场发射光源及液晶显示器制造技术

一种场发射光源及液晶显示器，其包括一第一基板、多个条状第一电极、多个电子发射层、多对栅极、一第二基板、一第二电极以及一荧光层。彼此电性连接的条状第一电极配置于第一基板上，以于第一基板定义出多个条状区域，其中各条状区域包括多个子区域。电子发射层配置于条状第一电极上。多对栅极配置于第一基板上，其中各对栅极分别位于其中一个子区域内，且各栅极分别邻近于条状第一电极配置。第二电极配置于第二基板上。荧光层配置于第二电极上，且位于第二电极与第一基板之间。

【技术实现步骤摘要】

本申请案是有关于ー种光源，且特别是关于一种场发射光源。
技术介绍
显示器在人们现今生活中的重要性日益増加，除了使用电脑或网际网络外，电视机、手机、个人数位助理(PDA)、数码相机等，均须透过显示器控制来传递信息。相较于传统映像管显示器，新世代的平面显示器具有重量轻、体积小、及符合人体健康的优点。在众多新兴的平面显示器技术中，场发射显示器(Field Emission Display, FED)不仅拥有传统映像管高画质的优点，且相较于液晶显示器，场发射显示器具有较短的光学反应时间(Optical Response Time),而几乎不会产生残影。亦即，与液晶显示器相较之下，场发射显示器具有更高的显示品质。此外，场发射显示器还具有厚度薄、重量轻、视角广、亮 度高、工作温度范围较大以及省能源等优点，因此场发射显示器已经逐渐受到全球业者的瞩目。一般而言，场发射显示器主要由电极(阴极、阳极、栅极)、电子发射层以及荧光粉所组成，其中阴极以及阳极上下相对，栅极配置于阴极旁，电子发射层配置于阴极上且位于阴极以及阳极之间，而荧光粉配置于阳极上且位于阴极以及阳极之间。通过施予栅极电压以诱发电子从位于阴极上的电子发射层射出，电子射出后受到阳极与栅极正电压差的加速，而撞击突光粉并产生所谓的阴极突光(Cathodoluminescence),此阴极突光即可作为显示器的背光源。在节能与环保的需求下，于点亮显示器的画面吋，可将整个显示器切割成M*N个区块，并且依据每一区块的影像内容，而对每一区块所对应的背光源亮度进行调整(即局部点亮(local dimming)技术)，以节能省电，同时更能增进画面的对比度(contrast ratio)。然而，现行场发射显示器的电极设计并无法做到局部点亮的技木。
技术实现思路
本申请案提供一种场发射光源，其可达到局部点亮的效果。本申请案提供ー种液晶显示器，其可节能省电。本申请案提供一种场发射光源，包括一第一基板、多个条状第一电极、多个电子发射层、多对栅极、一第二基板、一第二电极以及一突光层。彼此电性连接的条状第一电极配置于第一基板上，以于第一基板定义出多个条状区域，其中各条状区域包括多个子区域。电子发射层配置于条状第一电极上。多对栅极配置于第一基板上，其中各对栅极分别位于其中ー个子区域内，且各栅极分别邻近于条状第一电极配置。第二电极配置于第二基板上。荧光层配置于第二电极上，且位于第二电极与第一基板之间。在本申请案的一实施例中，前述的条状第一电极彼此平行排列于第一基板上。在本申请案的一实施例中，前述的各子区域为ー矩形区域。在本申请案的一实施例中，前述的相邻的ニ条状第一电极之间的间距为D1，而各栅极与相邻的条状第一电极之间的最短距离为D2，且Dl与D2满足下列关系5xl0_7 ( D2/Dl く 2x10'在本申请案之的丨一实施例中，前述之的各条状第一电极至第二电极的最短距离为D3，且D2与D3满足下列关系2. 5xl(T7彡D2/D3彡lxl(T3。在本申请案之的丨ー实施例中，前述之的电子发射层包括碳奈米纳米管层。在本申请案之的丨一实施例中，前述之的闸极栅极的延伸方向实质上平行于条状第一电极的延伸方向。在本申请案之的丨一实施例中，前述之的第二电极为一透明电极，且第二基板为一透明基板。在本申请案之的丨一实施例中，前述之的第二电极为一反射电极。 在本申请案的一实施例中，前述的反射电极包括ー电极层以及一反射层。反射层配置于电极层上，其中反射层位于电极层与突光层之间。 在本申请案的一实施例中，前述的场发射光源，更包括多条导线，其中导线与栅极电性连接，且导线分布于子区域内。本申请案另提供ー种液晶显示器，包括一液晶显示面板以及前述之的场发射光源，其中场发射光源位于液晶显示面板下方。