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本发明提供了一种少子寿命扫描法测试直拉单晶硅中的氧化诱生层错的方法，包括如下步骤：第一步，用带锯机截取测试样片；第二步，用混酸溶液对所述样片表面损伤层进行腐蚀，使其表面呈镜面；第三步，用洗涤液将所述样片清洗干净；第四步，将所述样片放入容器中...
该专利属于上海申和热磁电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海申和热磁电子有限公司授权不得商用。

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