电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法技术

本发明专利技术提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织，通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生，可减少电镀不良。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如在进行使用焦磷酸铜浴的电解铜电镀时，防止在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒产生的电解铜电镀用高纯度铜阳极及其制造方法，进ー步地，涉及可減少因颗粒产生引起的电镀不良的使用高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。本申请基于2010年3月30日向日本申请的日本特愿2010-077215号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
目前，在印刷电路板的通孔电镀等中使用的在焦磷酸浴中进行的电解铜电镀中， 镀铜用阳极电极使用高纯度铜。然而，在上述电解铜电镀中，阳极溶解时在电极表面产生以铜粉或金属盐为主要成分的残渣，并从阳极电极剥离而流到浴中。该流到浴中的残渣附着在阴极电极表面，存在容易产生突起等电镀不良的问题。因此，作为解决这种问题的方法，例如专利文献I所示，公开了使用规定了阳极所含的氧含量的同时规定了阳极电极的结晶粒度的纯铜阳极的电解铜电镀。此外，作为其它解决方案，例如专利文献2所示，还已知通过对高纯度铜锭进行热锻-冷加工-去应变退火，使用将晶粒微细化的纯铜作为阳极的电解铜电镀。专利文献I :日本专利第4011336号说明书专利文献2 :日本特开2001-240949号公报现有的使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.30 JP 2010-0772151.一种电镀用高纯度铜阳极，其特征在于，具有满足下述关系的晶界组织，即， 当(a)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，将邻接的晶粒彼此的取向差为15°以上的晶粒的界面作为晶界，对测定范围中的晶界的全部晶界长度L进行测定，求出将该全部晶界长度换算为每Imm2单位面积的单位全部晶界长度Ln， (b)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，确定相互邻接的晶粒的界面构成特殊晶界的晶界位置，并测定特殊晶界的全部特殊晶界长度L σ，将该全部特殊晶界长度换算为每Imm2单位面积来求出单位全部特殊晶界长度L σ N时， (c)所述测定的晶界的单位全部晶界长度Ln与同样进行所述测定的特殊晶界的单位全部特殊晶界长度L σ N的特殊晶界长度比率L σ n/Ln满足L σ n/Ln彡O. 35的关系。2.根据权利要求I所述的电镀用高纯度铜阳极，平均结晶粒径为3 1000μπι。3.—种权利要求I或2所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，其特征在于，对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变之后，在25(T90...

【专利技术属性】
技术研发人员：中矢清隆，喜多晃一，熊谷训，加藤直树，渡边真美，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：
国别省市：