外研究取得了一定成果。其中，光栅尺和激光干涉仪等光电式方法通过闭环反馈控制在双工件台中有所应用2001年8月机械设计与制造杂志第4期71-72页发表了一篇名为《大行程高精度两极定位工作台的控制方与研究》的文章，该工作台利用单频激光干涉仪实现闭环位置反馈，可以实现500mm的工作行程内20nm的重复定位精度；2005年，光学精密工程报第13卷第2期··171-178页发表了一篇名为《一种宏微双重驱动精密定位机构的建模与控制》的文章，提出一种宏微双重驱动精密定位机构，采用精密光栅尺反馈微动平台输出端的位置信号，实现定位机构的全闭环反馈控制，实现IOOmm工作行程内IOnm的重复定位精度。上述测量装置解决了一些双工件台运动控制中的一些实际问题，但是主要针对宏微双工件台长距离反馈定位，且光电式传感器价格昂贵，结构复杂...
【技术保护点】
一种用于光刻机双工件台的微位移测量方法，其特征在于该测量方法步骤为：第一步，光刻机宏微双工件台的宏动机构与微动机构产生相对位移，垂直于霍尔元件表面的磁场分量随相对位移线性改变，霍尔微位移传感器的输出霍尔电压信号变化；第二步，霍尔微位移传感器的输出霍尔电压信号经外部检测电路的信号调理模块进行放大和滤波处理；获得代表宏微双工件台宏动机构与宏微双工件台微动机构相对位移量的大小和方向的电压幅值和相位；第三步，将电压幅值和相位经外部检测电路的数据采集模块进行数据的采集和控制，最后送入上位机进行处理和综合。
【技术特征摘要】
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