一种吸收电容结构制造技术

本实用新型专利技术是一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。使用时，将本实用新型专利技术的端子分别与IGBT对应的管脚直接连接，形成本实用新型专利技术与IGBT直接并联的结构。本实用新型专利技术的有益效果是，将电容做一体化设计，通过内部封装，引出与IGBT管脚一一对应的端子，直接并联在IGBT的模块上，具有装配方便，同时电容与IGBT模块等高，可以很方便地固定在IGBT模块的散热器上，有利于器件的散热，降低吸收电容的温升，有效地提高吸收电容的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及吸收电容器，特别是一种应用在桥式逆变回路上的一体化吸收电容结构。
技术介绍
商用电磁炉通常采用半桥或全桥逆变拓扑结构，在高频逆变过程中为了实现开关器件的软开关，通常需要增加吸收电容做缓冲电路，以降低关断时刻的开关损耗。由于处于高的关断电流条件下，吸收电容自身发热严重。现有的吸收电容通常为分立结构，吸收电容 与IGBT的CE极比较远，引脚比较长，杂散电感较大，吸收效果比较差；另外由于受到IGBT封装模块的影响，吸收电容安装不方便。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述现有的问题而提供一种吸收电容结构，可以降低引脚的杂散电感，提高吸收电容的吸收效果，同时提高系统的可装配性，降低吸收电容的温度，增加吸收电容的可靠性。实现本技术目的的技术方案是一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。上述吸收电容包括第一电容芯子、第二电容芯子、第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子通过焊点与第一电容芯子的下端面相连；第二端子通过焊点与第二电容芯子的下端面相连；第三端子分别通过焊点与第一电容芯子的上端面、第二电容芯子上端面相连。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。

【技术特征摘要】
1.一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。2.根据权利要求I所述的吸收电容结构，其特征在于，所述电容包括第一电容芯子(14)、第二电容芯子(15)、第一端子(11)、第二端子(12)和第三端子(13)，所述第一端子(11)通过焊点(143)与第一电容芯子(14)...

【专利技术属性】
技术研发人员：金红旗，李彦栋，黎捷勇，
申请(专利权)人：美的集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：