本发明专利技术涉及芯片测试技术领域，公开了一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统，所述方法包括：产生预定个数的随机数据；获取所述随机数据的ECC校验数据；根据所述随机数据生成测试数据；在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写入NandFlash；在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据；如果ECC模块报错，则确定所述ECC模块功能正常；否则确定所述ECC模块功能异常。利用本发明专利技术，可以实现对ECC模块的验证，保证其逻辑功能的正确性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试
，更具体地说，涉及一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统。
技术介绍
芯片验证是保证芯片功能的必要环节，对于芯片验证过程中，有些涉及到较多复杂逻辑的模块，需要特别的方法来覆盖到其所包括的逻辑。Flash存储器又称闪存，是存储芯片的一种，它结合了 ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。NandFlash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NandFlash存储器具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NandFlash的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NandFlash中允许存在一定的坏块,而且坏块在使用过程中还可能增加,这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，即NandFlash控制器，使系统用户能够方便地使用NandFlash。在现有的NandFlash控制器中，通常带有ECC(Error Correction Code,错误校正码)模块，用来对NandFlash中的数据进行校验修正，现在大部分NandFlash支持4bit/8bit/12bit/24bit/32bit的ECC纠错模式。通常芯片内部的ECC纠错逻辑较为复杂，所以需要针对芯片内部的ECC功能进行详细地验证，以保证其功能正确无误，进而保证NandFlash读写数据的正确。但现有技术中还没有对ECC模块纠错逻辑是否正确进行验证的有效方案。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统，实现对ECC模块的验证，保证其逻辑功能的正确性。为此，本专利技术实施例提供如下技术方案一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法，包括产生预定个数的随机数据；获取所述随机数据的ECC校验数据；根据所述随机数据生成测试数据；在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写入NandFlash ；在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据；如果ECC模块报错，则确定所述ECC模块功能正常；否则确定所述ECC模块功能异堂巾o优选地，所述获取所述随机数据的ECC数据包括在开启ECC功能的模式下将所述随机数据写入NandFlash ；在关闭ECC功能的模式下从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数据。优选地，所述方法还包括在从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数时，从所述NandFlash中读出写入的随机数据；比较读出的随机数据与写入的随机数据； 如果读出的随机数据与写入的随机数据相同，则执行所述根据所述随机数据生成测试数据的步骤。优选地，所述根据所述随机数据生成测试数据包括选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作，将包含翻转后比特的随机数据作为测试数据。优选地，所述选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作包括随机选取所述随机数据中的I至32比特进行取反操作。一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试系统，包括随机数发生器，用于产生预定个数的随机数据；校验数据获取单元，用于获取所述随机数据的ECC校验数据；测试数据生成单元，用于根据所述随机数据生成测试数据；测试单元，用于在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写A NandFlash ;在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据；验证单元，用于在所述测试单元从所述NandFlash中读取写入的测试数据过程中，监测所述ECC模块是否报错，如果ECC模块报错，则确定所述ECC模块功能正常；否则确定所述ECC模块功能异常。优选地，所述校验数据获取单元，具体用于在开启ECC功能的模式下将所述随机数据写入NandFlash ;在关闭ECC功能的模式下从所述NandFlash中读出所述ECC模块产生的所述随机数据的ECC校验数据。优选地，所述校验数据获取单元，还用于在从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数时,从所述NandFlash中读出写入的随机数据；相应地,所述系统还包括比较单元，用于比较所述校验数据获取单元读出的随机数据与写入的随机数据；如果读出的随机数据与写入的随机数据相同，则通知所述测试单元根据所述随机数据生成测试数据。优选地，所述测试数据生成单元包括比特选取子单元，用于选取所述随机数据中的一个或多个比特；翻转子单元，用于对所述比特选取子单元选取的比特进行取反操作，将包含翻转后比特的随机数据作为测试数据。优选地，所述比特选取子单元，具体用于随机选取所述随机数据中的I至32比特进行取反操作。本专利技术实施例NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统，通过产生预定个数的随机数据，并将其作为正确的原始数据，获取这些数据的ECC校验数据，然后再利用所述随机数据生成与原始数据不同的测试数据，这样，就可以将所述测试数据作为相对于正确的原始数据的错误数据，利用ECC模块的逻辑功能对所述测试数据和针对正确的原始数据生成的ECC校验数据进行校验，如果ECC模块报错，则表示ECC模块功能正常；否则表示ECC模块功能异常，从而可以充分地验证ECC模块的功能，保证其逻辑功能的正确性，进而保证NandFlash芯片读写数据的正确性。附图说明图I是本专利技术实施例NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法的流程图；图2是本专利技术实施例NandFlash控制器中错误校正码模块的测试系统的结构示意图。具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术实施例的方案，下面结合附图和实施方式对本专利技术实施例作进一步的详细说明。下面首先对NandFlash控制器中ECC模块对数据进行校验的原理进行简单说明。ECC 一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这3字节共24比特分成两部分6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置I。当向NandFlash的page中写入数据的时候，每256字节生成一个ECC校验和,称之为原ECC校验和，保存到page的OOB (out-of-band)数据区中。当从NandFlash中读取数据的时候，每256字节生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。ECC模块将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或，若结果为0，则表示不存在错(或是出现了 ECC无法检测的错误)；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠正；若3个字节异或结果中只存在I个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。对于检测结果，ECC模块通常会给出相应的错误提示，即报错。基于上述原理，本专利技术实施例NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法及系统，通过产生预定个数的随机数据，并将其作为正确的原始数据，获取这些数据的ECC校验数据，然后再利用所述随机数据生成与原始数据不同的测试数据，这本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试方法，其特征在于，包括 产生预定个数的随机数据； 获取所述随机数据的ECC校验数据； 根据所述随机数据生成测试数据； 在关闭ECC功能的模式下将所述测试数据和所述ECC校验数据写入NandFlash ； 在开启ECC功能的模式下从所述NandFlash中读取写入的测试数据； 如果ECC模块报错，则确定所述ECC模块功能正常；否则确定所述ECC模块功能异常。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述获取所述随机数据的ECC数据包括 在开启ECC功能的模式下将所述随机数据写入NandFlash ； 在关闭ECC功能的模式下从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数据。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括 在从所述NandFlash中读出所述ECC模块生成的ECC校验数时，从所述NandFlash中读出写入的随机数据； 比较读出的随机数据与写入的随机数据； 如果读出的随机数据与写入的随机数据相同，则执行所述根据所述随机数据生成测试数据的步骤。4.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述根据所述随机数据生成测试数据包括 选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作，将包含翻转后比特的随机数据作为测试数据。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述选取所述随机数据中的一个或多个比特进行取反操作包括 随机选取所述随机数据中的I至32比特进行取反操作。6.一种NandFlash控制器中错误校正码模块的测试系统，其特征在于，包括 随机数发生器，用于产生预定个数的随机数据； 校验数据获取单...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛保建，谢树，黄杰成，操冬华，张宇，胡胜发，
申请(专利权)人：安凯广州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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