少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法技术

本发明专利技术提供了一种少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法，包括如下步骤：第一步，用带锯机截取测试样片；第二步，用混酸溶液对所述样片表面损伤层进行腐蚀，使其表面呈镜面；第三步，用洗涤液将所述样片清洗干净；第四步，将所述样片放入容器中，再加入碘酒溶液，使所述碘酒溶液均匀的覆盖于所述样片表面；第五步，将处理好的所述样片用少子寿命扫描设备扫描所述样片少子寿命，测量出少子寿命分布图形。本发明专利技术少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法步骤简练，减少了设备的导入及电量的损耗。在样片处理方面，效率更高，可以节约大量的时间以及辅助材料的使用，节约了测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测试方法，特别是ー种，属于单晶硅中缺陷的检测技木。
技术介绍
当今太阳能已经成为了ー种新型可再生的清洁能源正在逐步被各个国家重视，因此作为太阳能利用的载体——硅基体太阳能电池片，正是各个企业争相生产的产品。直拉法生长的单晶硅，在单晶棒的头部所切的硅片在制作太阳能电池片的过程中易形成氧化诱生层错缺陷(OSF, Oxidation-Induced Stacking Faults),会极大的降低用此娃片做成的太阳能电池片的转换效率。因此，需要有一种测试方法来判断单晶硅片在制作电池片的过程中是否会形成0SF，以保证电池片的转换效率。 传统的检测单晶硅是否会形成OSF的方法为模拟器件的氧化条件，利用氧化来缀饰或扩大硅片中的缺陷，然后用择优腐蚀液显示缺陷，并用显微技术观測。具体的步骤如下I.用内圆切割机，截取晶棒需测试区域I 3毫米厚的样片。2.将样片边缘用倒角设备打磨光滑。3.用混酸溶液(硝酸醋酸氢氟酸)将样片的表面损伤层腐蚀掉大约200微米，表面呈镜面。4.打开石英管氧化退火炉，预加热到1000摄氏度。5.将样片放入高洁净石英管氧化退火炉中，在1000摄氏度恒定温度下(1本文档来自技高网...

【技术保护点】
少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，用带锯机截取测试样片；第二步，用混酸溶液对所述样片表面损伤层进行腐蚀，使其表面呈镜面；第三步，用洗涤液将所述样片清洗干净；第四步，将所述样片放入容器中，再加入碘酒溶液，使所述碘酒溶液均匀的覆盖于所述样片表面；第五步，将处理好的所述样片用少子寿命扫描设备扫描所述样片少子寿命，测量出少子寿命分布图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周聪，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：