发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，用以避免OLED的衰减。所述电路中，开关晶体管的源极连接列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接第一存储电容的第一端，第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；驱动晶体管的源极连接电源线的第一端，栅极连接第一存储电容的第一端，漏极连接OLED的第一端；第一补偿晶体管的源极连接第一存储电容的第一端，栅极连接发光控制线，漏极连接第二补偿晶体管的源极和OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接行扫描线，漏极连接OLED的第二端和电源线的第二端。所述显示装置包括上述发光器件的像素电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件的像素电路及驱动方法和显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
有源发光二极管显示器(AMOLED)的发光元件为有机发光二极管(0LED)，其发光亮度和提供给OLED器件的驱动电流的大小成正比，故为了实现最佳的显示效果，需要较大的驱动电流。而低温多晶硅背板技术，由于可以提供较高的迁移率，是AMOLED显示背板技 术的最佳选择。低温多晶硅技术固有的阈值电压漂移的问题，会造成像素电路产生的驱动电流的不均匀性，进而造成显示亮度的不均匀性。为了能有效补偿薄膜晶体管(TFT)阈值电压的漂移，在进行电路设计中常常引入补偿技术，从而获得较好的显示亮度均匀性。但是，OLED器件存在着自身的寿命问题，S卩电气性能会随着使用时间的增加而有所衰减。因此在使用过程中，在OLED器件上的电压降会有所增加，表现为，采用相同的驱动电压，却产生不同的驱动电流，造成OLED器件的亮度降低。又由于每个像素点上的OLED器件的性能不完全相同，因而造成各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同，最终导致显示亮度不均匀。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，用以实现对发光器件的像素电路中有机发光二极管OLED的衰减的补偿，从而避免由于各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同导致的显示亮度不均匀。本专利技术实施例提供的一种发光器件的像素电路，包括列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中，所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端；所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。一种发光器件的像素电路的驱动方法，包括以下步骤行扫描线信号有效且OLED发光控制线信号无效时，开关晶体管将导通，第一补偿晶体管将断开，第二补偿晶体管将导通；其中，开关晶体管导通，将列数据线信号电压写入到第一存储电容的第一端；第二补偿晶体管导通将OLED压降屏蔽，同时第一补偿晶体管断开；OLED发光控制线信号有效且行扫描线信号无效时，开关晶体管将断开，第一补偿晶体管将导通，第二补偿晶体管将断开；其中，第二补偿晶体管断开，第一补偿晶体管导通，将OLED压降引入第一存储电容的第一端和驱动晶体管的源极，源栅极电压满足驱动条件，驱动晶体管漏极输出恒定电流，驱动OLED发光。本专利技术实施例提供的一种显示装置，包括所述的发光器件的像素电路。本专利技术实施例提供的发光器件的像素电路、显示装置及驱动方法，解决了由于OLED电气性能衰减而造成的在其上的电压降不同的问题，从而解决了 OLED显示亮度不均匀的问题，提高了发光器件的显示均匀性。 附图说明图I为本专利技术实施例提供的一种发光器件的像素电路；图2为图I中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；图3为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的像素电路；图4为图3中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；图5为本专利技术实施例提供的再一种发光器件的像素电路；图6为图5中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；图7为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第一阶段的工作状态图；图8为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第二阶段的工作状态图；图9为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第三阶段的工作状态图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，用以实现对有源发光器件的像素电路中有机发光二极管OLED的衰减的补偿，从而避免由于各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同导致的显示亮度不均匀。下面结合附图和实施例对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。实施例I参见图1，本专利技术实施例提供的一种发光器件的像素电路，包括开关晶体管101、列数据线102、行扫描线103、第一存储电容104、电源线第一端105、驱动晶体管106、第一补偿晶体管107、0LED发光控制线108、第二补偿晶体管109、0LED110和电源线第二端111 ;和；其中，所述开关晶体管101的源极连接所述列数据线102，栅极连接所述行扫描线103，漏极连接所述第一存储电容104的第一端，所述第一存储电容104的第二端连接所述电源线第一端105 ；所述驱动晶体管106的源极连接所述电源线105的第一端，栅极连接所述第一存储电容104的第一端，漏极连接所述OLED 110的第一端；所述第一补偿晶体管107的源极连接所述第一存储电容104的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线108，漏极连接所述第二补偿晶体管109的源极和所述OLED 110的第一端，第二补偿晶体管109的栅极连接所述行扫描线103，漏极连接所述0LED110的第二端和所述电源线的第二端111。