一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件制造技术

本实用新型专利技术属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。本实用新型专利技术通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术属于半导体试验测试
，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。本技术通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。【专利说明】一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件
本技术涉及半导体试验测试
，特别涉及一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件。
技术介绍
功率VDMOS器件是垂直导电的双扩散功率器件，具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、热稳定性好等特点，同时它还具有负的温度系数，没有双极晶体管所谓的二次击穿，这些优点使得功率VDMOS器件在航天空间
有着很好的应用前景。空间使用的电子元器件必须具备良好的抗辐照能力，因此在地面需要对器件的抗辐照性能进行评估，从而保证器件在空间使用时的高可靠性。目前，国内在地面评估器件抗SEE能力的装置主要有两台，一台是中国原子能研究院的H1-13串列静电加速器，另一台是中国科学院近代物理所的重离子加速器。功率VDMOS器件在空间使用时易发生SEB效应或SEGR效应，在地面进行单粒子辐照试验时粒子需要穿透器件外延层，而一般功率器件的外延层较厚，因此试验时要选择高能量、高射程的粒子。原子能研究院的H1-13串列静电加速器能量较低，粒子的入射深度较浅，不用作功率VDMOS器件的单粒子考核试验。对于功率VDMOS器件单粒子辐照试验，选择中科院近代物理所的重离子加速器，但试验费用高、机时紧张，每年只有大约10小时左右的机时用于功率VDMOS单粒子辐照试验，严重影响了产品的研制周期。激光脉冲模拟单粒子效应试验方法为一种很好的替代方法，目前，对金属表贴封装的功率VDMOS器件进行激光脉冲试验时，都是对器件开冒后，对芯片的正面进行激光脉冲试验，通过单粒子效应评价VDMOS器件抗辐射性能；但是由于管壳外延层较厚，造成单粒子损伤，无法准确评估VDMOS器件的单粒子损伤；同时，对器件的正面进行开冒，背面由于和管壳电极连接，开帽较复杂。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种匹配单粒子激光脉冲试验，更好的模拟VDMOS器件的单粒子效应的功率VDMOS器件。为解决上述技术问题，本技术提供了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括=VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳上，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。进一步地,所述通孔的直径范围是2?4mm。本技术提供的用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件通过在VDMOS器件的管壳背面设置通孔，激光脉冲直接穿过背面通孔投射到VDMOS芯片的背面实现双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应，提高VDMOS管功率芯片抗辐射评估精度；避免激光脉冲正面投射造成单粒子在外延层的损失影响VDMOS管功率芯片的单粒子损伤评估。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例提供的用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件的管壳结构示意图；其中，1-漏极，2-栅极，3-源极，4-通孔。【具体实施方式】参见图1，本技术实施例提供的一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件包括=VDMOS芯片以及表贴管壳；VDM0S芯片封装在表贴管壳内；在表贴管壳上，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔，大大降低了外延层对单粒子激光脉冲的阻碍损伤；当执行单粒子激光脉冲试验时直接穿过表贴管壳背面的通孔，将激光脉冲投射到VDMOS芯片的背面，高精度的表征单粒子通过VDMOS芯片使得损伤，从而准确评估VDMOS芯片的看辐射能力。鉴于VDMOS器件管壳上通孔设置的位置，对应的是VDMOS芯片的漏极，为了避免VDMOS芯片的漏极管脚与管壳管管脚的焊接可靠性过低，通孔的大小须作出限制；同时为了保持激光脉冲的顺利投射，通孔不宜过小；优选的，所述通孔的直径范围是2?4_。本技术通过在VDMOS器件管壳的背面漏极位置开设通孔，保证单粒子激光脉冲能够无损伤的投射到VDMOS芯片的背面，从而通过单粒子通过VDMOS芯片时的损伤情况，准确评估VDMOS芯片的抗辐射能力；相对于正面投射外延层的干扰，本结构能够更好的配合单粒子激光脉冲模拟VDMOS器件的单粒子效应，从而准确的实现VDMOS芯片的抗辐射能力评估。同时VDMOS芯片的背面相较与正面更为敏感，能够大大提升单粒子效应的效果，提升评估精度；相对于开冒操作，本结构也简化了试验操作。最后所应说明的是，以上【具体实施方式】仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照实例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。【权利要求】1.一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；其特征在于，包括=VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。2.如权利要求1所述的用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件，其特征在于:所述通孔的直径范围是2?4_。【文档编号】H01L29/78GK203588990SQ201320739599【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2013年11月20日 【专利技术者】高博, 丁凯凯, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 张彦飞, 孙博韬 申请人:中国科学院微电子研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；其特征在于，包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高博，丁凯凯，刘刚，王立新，韩郑生，张彦飞，孙博韬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：