基质辅助激光解析离子源进样装置制造方法及图纸

技术编号:8180459 阅读:211 留言:0更新日期:2013-01-08 23:38
本实用新型专利技术提出一种基质辅助激光解析离子源进样装置,该装置包括样品托盘;密封腔,密封腔内具有第一真空度;真空腔,真空腔内具有高于第一真空度的第二真空度,真空腔与密封腔相连且通过真空腔的前密封板与密封腔隔开;设在密封腔一侧、用于将样品托盘送入密封腔内且从密封腔内输送到真空腔内的第一级进样组件;设在真空腔内且用于从第一级进样组件接纳样品托盘并将样品托盘输送至真空腔内的检测位置的第二级进样组件;密封门组件,密封门组件可打开和关闭地设在真空腔的前密封板上;和真空泵,由此,根据本实用新型专利技术的进样装置,能够将样品从常压环境平稳地送入高真空环境内且使样品在进样过程中逐渐适应真空度,保证样品的检测质量。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及基质辅助激光解析(MALDI)离子源
,特别是涉及一种基质辅助激光解析离子源进样装置
技术介绍
基质辅助激光解析离子源是固态样品解析过程,样品在常压下形成固体,经过进样系统,由常压进入真空系统,并进行精确定位,实现样品在一个微小的区域内解析。在极短的时间间隔,激光对样品提供高的能量,对它们进行极快的加热,这样可以避免热敏感的化合物加热分解,基质分子能有效地吸收激光的能量,并间接地传给样品分子,从而得到电离。也就实现了离子进入质量分析器,完成进样。·基质辅助激光解析(MALDI)离子源进样装置在真空中进样有着至关重要的作用。由于待测样品(多为生物样品)不能直接从常压环境中立即转变为高真空环境,因此进样装置需要保证样品从常压环境进入到高真空环境的过程中逐渐适应高真空环境,不会对样品产生破坏以致影响解析结果。
技术实现思路
本技术旨在至少解决上述技术问题之一。为此,本技术的一个目的在于提出一种多级进样基质辅助激光解析离子源进样装置。根据本技术实施例的基质辅助激光解析离子源进样装置,包括用于盛放样品的样品托盘;密封腔,所述密封腔内具有第一真空度;真空腔,所述真空腔内具有高于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基质辅助激光解析离子源进样装置,其特征在于,包括:用于盛放样品的样品托盘;密封腔,所述密封腔内具有第一真空度;真空腔,所述真空腔内具有高于所述第一真空度的第二真空度,所述真空腔与所述密封腔相连且通过所述真空腔的前密封板与所述密封腔隔开;设在所述密封腔一侧、用于将所述样品托盘送入所述密封腔内且从所述密封腔内输送到所述真空腔内的第一级进样组件;设在所述真空腔内且用于从所述第一级进样组件接纳所述样品托盘并将所述样品托盘输送至所述真空腔内的检测位置的第二级进样组件;密封门组件,所述密封门组件可打开和关闭地设在所述真空腔的所述前密封板上;和真空泵,所述真空泵分别与所述密封腔和真空腔相连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡克亚陶占清周立
申请(专利权)人:江苏天瑞仪器股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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