Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶技术

本发明专利技术提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明专利技术将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种在形成CIGS (Cu 一 In — Ga — Se四元系合金)太阳能电池的光吸收层时使用的Cu — Ga合金粉末的制造方法和Cu — Ga合金粉末、以及Cu — Ga合金派射革巴的制造方法和Cu — Ga合金派射革巴。本申请基于在日本国于2010年4月9日申请的日本专利申请号特愿2010 —090475和在日本国于2010年8月24日申请的日本专利申请号特愿2010 — 187160主张优先权，并通过參照上述申请，援引在本申请中。
技术介绍
近年来，作为绿色能源，太阳光发电备受关注，并主要是在使用結晶系Si的太阳能电池，但由于在供给方面和成本上存在问题，转换效率高的CIGS (Cu 一 In — Ga — Se四兀系合金)系太阳能电池越来越受人关注。作为CIGS太阳能电池的基本结构，具有形成于钠钙玻璃基板上并作为背电极的Mo电极层；形成于该Mo电极层上并作为光吸收层的Cu — In — Ga — Se四兀系合金膜；在由该Cu — In — Ga — Se四元系合金膜构成的光吸收层上形成并包含ZnS、CdS等的缓冲层；以及在该缓冲层上形成的透明电极。作为由Cu —本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.09 JP 2010-090475;2010.08.24 JP 2010-187161.ー种Cu — Ga合金粉末的制造方法，其特征在于， 将以85 :15 55 45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30 700°C的温度加以搅拌，从而进行合金化。2.如权利要求I所述的Cu— Ga合金粉末的制造方法，其特征在干， 在非活性气体环境中以30°C以上且低于400°C的温度搅拌所述混合粉末，在所述Cu粉末的表面形成Cu — Ga ニ兀系合金层。3.如权利要求I所述的Cu— Ga合金粉末的制造方法，其特征在干， 在非活性气体环境中以400°C以上且700°C以下的温度搅拌所述混合粉末，在所述Cu粉末的内部形成Cu — Ga ニ元系合金。4.如权利要求I所述的Cu— Ga合金粉末的制造方法，其特征在干， 在非活性气体环...

【专利技术属性】
技术研发人员：森本敏夫，高桥辰也，安东勋雄，小向哲史，高木正德，佐藤惠理子，南浩尚，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：
国别省市：