【技术实现步骤摘要】
本技术涉及吸收电容器,特别是一种应用在桥式逆变回路上的一体化吸收电容结构。
技术介绍
商用电磁炉通常采用半桥或全桥逆变拓扑结构,在高频逆变过程中为了实现开关器件的软开关,通常需要增加吸收电容做缓冲电路,以降低关断时刻的开关损耗。由于处于高的关断电流条件下,吸收电容自身发热严重。现有的吸收电容通常为分立结构,吸收电容 与IGBT的CE极比较远,引脚比较长,杂散电感较大,吸收效果比较差;另外由于受到IGBT封装模块的影响,吸收电容安装不方便。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述现有的问题而提供一种吸收电容结构,可以降低引脚的杂散电感,提高吸收电容的吸收效果,同时提高系统的可装配性,降低吸收电容的温度,增加吸收电容的可靠性。实现本技术目的的技术方案是一种吸收电容结构,其特征在于,其为两个一体化封装结构的电容,且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。上述吸收电容包括第一电容芯子、第二电容芯子、第一端子、第二端子和第三端子,所述第一端子通过焊点与第一电容芯子的下端面相连;第二端子通过焊点与第二电容芯子的下端面相连;第三端子分别通过焊点与第一电容芯子的上端面、第二电容芯子上端面相连。上述吸收电容通过填充物灌封于电容外壳中,所述端子从电容外壳中弓I出。使用时,将本技术的第一端子、第二端子、第三端子分别与IGBT的三个管脚直接连接,形成本技术与IGBT直接并联的结构。本技术的有益效果是,将电容模块做一体化设计,通过内部封装,引出与IGBT管脚一一对应的三根端子,直接并联在IGBT的模块上,具有装配方便,同时电容与IGBT模块等高,可以很方便地固定在IGBT模块 ...
【技术保护点】
一种吸收电容结构,其特征在于,其为两个一体化封装结构的电容,且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。
【技术特征摘要】
1.一种吸收电容结构,其特征在于,其为两个一体化封装结构的电容,且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。2.根据权利要求I所述的吸收电容结构,其特征在于,所述电容包括第一电容芯子(14)、第二电容芯子(15)、第一端子(11)、第二端子(12)和第三端子(13),所述第一端子(11)通过焊点(143)与第一电容芯子(14)...
【专利技术属性】
技术研发人员:金红旗,李彦栋,黎捷勇,
申请(专利权)人:美的集团有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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