高纯铟制备方法技术

本发明专利技术涉及高纯铟制备方法，其包括酸浸，原料铟浸入稀硫酸中，除去表面的氧化物；测定，将原料铟从稀硫酸中取出、洗净并干燥，利用光度计测定原料铟中杂质及含量；杂质包括铜、锡、砷、锌、铊、铅、铁、镉、铝；熔炼除杂，将经除杂处理的原料铟熔炼，脱除杂质锡、铊、镉。本发明专利技术首先通过熔炼主要除去难以电解的与铟化学电位接近的杂质锡、铊、镉，降低锡、铊、镉的含量，然后通过二次电解进一步降低铜、锡、砷、锌、铊、铅、铁、镉、铝等的含量，使得高纯铟达到5N以上的纯度，满足使用需求；且本发明专利技术操作简单，可避免产生有毒气体，污染环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及冶金领域，具体说是ー种。
技术介绍
高纯铟在半导体制造方面有着广泛用途，用于制备半导体化合物。在制备铟基半导体化合物时，对铟的纯度要求很高，须采用5N以上纯度的高纯铟。由于金属铟在地壳中极为分散，没有独立的エ业矿物，大多是源于锌、锡、铜等冶炼エ业的回收，用这些原料制备的铟含有较多的铜、锡、神、锌、铊、铅、铁、镉、铝等杂质，而杂质对铟的性能影响很大，因此 须对铟进行提纯。目前，常用的金属铟提纯エ艺是将原料铟电解，然后通过熔炼获得高纯铟，但这种方法获得高纯铟的纯度不够高，远远达不到使用需求，且其提纯过程较复杂，提纯过程可能产生毒气。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术提供ー种纯度达到5N以上、操作简单且可避免产生有毒物质的。本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案为，其包括以下步骤 (O酸浸，原料铟浸入稀硫酸中，除去表面的氧化物； (2)測定，将原料铟从步骤(I)的稀硫酸中取出、洗净并干燥，利用光度计测定原料铟中杂质及含量； (3)熔炼除杂，将经步骤(2)处理的原料铟熔炼，脱除杂质锡、铊、镉； (4)一次电解，以经步骤(3)处理后的原料铟作为阳极、钛板作为阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
高纯铟制备方法，其特征包括以下步骤：（1）酸浸，原料铟浸入稀硫酸中，除去表面的氧化物；（2）测定，将原料铟从步骤（1）的稀硫酸中取出、洗净并干燥，利用光度计测定原料铟中杂质及含量；（3）熔炼除杂，将经步骤（2）处理的原料铟熔炼，脱除杂质锡、铊、镉；（4）一次电解，以经步骤（3）处理后的原料铟作为阳极、钛板作为阴极，在以硫酸铟为电解液的电解槽内进行电解，电解后钛板上析出金属铟；（5）二次电解，以步骤（4）的金属铟作为阳极，钛板作为阴极，在以硫酸铟为电解液的电解槽内进行电解，得到高纯铟。

【技术特征摘要】
1.高纯铟制备方法，其特征包括以下步骤 (1)酸浸，原料铟浸入稀硫酸中，除去表面的氧化物； (2)测定，将原料铟从步骤(I)的稀硫酸中取出、洗净并干燥，利用光度计测定原料铟中杂质及含量； (3)熔炼除杂，将经步骤(2)处理的原料铟熔炼，脱除杂质锡、铊、镉； (4)一次电解，以经步骤(3)处理后的原料铟作为阳极、钛板作为阴极，在以硫酸铟为电解液的电解槽内进行电解，电解后钛板上析出金属铟； (5)二次电解，以步骤(4)的金属铟作为阳极，钛板作为阴极，在以硫酸铟为电解液的电解槽内进行电解，得到高纯铟。2.根据权利要求I所述的高纯铟制备方法，其特征在于将所述步骤(3)的原料铟置于坩埚中，并加入浓度为5%的碘化钾的甘油溶液，加热至180°C熔炼30分钟，脱除杂质镉。3.根据权利要求I所述的高纯铟制备方法，其特征在于将所述步骤(3)的原料铟置于坩埚中，并加入浓度为15%的氯化铵和氯化锌的甘油溶液，加热至22...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁义，何焕全，韩洪涛，
申请(专利权)人：广西德邦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：