多结叠层电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明专利技术还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及。
技术介绍
随着能源问题的不断加剧，人类对于太阳能这种取之不尽用之不竭的清洁能源寄予厚望，成为当前广泛接受的研究热点。在众多太阳能电池中，传统GalnP/GaAs/Ge三结电池已成功应用于空间和地面光伏领域，但进一步提升转换效率遇到瓶颈。根据带隙组成和与太阳光谱的匹配，顶电池的禁带宽度达到2. 4e疒2. 7eV时可显著提升多结电池的转换效率，但这么高的带隙宽度在已经采用的电池材料体系内是较难办到的。InGaN材料通过调节In的组分即可在0.7 eV 3. 4eV的范围内控制其禁带宽度，是极有可能满足多结高效太阳能电池的材料之一。采用MBE或者MOCVD技术直接在III-V族电池顶部生长InGaN顶电池， 由于生长条件的差异，不仅要涉及衬底在腔室之间的转移导致污染；而且，由于InGaN材料与传统III-V族材料存在较大的晶格失配和热失配，获得的InGaN顶电池材料质量极差，而且容易发生龟裂、脱落等现象。另外，使用分光的方法虽可避免材料连续生长的问题，但由于采用平行结构且分光，会导致体积较大以及分光损失等。另外，InGaN电池禁带宽度大，输出开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III？V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III？V族多结电池膜层的裸露表面，其特征在于，所述InGaN基电池膜层与III？V族多结电池膜层之间通过键合方式连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑新和，张东炎，李雪飞，吴渊渊，陆书龙，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
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