在本申请案的一实施例中，前述的液晶显示面板包括一穿透式液晶显示面板或一半穿透半反射式液晶显示面板。基于上述，本申请案在条状第一电极所划分的条状区域内设置多对栅极，且各对电极设置于其中ー个子区域内，透过独立驱动各个子区域内的一对栅极，以局部诱发各个子区域内的电子，使各个子区域上的荧光层可被分别点亮。是以，本申请案的场发射光源可达到局部点亮的效果，且使用此场发射光源的液晶显示器可以较为节能省电。为让本申请案的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图I为本申请案ー实施例的场发射光源的剖面示意图；图2为图I实施例的场发射光源的俯视示意图；图3为图2中其中ー个子区域SI的放大示意图；图4Α及图4Β绘示不同显示面板下场发射光源对应的配置；图5为本申请案ー实施例的驱动电路的示意图；图6为本申请案ー实施例的场发射光源的俯视不意图。其中，附图标记10,20 :液晶显示器 100、420a、420b、600 :场发射光源110:第一基板120:条状第一电极122:连接电极130、130a、130b :电子发射层140、140a、140b、140c、140d :栅极150 :第二基板160:第二电极162:电极层164:反射层170 :荧光层180 :导线182 :栅极接垫410a :穿透式液晶显示面板410b :半穿透半反射式液晶显示面板L:光线e:电子X :第一方向Y:第二方向S :条状区域SI、S2、S3:子区域Sla、Slb:区域 S100、S200 :轨迹Dl :间距D2、D3:最短距离 A1、A2:区域PWM:脉冲宽度调变MOSFET :金属氧化物半导体场效晶体管Vgate :驱动电压 Vcathode:电压具体实施例方式图I为本申请案ー实施例的场发射光源的剖面示意图。请參照图1，本实施例的场发射光源100包括一第一基板110、多个条状第一电极120、多个电子发射层130、多对栅极140、一第二基板150、一第二电极160以及ー突光层170。条状第一电极120配置于第一基板110上。电子发射层130配置于条状第一电极120上。在本实施例中，电子发射层130例如是纳米碳管(Carbon Nano-Tube, CNT)。在其他实施例中，电子发射层130的发射源也可以是点发射源、锲形发射源、薄膜非晶形钻石发射源、薄膜边缘发射源、表面电子发射源或边缘电子发射源。多对栅极140配置于第一基板110上，其中各栅极140分别邻近于条状第一电极120配置。在本实施例中，栅极140与第一电极120位于同一平面。然而，在其他实施例中，栅极140亦可配置于第一电极120的上方或下方。第二电极160配置于第二基板150上。突光层170配置于第二电极160上，并位于第二电极160与第一基板110之间。在本实施例中，条状第ー电极120例如是阴极，而第ニ电极160例如是阳极，但条状第一电极120与第二电极160的明、阳极需视设计上的需求而疋。图2为图I实施例的场发射光源100的俯视示意图。为清楚绘示场发射光源100各膜层的相对配置关系，图2省略绘示图I中的第二基板150、第二电极160以及荧光层170。请參照图2，条状第一电极120彼此电性连接。在本实施例中，条状第一电极120例如是透过ー连接电极122彼此电性连接。连接电极122例如沿一第一方向X延伸，而条状第一电极120例如是沿一第二方向Y延伸，且条状第一电极12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射光源，其特征在于，包括：一第一基板；多个彼此电性连接的条状第一电极，配置于该第一基板上，以于该第一基板定义出多个条状区域，其中各该条状区域包括多个子区域；多个电子发射层，配置于该些条状第一电极上；多对栅极，配置于该第一基板上，其中各对栅极分别位于其中一个子区域内，且各该栅极分别邻近于该条状第一电极配置；一第二基板；一第二电极，配置于该第二基板上；以及一荧光层，配置于该第二电极上，且位于该第二电极与该第一基板之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：邱胜正，李元尧，游孟洁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：