有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。示例性实施例可以包括基板、位于所述基板上的绝缘层以及包括位于所述绝缘层上的透明导电层的像素电极。所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过使用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面中的蚀刻剂进行蚀刻而形成。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法
实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
技术介绍
由于有机发光二极管(OLED)显示器的特性，即视角宽、响应速率快、功耗低、重量较轻和尺寸微小，其作为下一代显示器已获得很多关注。
技术实现思路
示例性实施例可以致力于一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。根据示例性实施例，一种有机发光二极管(OLED)显示器包括基板、位于所述基板上的绝缘层以及包括位于所述绝缘层上的透明导电层的像素电极。所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成。所述多个凹孔可以用作透镜。所述透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。所述蚀刻剂可以包括氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)。包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸可以小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵可以小于35wt％。所述绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。所述有机发光二极管(O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；位于所述基板上的绝缘层；以及像素电极，位于所述绝缘层上包括透明导电层，其中所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成。

【技术特征摘要】
2011.06.27 KR 10-2011-00624281.一种有机发光二极管显示器，包括：基板；位于所述基板上的绝缘层；像素电极，位于所述绝缘层上包括透明导电层，其中所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成；以及位于所述像素电极上的有机发射层，其中所述多个凹孔位于与所述有机发射层重叠的位置。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个凹孔充当透镜。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述透明导电层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述蚀刻剂包括氟酸和氟化铵。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵小于35wt％。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述绝缘层包括氮化硅。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：有源层，利用半导体材料形成在所述基板和所述绝缘层之间；栅电极，设置在与所述绝缘层上的所述像素电极相同的层上，并且包括所述透明导电层和在所述透明导电层上的金属层；附加绝缘层，具有暴露所述像素电极的绝缘层开口，并且形成在所述绝缘层上以覆盖所述栅电极；源电极和漏电极，位于所述附加绝缘层上并且分别电连接至所述有源层；以及位于所述有机发射层上的公共电极。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素电极进一步包括金属层，所述金属层位于所述透明导电层的一部分上。9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中：所述金属层包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜的金属中的至少一种。10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料形成的第二电容器电极，所述第二电容器电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成虎，崔钟炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：