【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅和II-VI族化合物半导体三结叠层薄膜太阳能电池，具体是指在硅基薄膜电池上叠加碲化镉和渐变带隙碲锌镉薄膜太阳能电池，制成宽波段吸收的三结叠层薄膜太阳能电池组件。
技术介绍
能源问题已经成为全人类面临的严峻挑战。当前，我国正处在经济和社会的快速发展时期，能源结构和能源安全越来越成为制约可持续发展的瓶颈，因此，越来越多的国家开始通过开发太阳能资源寻求经济发展的新动力。光伏发电的大规模利用主要面临提高光伏电池的效率和降低成本的挑战。相比晶体硅太阳能电池的高昂材料成本，薄膜太阳电池可以大大降低器件对原材料的依赖，从而降低成本。然而，薄膜类太阳电池存在转换效率还比较低的问题，发展新型高效多结太阳电·池成为学术界和产业界共同关注的焦点。随着材料制备技术的不断进步和发展，采用叠层结构的高性能太阳能电池成为提高功率转换效率的最有效手段。叠层结构一般由两个或两个以上的PN结构成，每一个PN结吸收相应波段的光子，这样，多个PN结就可以吸收不同波段的太阳光，使得转换效率大幅度提闻。近两年来，在硅基薄膜电池上制备化合物多结薄膜太阳能电池受到人们关注，尤其是硅电池上再制备碲化...
【技术保护点】
一种三结叠层薄膜太阳能电池组件，其特征在于：该电池由依次排列的吸收偏向长波的低能太阳光的多晶硅薄膜太阳能电池、吸收偏向短波的高能太阳光的碲化镉薄膜太阳能电池、渐变带隙结构碲锌镉薄膜太阳能电池组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹鸿，褚君浩，王善力，赵守仁，
申请(专利权)人：上海太阳能电池研究与发展中心，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。