一种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，减反层上设置有栅电极；多结电池单元由以下电池层由下而上依次排列：P型硒铟铜层、N型硫化镉层、第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层、第一N型非晶硅层、第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。本发明专利技术还公开了一种新型三结薄膜太阳能电池的生产方法，分别通过磁控溅射法、真空硒化退火法或真空蒸镀法制作上述各电池层。本发明专利技术所述太阳能电池结合了a-Si/a-SiGe太阳能电池技术与CuInSe2薄膜太阳能电池的特点，拓展太阳光吸收波长范围到500-1100nm，提高光电转换率到20%，而且制造成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池及其生产方法，尤其涉及ー种新型三结薄膜太阳能电池及其生产方法。
技术介绍
硅(化学符号Si)基薄膜太阳能电池以其高的太阳光吸收系数、电池效率的温度系数小、生产成本低、适宜大规模大尺寸生产等优点成为了所有薄膜太阳能电池中产业化程度最高、实际生产规模最大的薄膜太阳能电池。硅基薄膜太阳电池的发展从单结的非晶硅卿a-Si)到双结的非晶硅-非晶锗硅卿a-Si/a-SiGe)。由于非晶硅存在的光致衰减效应，影响了其光电转换率，一般仅为8%。非晶硅-非晶锗硅的光学带隙在I. 7-1. 4eV之间，其光学带隙较大，不够理想。整体来说，传统的单结和双结的薄膜太阳能电池，其太阳光吸收波长范围较窄，光电转换率较低，能效不够高；而且制造成本较高，不适合规模化的国内量产，成为太阳能电池发展的瓶颈。专利申请号为“201110283633. 4”的专利技术专利申请文件公开了ー种薄膜太阳能电池，从上到下依次包括ITO导电玻璃、PZT薄膜层、a-Si薄膜层和金属电极，PZT薄膜层设于ITO导电玻璃的导电面上；金属电极与a-Si薄膜层形成欧姆接触；所述ITO导电玻璃的导电面与PZT薄膜层构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型三结薄膜太阳能电池，包括由下而上依次排列的玻璃基板、背电极钼层、多结电池单元、窗口层和减反层，所述减反层上设置有栅电极；其特征在于：所述多结电池单元包括三结，由下而上依次为硒铟铜结、非晶锗硅结和非晶硅结，所述硒铟铜结包括由下而上依次排列的P型硒铟铜层和N型硫化镉层，所述非晶锗硅结包括由下而上依次排列的第一P型非晶硅层、本征非晶锗硅层和第一N型非晶硅层，所述非晶硅结包括由下而上依次排列的第二P型非晶硅层、本征非晶硅层和第二N型非晶硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董德庆，庄春泉，林进达，王建强，汪涛，
申请(专利权)人：四川汉能光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：