一种氮化硅陶瓷球的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氮化硅陶瓷球的制备方法，该制备方法包括如下步骤：（1）将氮化硅和烧结助剂混合、造粒、冷等静压成型处理，得到氮化硅陶瓷球素坯；（2）在步骤（1）得到的素坯表面涂隔离层，干燥后放入玻璃容器，经热处理后，在真空下进行氢氧火焰焊封，焊接点加入与所述玻璃容器相同的材料，得到玻璃容器包封的素坯；（3）在无压状态下，将步骤（2）得到的玻璃容器包封的素坯放入坩埚，先进行升温至玻璃容器软化，然后在氮气或氩气保护下，进行热等静压烧结，即得。采用本发明专利技术的制备方法制备得到的氮化硅陶瓷球具有致密性高、晶粒均匀、性能优异、工艺操作简单、可实现产业化等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于工程陶瓷制备领域，具体涉及，特别涉及一种玻璃容器包封热等静压工艺制备高性能、大尺寸氮化硅陶瓷球的方法。
技术介绍
氮化硅陶瓷具有低密度、高强度、高刚度、高硬度、低膨胀系数、耐腐蚀等优异的性能，在工程陶瓷领域中广泛应用。氮化硅陶瓷本身具有自润滑特性和剥落失效特性，使得其作为轴承滚动体可以显著提高轴承转速、轴承等级、轴承寿命，因此，采用氮化硅陶瓷作为滚动体的混合轴承在航天、能源、机械等领域具有广泛的应用前景。氮化硅是强共价键化合物，扩散系数小，可烧结性差。为了获得致密度高、组织均匀的氮化硅烧结体，一般加入适当的添加剂(如Mg0、Al203、Y203、La203、Yb203、Ce02等)作为 烧结助剂促进致密化烧结。目前普遍采用的致密化烧结工艺有热压(HP)和气氛压力(GPS)烧结工艺。采用热压(HP)烧结氮化硅材料，其性能存在各向异性、同时单位成本高，材料利用率低，难以进行批量化生产；采用气氛压力烧结(GPS)氮化硅材料，存在显微结构不均匀，晶粒间存在气孔、裂纹等缺陷，减小了材料的力学性能、抗疲劳特性以及材料的可靠性。热等静压(HIP)工艺克服了热压烧结工艺和气氛压力烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅陶瓷球的制备方法，该制备方法包括如下步骤：（1）将氮化硅和烧结助剂混合、造粒、冷等静压成型处理，得到氮化硅陶瓷球素坯；（2）在步骤（1）得到的素坯表面涂隔离层，干燥后放入玻璃容器，经热处理后，在真空下进行氢氧火焰焊封，焊接点加入与所述玻璃容器相同的材料，得到玻璃容器包封的素坯；（3）在无压状态下，将步骤（2）得到的玻璃容器包封的素坯放入坩埚，先进行升温至玻璃容器软化，然后在氮气或氩气保护下，进行热等静压烧结，即得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：茹敏朝，张伟儒，张哲，曾俐，丁艳，徐鹏，庄新江，
申请(专利权)人：北京中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：