光电子器件阵列制造技术

光电子器件阵列包括多个封装件，每个封装件装有光电子器件，并且置于至少一行内。每个封装件与至少一个邻接的封装件重叠，并可能密闭地密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件阵列
技术介绍
光电子器件一般包含发光器件和光伏器件。这些器件一般包括夹在两个电极(有时称作前电极和后电极，典型地至少其中之一是透明的)之间的活动层(active layer)。活动层典型地包含一个或多个半导体材料。在发光器件(例如有机发光二极管(OLED)器件)中，施加在两个电极之间的电压引起流经活动层的电流。该电流引起活动层发光。在光伏器件(例如太阳能电池)中，活动层从光吸收能量并将其转换成电能，该电能生成两个电极之间的某个特性电压处的电流。光透射过OLED器件的至少一个电极。合适的透明电极的设计要求其提供面内导电性(优选材料的较厚的层)并且其提供通过其厚度的光透射(优选材料的较薄的层)。为解决电极设计上的这些相反约束，优选限制个别发光区域(像素)的大小，并从而限制横向流入电极平面的电流量。如果电流较小，则电极中的电阻损耗小并且由此引起的器件是有效率的。在一种情况下，像素由限定其周界的不发光的线来限定，并且电流汇集到这些区域。 在另一情况下，像素可以由限定其周界的点来限定，并且电流在这些点汇集到电极。在任一种情况下，不发光区域中断原本OLED的均匀的外观。在电流方向上的像素典型的最大尺寸在导致过度损耗和不均匀的外观之前为Icm量级。解决该问题的方式包含使不发光区域很小(增加制造过程的复杂性)或用扩散膜遮掩不发光区域(降低效率并增加成本)。因此，希望减小不发光区域的表面从而制作大的未中断区的光。更一般地，希望从个别像素配置大的照亮区的阵列并且提供设计灵活性。因此，希望在无序的阵列图案上以任意的顺序配置像素，以引进不同大小、形状、颜色和亮度以及间隔的像素，并且也能够在阵列中替换个别像素。
技术实现思路
简短地说，在一个方面中，本专利技术涉及阵列，该阵列包含安置于至少一行内的多个封装件，每个封装件装有光电子器件；每个封装件与至少一个邻接的封装件重叠。每个封装件可包含限定电活性区的边缘密封区；边缘密封区的至少一部分是透明的；每行内第一封装件的电活性区与邻接的封装件的边缘密封区的透明部分重叠；除了每行内的第一封装件之外的每个封装件的边缘密封区的透明部分与邻接的封装件的电活性区重叠；以及可选地，其中多个封装光电子器件配置为形成连续的发光区。在一些实施例中，每个封装件的边缘密封区的一部分是不透明的，并且行内的每个封装件的电活性区与邻接的封装件的边缘密封区的不透明部分重叠。该封装件可以是密闭地密封的。另一方面，本专利技术涉及装有光电子器件的封装件，该封装件包含限定电活性区的边缘密封区。边缘密封区的至少一部分是透明的并且该边缘密封区的一部分是不透明的，并且边缘密封区的不透明部分包含导电层，该导电层配置为经由多个端子将光电子器件的阳极和阴极连接至外部电源。可选地，电绝缘层放置在边缘密封区的不透明部分中的阳极和导电层之间，并且配置为将阳极从阴极电性隔离。在一些实施例中，阴极和阳极穿过边缘密封区的不透明部分延伸。该封装件可以是密闭地密封的。又一方面，本专利技术涉及具有无图案电极的光电子器件，该光电子器件包含透明导电氧化物，特别地为氧化铟锡。该器件可以另外包含直接放置在无图案(unpatterned)电极上的金属化层，并且配置为与无图案电极和电源电连通。附图说明本专利技术的这些和其它特征、方面以及优点将在参考附图并阅读下文的详细描述后变得更好理解，其中在通篇附图中类似的字符表示类似的部件，其中 图I是用于在本专利技术的阵列中使用的封装件的截面图。图2A和图2B是穿过本专利技术的照明阵列所使用的封装件的层的截面图。图3是根据本专利技术的示出重叠封装光电子器件的阵列的示意图。 图4是根据本专利技术的具有彼此正交地取向的封装光电子器件的阵列的示意图。图5是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为线性对准的封装光电子器件的单个行的阵列的示意图。图6是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为线性对准的封装光电子器件的两个行的阵列的示意图。图7是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为线性对准的封装光电子器件的单个行的阵列的示意图。图8是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为线性对准的封装光电子器件的两个行的阵列的示意图。图9是具有边缘密封区的两个不透明部分的封装件的示意图。图10是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为平行对准的封装光电子器件的单个行的阵列的示意图。图11是根据本专利技术的具有边缘密封区的不透明部分取向为平行对准的封装光电子器件的两个行的阵列的示意图。具体实施例方式图I是适用于在本专利技术的照明阵列中使用的光电子器件封装件10的截面图，图I示出了第一阻挡层(barrier layer) 110、第一电极 120、电活性层(electroactive layer)130、第二电极140、可选的衬底150以及第二阻挡层160。在没有呈现衬底150的实施例中，第二电极140可以直接地放置在第二阻挡层160上。粘性层170放置在第一阻挡层110和第一电极120之间以及第一阻挡层110和第二阻挡层160之间，形成边缘密封区180。在一些实施例中，第二电极140可以与衬底150共同延伸(coextensive),并且粘性层170可以部分放置在第二电极140上，形成边缘密封区180。在其它实施例中，衬底150可以与层160和180共同延伸。边缘密封区边缘密封区的几何形状设计为最小化水和氧的进入；形成第一和第二阻挡层110和160之间接合的粘性层170薄并且宽，因此提供优选的几何形状。选择粘性层170的粘性材料以提供衬底和背板(backsheet)之间的坚固接合，并且对于水分和氧的进入相对防渗。粘性剂不受水分影响并为化学惰性使其不使构成器件的材料，特别是电极和电活性层的材料变差。在粘性剂170延伸至超出发光区域的边缘密封区180的方面，其应为透明的。多种粘性剂，包含透明热塑性、压敏粘性剂、丙烯酸以及热固性环氧树脂和氨基甲酸酯是可能合适的。例如通过选择可以预应用于阻挡层的热封材料(例如，作为散射提供的Rohm和Haas Adcote 37T77)然后干燥来使能低成本材料和处理。通过短暂露出在适度的热量和压力(例如连续的辊层压过程)中，可以完成阻挡层到OLED器件的层压。当呈现衬底150时，将可选的粘性层190放置在第二电极140和第二阻挡层160之间。衬底150与第一和第二阻挡层110和160可以是不透明或透明的，尽管器件的至少一个表面，即第一阻挡层Iio或衬底150和/或第二阻挡层160是透明的，以使由器件10发射或吸收的光可以从电活性层130传递出来或传递至电活性层130。在一个示例中，衬底150是透明的并且包含玻璃或例如聚酯(PET，PEN)等塑料。每个阻挡层对于水分和氧是相对防渗的；适合作为阻挡层使用的透明材料包含玻璃和超高阻挡(UHB)膜，例如，转让给通用电气公司的US7, 015，640、US7，154，220和US7, 3 97，183中所描述的。金属箔适合用于不透明的阻挡层。第二电极140可以是阴极或阳极；在一些实施例中，第二电极140是阳极。特别地，第二电极140可以是包含氧化铟锡(ITO)的阳极。电活性层130是一个或多个层，该一个或多个层集体动作以发射(对于OLED器件)或吸收(对于PV器件)光，并且可包含空穴和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DS法库哈，MS赫措格，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：
国别省市：