较佳地，所述驱动晶体管106为P型薄膜晶体管TFT，所述0LED110的第一端为OLEDl 10的阳极，所述OLEDl 10的第二端为OLEDl 10的阴极，所述电源线第一端105的电压VDD比所述电源线第二端111的电压VSS高。较佳地，所述开关晶体管101、第一补偿晶体管107和第二补偿晶体管109为P型或者N型薄膜晶体管TFT。 较佳地，所述第一存储电容104电容值的量级在10_13f。本专利技术实施例I提供的发光器件的像素电路的驱动方法如下参见图2，为上述有源发光器件的像素电路的控制信号时序图；参见图1，在第一阶段即t2阶段，也称为数据写入阶段。行扫描信号103为低电平则开关晶体管101打开，列数据线102提供的信号data写入该像素电路，则此时第一存储电容104的第一端Atl点的电压为Vdata，且该电压由第一存储电容104存储。与此同时第二补偿晶体管109也处于导通状态，则第一补偿晶体管107的漏极和第二补偿晶体管109的源极的连接点Btl点的电压为电源线第二端111的电压VSS，同时OLED发光控制线108提供的信号为高电平，则第一补偿晶体管关闭，避免了 OLED对第一存储电容104第一端A0点的电压的干扰，即驱动晶体管DTFT106栅极的电压为Vdata ；在t3阶段，也称为显示阶段。行扫描信号103跳变为高电平，开关晶体管101关闭，此时OLED发光控制线108提供的信号为低电平，第一补偿晶体管107导通，OLED 110器件上的电压降Voled被引入，则DTFT 106的源级电压为(Vdd-Voled)，同时Atl点的电压(Vss+Vdata-Voled)由第一存储电容104保持，即驱动晶体管DTFT 106的栅极电压，该电压确保DTFT 106工作在饱和区，则此时DTFT 106的漏极电流为Id = ^Cox{WlL^Vgs,DTFI\-\Vth\)2= — /jCox(W/L^Vd本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件的像素电路，其特征在于，该电路包括：列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中，所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端；所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的像素电路，其特征在于，该电路包括列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中， 所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端； 所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端； 所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。2.根据权利要求I所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第二存储电容，其第一端连接所述开关晶体管的漏极，第二端连接所述第一存储电容的第一端。3.根据权利要求I或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第三补偿晶体管，其源极连接所述驱动晶体管的漏极，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极。4.根据权利要求3所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述第三补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。5.根据权利要求I或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括初始化晶体管、初始化线和参考电源； 所述初始化晶体管的源极连接所述参考电源，栅极连接所述初始化线第一端，漏极连接所述第一存储电容的第一端；所述初始化线第二端连接信号发生器，提供初始化信号，用以电路状态的初始化。6.根据权利要求5所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述初始化晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。7.根据权利要求I或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第四补偿晶体管，所述第四补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，源极连接所述驱动晶体管的栅极，漏极连接所述驱动晶体管的漏极，用于向第一存储电容预先存入所述驱动晶体管的阈值电压。8.根据权利要求4所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述第四补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。9.根据权利要求I所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管为P型薄膜晶体管TFT，所述OLED的第一端为OLED的阳极，所述OLED的第二端为OLED的阴极，所述电源线第一端的电压比所述电源线第二端的电压高；或者， 所述驱动晶体管为N型薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：