单粒子瞬态脉冲宽度测量电路制造技术

本发明专利技术公开单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括单粒子脉冲信号产生电路（103）及至少一级测量电路；由双稳态电路构成测量电路的第一级；从测量电路的第二级开始，每一级电路包括延迟电路、逻辑门电路和双稳态电路；其中第二级电路中，延迟电路的输入信号是待测信号；逻辑门电路的输入信号是该延迟电路的输出信号和第一级双稳态电路的输出信号；逻辑门电路输出信号是本级双稳态电路的输入信号；从第三级电路开始：各级延迟电路输入信号是上一级逻辑门电路的输出信号；逻辑门电路的输入信号是本级延迟电路的输出信号和上一级双稳态电路的输出信号；本级逻辑门电路的输出信号是本级双稳态电路的输入信号。本发明专利技术可测的脉冲宽度范围大，测量精度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电脉冲宽度测量
，特别涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路。
技术介绍
随着航天、军事等领域技术的发展，越来越多的集成电路需要在辐射环境下工作。辐射对集成电路的效应主要分为两大类单粒子效应和总剂量效应，总剂量效应是集成电路长期处在辐射环境中，辐射效果积累所产生的效应，单粒子效应是辐射能量粒子进入集成电路后，辐射效果即时作用所产生的效应。其中单粒子效应可细分为三类I、单粒子软错误效应包括单粒子反转效应，单粒子瞬变效应，单粒子多翻转效应等，在短时间内对电路节点产生干扰。2、具有潜在危险性的效应如单粒子闩锁效应，如不加以控制，可能会导致芯片发生单粒子烧毁。3、单粒子硬错误效应，如位移损伤等，会使得芯片中的晶体管彻底不能工作。其中，单粒子瞬变效应是常见的影响芯片性能的主要因素，当芯片放置在有辐射的环境中，周围能量粒子会注入到芯片内部，通过电离辐射能量粒子的运动轨迹上产生一定数目的电子、空穴对，它们在电场的作用下被电路节点吸收，改变节点电平，如果没有反馈回路，那么当单粒子作用的时间结束后，该节点电平又会恢复回原来的值，从而在电路中产生一个脉冲信号。对于单粒子效应进行研究与加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，其特征在于：包括单粒子脉冲信号产生电路（103）及至少一级测量电路；所述单粒子脉冲信号产生电路（103）产生待测单粒子脉冲信号；其中，由待测单粒子脉冲信号直接驱动的双稳态电路（100）构成测量电路的第一级；从测量电路的第二级开始，每一级电路分别包括延迟电路（101）、逻辑门电路（102）和双稳态电路（100）；其中在第二级电路中，延迟电路（101）的输入信号是待测信号；逻辑门电路（102）的输入信号是该延迟电路（101）的输出信号和第一级双稳态电路（100）的输出信号；逻辑门电路（102）的输出信号是本级双稳态电路（100）的输入信号；从第三级电路开始：各级所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宿晓慧，毕津顺，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：