平衡式裸片上终结制造技术

通过在设置于相同存储器模块上和/或相同集成电路封装体内并且耦合到高速信令链路的多个集成电路存储器器件内同时接合裸片上终结结构来实现高速串行链路的终结。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要地涉及电子通信领域，并且更具体地涉及在集成电路器件之间的信令。
技术介绍
裸片上终结(on-die termination) (ODT)普遍用来在现代集成电路(IC)存储器器件中终结高速数据链路。遗憾的是，信令电流在到达裸片上终结之前流过IC封装体电感(即，由IC封装体内的传导结构(比如过孔、接线键合等)形成)，因此往往产生向功率轨并且因此向邻近信号信令链路传送的依赖于数据的切换噪声，从而降低系统内的净信噪比(SNR)。·附图说明在附图的各图中通过例子而非通过限制来说明本专利技术，并且在附图中，相似标号指代相似单元，而且在附图中图I对比旧式单器件终结模式与示例平衡式多器件终结模式；图2A-图2E图示了用于存储器系统内的平衡式裸片上终结的示例方式，该存储器系统具有用于插入可移除存储器模块的一个或者多个槽(或者连接器)；图3A-图3D图示了用于存储器系统内的平衡式终结的示例方式，该存储器系统具有由多列存储器模块填充的单独存储器模块槽；图4A图示了多列存储器模块的一个实施例，该模块无论模块是否包含正在写入的存储器器件列(rank)都能够在存储器写入操作期间应用平衡式裸片上终本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·威尔森，JH·金，R·科利帕拉，D·塞克尔，K·S·吴，
申请(专利权)人：拉姆伯斯公司，
类型：
国别省市：