多芯片集成电路制造技术

一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术概括关于集成电路，且更特别关于由多个晶粒(die)来制造大的集成电路。
技术介绍
针对于已知的节点技术,增大集成电路(IC, integrated circuit)尺寸典型提高可在芯片(chip)所纳入的功能性。不幸的是，缺陷经常随着芯片面积而按比例增减。大的芯片是相较于较小芯片者而更有可能纳入缺陷。缺陷影响良率，且良率损失经常随着增大芯片尺寸而提高。已经开发种种技术以提供大IC至期望良率程度。 提供大IC的一种方式是从在硅置入件上的多个较小IC(晶粒)来构成大1C。硅置入件是本质为基板，在硅置入件已经处理以提供金属接线与接点之后，晶粒是覆晶式接合到硅置入件。举例来说，如通称为“后端处理”，硅晶圆是经制造以形成一或多个硅置入件，其具有连接到通孔的数个图型化金属层与中间绝缘层。习知之导电通孔通过绝缘层而与图型化金属层连接在一起，且晶粒是以微凸块阵列而物性地且电性地连接到置入件。这些图型化金属层提供对IC晶粒的高密度互连图型(pattern)。硅置入件是将细间距的晶粒连接到置入件相对面上的较粗的凸块阵列，且提供在晶粒之间的互连。导电贯穿娃通孔(TSV, through-sil本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿利弗·瑞曼，帆特桑·穆拉立，
申请(专利权)人：吉林克斯公司，
类型：发明
国别省市：