成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备技术

本发明专利技术是成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备，所述成型体的特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层，且在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下。根据本发明专利技术，可以提供阻气性、透明性和耐弯折性优异的成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件、和具有该电子设备用构件的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备。
技术介绍
一直以来，塑料薄膜等高分子成型体由于价格低廉、加工性优异，因此可以赋予所需的功能，在各种领域中应用。例如对于食品、药品的包装用薄膜，为了抑制蛋白质、油脂等的氧化、变质，而保持味道、鮮度，可以使用防止水蒸气、氧的透过的阻气性的塑料薄膜。另外，近年来，对于液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，人们对于使用透明塑料薄膜代替玻璃板来作为具有电极的基板进行了研究。但是，塑料薄膜与玻璃板相比，存在容易透过水蒸气或氧等，显示器内部的元件容 易劣化的问题。为解决该问题，专利文献I中提出了在透明塑料薄膜上层叠由金属氧化物构成的透明阻气层的挠性显示器基板。但是，该文献记载的挠性显示器基板由于是在透明塑料薄膜表面上利用蒸镀法、离子镀敷法、溅射法等叠层了由金属氧化物形成的透明阻气层的基板，因此在将该基板卷起或弯折时，存在阻气层产生裂纹，阻气性降低的问题。另外，专利文献2中公开了塑料薄膜、和在该塑料薄膜的至少一面上叠层以聚有机硅倍半氧烷为主成分的树脂层而成的阻气性叠层体。但是，为了得到氧、水蒸气等的阻气性，需要进而叠层无机化合物层，从而存在エ序繁杂，花费成本，或具有使用具有毒性的气体的危险性等的问题。专利文献3公开了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜，对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理来制造阻气性薄膜的方法。但是，在该方法中，存在如果不使阻气层的厚度为微米级别，就不能得到充分的阻气性能的问题。现有技术文献 专利文献 专利文献I :日本特开2000 — 338901号公报 专利文献2 :日本特开2006 — 123307号公报 专利文献3 :日本特开2007 — 237588号公报。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述现有技术而作出的专利技术，其目的在于提供阻气性、透明性和耐弯折性优异的成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件、和具有该电子设备用构件的电子设备。本专利技术人等为解决上述课题进行了深入地研究，结果发现通过在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中注入离子，可以简便且高效地制造目标成型体，从而完成了本专利技术。这样根据本专利技术的第I专利技术，提供了下述(I) (6)的成型体。(I)成型体，其特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层，且在40°C、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6. Og/m2/天以下。(2)如(I)所述的成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中注入离子而得到的层。(3)如(2)所述的成型体，其特征在于，上述离子是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少ー种的气体进行离子化而成的物质。(4)如(2)或(3)所述的成型体，其特征在于，具有在上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中，通过等离子体离子注入将离子注入而得到的层。 (5)如(I)或(2)所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物为全氢化聚硅氮烷。(6)如(I)或(2)所述的成型体，其特征在于，上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中的粘土矿物的含量，以聚硅氮烷化合物和粘土矿物的总量作为100质量％计，为O. 01质量％ 10质量％。根据本专利技术的第2专利技术，提供下述(7) (10)的成型体的制造方法。(7)如(2)所述的成型体的制造方法，其具有下述步骤在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的表面部注入尚子。(8)如(7)所述的成型体的制造方法，其具有下述步骤在具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的表面部的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的表面部，将选自氢、氮、氧、氩、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烃中的至少ー种的气体进行离子注入。(9)如(7)或(8)所述的成型体的制造方法，其特征在于，上述离子注入的步骤是等离子体离子注入的步骤。(10)如(2)所述的成型体的制造方法，其特征在于，一边将在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中注入离子。根据本专利技术的第3专利技术，提供了下述(11)的电子设备用构件。(11)电子设备用构件，其包含(I)或(2)所述的成型体。根据本专利技术的第4专利技术，提供了下述(12)的电子设备。(12)电子设备，其具有(11)所述的电子设备用构件。专利技术的效果 本专利技术的成型体具有优异的阻气性、透明性和耐弯折性。本专利技术的成型体可以适合用作挠性的显示器、或太阳能电池等的电子设备用构件(例如太阳能电池背板)。根据本专利技术的制造方法，可以简便且高效地制造具有优异的阻气性、透明性、耐弯折性的本专利技术的成型体。另外，与将无机膜作为阻气膜成膜的成型体相比，可以由低的成本容易地实现大面积化。本专利技术的电子设备用构件具有优异的阻气性、透明性和耐弯折性等，因此可以适合用于显示器、太阳能电池等的电子设备。附图的说明 图I是表示本专利技术中使用的等离子体离子注入装置的简要构成的图。图2是表示本专利技术中使用的等离子体离子注入装置的简要构成的图。具体实施例方式以下分成I)成型体、2)成型体的制造方法、以及3)电子设备用构件和电子设备的项目，详细说明本专利技术。I)成型体 本专利技术的成型体的特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层(以下有时称为“粘土矿物等含有层”)，在40°C、相対湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6. Og/m2/天以下。本专利技术中使用的聚硅氮烷化合物是在分子内具有含有一 Si — N —键(硅氮烷键)的重复单元的高分子化合物。具体来说，优选是具有式(I)所示的重复单元的化合物， 权利要求1.成型体，其特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层，且在400C、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6. Og/m2/天以下。2.权利要求I所述的成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中注入离子而得到的层。3.权利要求2所述的成型体，其特征在于，上述离子是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种的气体进行离子化而成的物质。4.权利要求2或3所述的成型体，其特征在于，具有在上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中，通过等离子体离子注入法将离子注入而得到的层。5.权利要求I或2所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物为全氢化聚硅氮烧。6.权利要求I或2所述的成型体，其特征在于，上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层中的粘土矿物的含量，以聚硅氮烷化合物和粘土矿物的总量作为100质量％时，为O. 01质量％ 10质量％。7.权利要求2所述的成型体的制造方法，其具有下述步骤在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的表面部注入尚子。8.权利要求7所述的成型体的制造方法，其具有下述步骤在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土矿物的层的表面部，将选自氢、氮、氧、氩、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烃中的至少一种的气体进行离子注入。9.权利要求7或8所述的成型体的制造方法，其特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩屋涉，近藤健，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：
国别省市：