具有错误校正的复合半导体存储设备制造技术

技术编号:8049372 阅读:189 留言:0更新日期:2012-12-07 02:48
一种复合半导体存储设备,其包括:多个非易失性存储设备;以及接口设备,其连接到所述多个非易失性存储设备并用于连接到存储控制器,该接口设备包括纠错编码(ECC)引擎。另外,一种存储系统,其包括:存储控制器;以及至少一个复合半导体存储设备,其被配置为由所述存储控制器写入和读取并包括内置纠错编码(ECC)引擎。另外,一种存储系统,其包括:复合半导体存储设备,其包括多个非易失性存储设备;以及存储控制器,其连接到至少一个复合半导体存储设备,用于向复合半导体存储设备发布读取和写入命令,以促使数据被写入所述非易失性存储设备中的特定一些或者被从所述非易失性存储设备中的特定一些中读取;该复合半导体存储设备提供数据的无错误写入和读取。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有错误校正的复合半导体存储设备
技术介绍
诸如数字音频/视频播放器、蜂窝电话、便携式通用串行总线(USB)驱动和固态驱动(SSD)之类的消费者电子设备的数据存储需要已经明显增长了。结合了闪存(一般称为闪存设备)的非易失性半导体存储设备能够以相对低的成本来满足该密度需求。目前,有两种主要类型的闪存,即NOR闪存和NAND闪存,而且在这两种闪存中,NAND闪存已经被证明尤其受欢迎。然而,随着闪存设备变得更密集和更便宜,期望它们提供的存储量进一步增加。该期望继而施加了进一步的压力以便以甚至更低的成本来使得这些设备更为密集。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供一种复合半导体存储设备,包括多个非易失性存储 设备;以及接口设备,其连接到所述多个非易失性存储设备并用于连接到存储控制器,该接口设备包括纠错编码(ECC)引擎。根据本专利技术的另一方面,提供一种存储系统,包括存储控制器;以及至少一个复合半导体存储设备,其被配置为由所述存储控制器写入和读取并包括内置的纠错编码(ECC)引擎。根据本专利技术的另一方面,提供一种存储系统,包括复合半导体存储设备,其包括多个非易失性存储设备;以及存储控制器,其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:金镇祺
申请(专利权)人:莫塞德技术公司
类型:发明
国别省市:

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