一种簇状硫化铟材料的制备方法技术

一种簇状硫化铟材料的制备方法，属于无机材料的制备技术领域。本发明专利技术以氯化铟和硫脲分别作为铟源和硫源并通过添加柠檬酸作为络合剂，在中性或者碱性条件下进行水热反应，大量的铟粒子与柠檬酸形成络合物，形成的络合物与硫脲发生反应形成簇状硫化铟产物。这种簇状硫化铟材料由厚度为25nm左右的纳米薄片组成簇状，晶型结构为缺陷尖晶石。本发明专利技术原料无毒无害、不需要还原剂、不需要表面活性剂、不需要煅烧处理。本发明专利技术提供的簇状硫化铟材料的制备方法在均一溶液中进行，可以按比例放大，反应体系简单，不需要硬模板，而且不需要很高的反应温度，所制备的材料可以用在燃料电池、电化学传感器及光电功能材料等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机材料的制备
，具体涉及由纳米片组成的簇状硫化铟材料的制备方法。
技术介绍
硫化铟是一类重要的半导体材料，具有特殊的光电、光致发光等性能，在燃料电池、电化学传感器及光电功能材料等领域有很大的应用价值。In2S3有3种不同的缺陷结构a -In2S3 (缺陷立方)，β -In2S3 (缺陷尖晶石，以立方或四方的结构形式存在)和Y-In2S3(层状六方)。β -In2S3是一种N型半导体，禁带宽度为2. 0(T2. 30eV,是典型的III VI族硫化物。它是一种很有应用潜力的光电材料，由于其光电特性及荧光性能，已经作为绿色和红色无机发光材料应用于彩电显像管、光伏发电机中。硫化铟同样应用于Cu (In，Ga) Se2太阳能电池中，作为缓冲层，有效的替代了有毒的CdS。据报道，用P-In2S3作为缓冲层材料太阳能电池的光电转换率达16. 4%，这个结果非常接近标准的CdS缓冲层的光电转换率。有关β -In2S3的合成方法已经有很多的报道。如金属有机化合物单一来源前驱体的热分解、沉淀法、激光诱导合成、微波合成路线、声化学方法等等各种形貌的城纳米材料也已经得到制备，如纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种簇状硫化铟材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：配制水热反应体系；首先配制摩尔浓度为0.2mol/L的氯化铟水溶液，然后按照每升氯化铟水溶液加入0.5～1mol的柠檬酸和5～10mol的硫脲，搅拌均匀，得到水热反应体系；步骤2：水热反应；将步骤1所配制的水热反应体系转入聚四氟乙烯内衬的水热釜中，150～200℃下水热反应12～36小时，生成橙红色沉淀；步骤3：后处理；将步骤2水热反应所生成的橙红色沉淀过滤，用去离子水和酒精洗涤，80℃下烘干，得到簇状硫化铟材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志杰，祖小涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：