有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。示例性实施例可以包括基板、位于所述基板上的绝缘层以及包括位于所述绝缘层上的透明导电层的像素电极。所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过使用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面中的蚀刻剂进行蚀刻而形成。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法
实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
技术介绍
由于有机发光二极管(OLED)显示器的特性，即视角宽、响应速率快、功耗低、重量较轻和尺寸微小，其作为下一代显示器已获得很多关注。
技术实现思路
示例性实施例可以致力于一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。根据示例性实施例，一种有机发光二极管(OLED)显示器包括基板、位于所述基板上的绝缘层以及包括位于所述绝缘层上的透明导电层的像素电极。所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成。所述多个凹孔可以用作透镜。所述透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。所述蚀刻剂可以包括氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)。包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸可以小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵可以小于35wt％。所述绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。所述有机发光二极管(OLED)显示器可以进一步包括：有源层，利用半导体材料形成在所述基板和所述绝缘层之间；栅电极，设置在与所述绝缘层上的所述像素电极相同的层上，并且包括所述透明导电层和所述透明导电层上的金属层；附加绝缘层，具有暴露所述像素电极的绝缘层开口，所述附加绝缘层位于所述绝缘层上以覆盖所述栅电极；源电极和漏电极，位于所述附加绝缘层上并且分别电连接至所述有源层；位于所述像素电极上的有机发射层；以及位于所述有机发射层上的公共电极。所述像素电极进一步包括位于所述透明导电层的一部分上的金属层。所述金属层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的金属中的至少一种。可以进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料形成的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠。根据示例性实施例，一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，包括：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成包括透明导电层的像素电极；以及通过蚀刻剂来蚀刻所述绝缘层的与所述像素电极的透明导电层接触的表面的一部分，以形成多个凹孔。所述蚀刻剂可以渗入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面中。所述多个凹孔可以用作透镜。所述透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。所述蚀刻剂可以包括氟酸(HF)和氟化铵(NH4F)。包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸可以小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵可以小于35wt％。所述绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。所述制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法可以进一步包括：在形成所述绝缘层之前，在所述基板形成由半导体材料形制成的有源层；在所述绝缘层上沉积与所述像素电极位于相同的层上的所述透明导电层和金属层，以形成栅电极；形成具有暴露所述像素电极的绝缘层开口的附加绝缘层，所述附加绝缘层覆盖所述绝缘层上的所述栅电极；在所述附加绝缘层上形成分别电连接至所述有源层的源电极和漏电极；在所述像素电极上形成有机发射层；以及在所述有机发射层上形成公共电极。所述金属层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的金属中的至少一种。可以进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料制成的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠。附图说明通过参照附图详细描述其示例性实施例，以上及其它特征对于本领域普通技术人员来说将变得更加明显，附图中：图1至图6是顺序示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的制造工艺的截面图。图7是形成在图6的绝缘层处的凹孔中央的放大截面图。图8是形成在图6的绝缘层处的凹孔中央的放大俯视图。图9是根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的截面图。具体实施方式下文将参照附图更充分地描述示例实施例，然而，这些实施例可以不同的形式具体体现，并且不应当被解释为限于这里所记载的实施例。附图是示意性的并且未按比例缩放。为了准确和方便的目的，附图中的相对比例和比率被放大或缩小，并且比例是随意的且不限于此。另外，在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的结构、元件或部分。应当理解，当提及一元件在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者在它们之间可以存在中间元件。参照截面图描述的示例性实施例代表理想的示例性实施例。因此，可预期图的各种修改，例如，制造方法和/或规格的修改。因此，示例性实施例并不限于所示区域的特定形状，并且例如，还包括通过制造对形状的修改。参见图1至图9，将描述根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器101和制造方法。将根据沉积顺序集中于薄膜晶体管10、有机发光元件70和电容器90，来描述根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器101的制造方法。如图1所示，缓冲层120形成在基板111上。而且，有源层133和第一电容器电极139形成在缓冲层120上。基板111由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的透明且绝缘的基板形成。另外，当基板111由塑料制成时，基板111可以是柔性基板。缓冲层120使用化学气相沉积方法或物理气相沉积方法，以单层或包括至少一个绝缘层，即氧化硅层或氮化硅层的多层形成。缓冲层120防止从基板111产生的湿气或杂质的扩散或渗入，使表面平滑，并且在用于形成半导体层的结晶工艺期间控制热的传输速度。而且，缓冲层120可以取决于基板111的类型和工艺条件而省略。有源层133和第一电容器电极139形成在缓冲层120上。有源层133和第一电容器电极139通过图案化由半导体材料，即非晶硅层、多晶硅层或氧化物半导体层制成的薄膜而形成。换句话说，有源层133和第一电容器电极139通过第一光刻工艺而被图案化。多晶硅层可以通过形成非晶硅层并使其结晶而形成。在这种情况下，非晶硅层可以通过本领域技术人员已知的各种方法，即固相结晶、准分子激光结晶、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、顺序横向固化(SLS)和超晶硅(SGS)结晶而被结晶。然而，示例性实施例不限于此。因此，在不利用有源层133进行图案化的情况下，第一电容器电极139可以形成在与有源层133不同的层中，或者可以由与有源层133不同的材料形成。接下来，如图2所示，绝缘层140形成在有源层133和第一电容器电极139上。详细地说，绝缘层140覆盖缓冲层120上的有源层133和第一电容器电极139。绝缘层140可以利用单层或者包括技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；位于所述基板上的绝缘层；以及像素电极，位于所述绝缘层上包括透明导电层，其中所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成。

【技术特征摘要】
2011.06.27 KR 10-2011-00624281.一种有机发光二极管显示器，包括：基板；位于所述基板上的绝缘层；像素电极，位于所述绝缘层上包括透明导电层，其中所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成；以及位于所述像素电极上的有机发射层，其中所述多个凹孔位于与所述有机发射层重叠的位置。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个凹孔充当透镜。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述透明导电层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述蚀刻剂包括氟酸和氟化铵。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵小于35wt％。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述绝缘层包括氮化硅。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：有源层，利用半导体材料形成在所述基板和所述绝缘层之间；栅电极，设置在与所述绝缘层上的所述像素电极相同的层上，并且包括所述透明导电层和在所述透明导电层上的金属层；附加绝缘层，具有暴露所述像素电极的绝缘层开口，并且形成在所述绝缘层上以覆盖所述栅电极；源电极和漏电极，位于所述附加绝缘层上并且分别电连接至所述有源层；以及位于所述有机发射层上的公共电极。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素电极进一步包括金属层，所述金属层位于所述透明导电层的一部分上。9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中：所述金属层包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜的金属中的至少一种。10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料形成的第二电容器电极，所述第二电容器电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成虎，崔钟炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：