【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及合成和使用交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为表面处理剂(PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有许多用途。包括在包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用。
技术介绍
适当结构化的嵌段共聚物(BC)能自组装成具有小于IOOnm的特征的规则图案且可用于诸如微电子技术、太阳能电池和膜的纳米制造应用中。垂直于基材表面排列的六边堆积的圆柱体为用于这些应用的最有用的纳米结构之一。已经报道了多面处理技术使得该取向能够包括用烷基氯硅烷的表面处理、化学图案化和聚合物“刷”。然而，对特征尺寸和取向的控制仍然不足。需要在对特征取向的必要控制下提供宽大加工界限的方法。 专利技术概述本专利技术涉及合成和使用无规交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为表面处理剂(PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有包括在包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用的许多用途。可从这些材料中获得宽范围的表面能，且结果显示PXST不必由在嵌段共聚物(Be)中相同的两种单体构成，从而对于垂直取...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·G·威尔森，C·贝茨，J·斯特拉恩，C·埃利森，
申请(专利权)人：得克萨斯大学体系董事会，
类型：
国别省市：
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