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一种硅基隧道磁阻效应微陀螺制造技术

技术编号:8160121 阅读:266 留言:0更新日期:2013-01-07 18:48
本发明专利技术公开了一种硅基隧道磁阻效应微陀螺,包括:键合基板;垫衬框体,垫衬框体设在键合基板上方并与键合基板相连接;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设在键合基板与垫衬框体组合形成的矩形凹槽的中心位置;和微陀螺,微陀螺设在垫衬框体的上方并与垫衬框体相连接,且微陀螺包括:对应设在矩形凹槽上方的敏感质量块,敏感质量块上表面设有巨磁敏电阻且巨磁敏电阻与铁磁性薄膜位置对应。巨磁敏电阻层可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动。根据本发明专利技术的微机械陀螺仪采用整体结构设计,结构合理、紧凑,检测电路简单,使用方便、可靠性好、适合微型化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微惯性导航技术相关领域,具体而言,涉及一种硅基隧道磁阻效应的微机械陀螺仪。
技术介绍
目前,微机械陀螺仪常用的检测方式是电容式和压阻式,压阻式是基于高掺杂硅的压阻效应原理实现的,高掺杂硅形成的压敏器件对温度有较强的依赖性,其由压敏器件组成的电桥检测电路也会因温度变化引起灵敏度漂移;电容式精度的提高是利用增大电容面积,由于器件的微小型化,其精度因有效电容面积的缩小而难以提高。微机械陀螺仪对角速度的测量是靠检测装置实现力电转换来完成的,其灵敏度、 分辨率是十分重要的,由于陀螺仪微型化和集成化,检测的敏感区域随之减小,故而使检测的灵敏度、分辨率等指标已达到敏感区域检测的极限状态,从而限制了陀螺仪检测精度的进一步提高,很难满足现代军事、民用装备的需要。隧道磁阻效应基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结(MTJ,Magnetic TunnelJunction)。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机械陀螺仪,其特性在于,包括:键合基板;垫衬框体,垫衬框体设在键合基板上方并与键合基板相连接;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设在键合基板与垫衬框体组合形成的矩形凹槽的中心位置。此铁磁性薄膜非必须结构,该结构可以用外部磁体加以代替;微陀螺,所述的微陀螺设在所述的垫衬框体上方,并且与垫衬框体粘结牢固,且微陀螺包括对应设在所述矩形凹槽上方的敏感质量块,敏感质量块上表面设有巨磁敏电阻、巨磁敏电阻引出线、反馈导线,并且表面均布通孔阻尼孔;且巨磁敏电阻与所述铁磁性薄膜位置对应。巨磁敏电阻可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动;敏感质量块左、右两侧边缘均匀分布有驱动梳齿。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李孟委李锡广刘俊刘双红王莉石云波
申请(专利权)人:中北大学
类型:发明
国别省市:

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