显示器件及其驱动方法技术

第一电容器获得根据流经第一晶体管的编程电流的第一晶体管的栅源电压，第二电容器获得第二晶体管的阈值电压。然后，在第一电容器和第二电容器中保持的电荷被容性耦合。通过使用以容性耦合获得的电压作为第一晶体管的栅源电压，可以将根据编程电流的恒定电流提供给发光元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括晶体管构成的显示器件，以及该显示器件的驱动方法。具体地，本专利技术涉及包含包括薄膜晶体管(此后还称为晶体管)构成的像素的半导体器件。
技术介绍
有源矩阵显示器，其通过组合电致发光元件(还被称为有机发光二极管(OLED)和EL元件或本说明书中的发光元件)和晶体管来构成，已经吸引了人们的注意，并在国内和国际上作为薄且重量轻的显示器进行了积极的研究和开发。在致カ于小型2英寸显示器到40英寸或更大的大型显示器的实际应用阶段中，对这种也被称为有机EL显示器(OLED)的显示器进行了广泛的研究和开发。EL元件的亮度和流经其的电流值在理论上具有线性关系。因此，对于利用EL元件作为显示介质的有机EL显示器来说，通过控制提供给EL元件的电流值来表示灰度级的方法是已知的。此外，作为控制提供给EL元件的电流值的方法，电压输入驱动方法和电流输入驱动方法是已知的。在电压输入驱动方法中，提供给驱动晶体管(此后也称为驱动晶体管)和EL元件 的电流值通过将电压信号输入到驱动晶体管的栅极以便在其中保持从而获得的栅源电压来控制，该驱动晶体管串联连接到EL元件。在电流输入驱动方法中，提供给驱动晶体管和EL元件的电流值通过将电流信号提供给驱动晶体管而获得的驱动晶体管的栅源电压来控制(例如，參见专利文献I)。然而，在传统的电流输入驱动方法中，需要将微量的电流从源信号线提供以表示低灰度级。由于需要用于为源信号线等的寄生电容充电的时间以便将微量电流作为视频信号输入到像素，因此存在需要长写入时间的问题。此外，作为电流输入驱动方法的另ー个示例，这种像素是已知的，其中通过在两个电容器中保持作为电流输入到驱动TFT的Vgs及其阈值电压并将它们容性耦合，在补偿该阈值电压的同时，提供给EL元件的电流可以小于实际的视频信号(例如，參见专利文献2)。然而，即使是这种像素配置也需要周期Tl来获得阈值电压，并需要周期T2来写入视频信号。由于ー个像素的面积是有限的，因此两个电容器的电容也是有限的。因此，存在这样的问题，即，没有足够的写入时间用于写入微量电流作为视频信号，特别是在大型面板中，每像素的写入周期相比于小型面板变得更短。[专利文献I]国际公布No. 9848403[专利文献2]日本专利公开No. 2004-31000
技术实现思路
鉴于这些问题，本专利技术提供了一种显示器件以及驱动方法，其中每像素的写入时间被进ー步缩短，并且其能够扩大面板。本专利技术的特征包括第一晶体管、第二晶体管、保持对应于流经其中的电流的第一晶体管的栅源电压的第一电容器、以及保持第二晶体管的阈值电压并与第一电容器容性耦合的第二电容器。根据本专利技术的显示器件的一个特征，该显示器件包括像素，其包括第一晶体管，具有连接到第一布线的第一端、经过第一开关元件连接到第二布线并经过第二开关元件连接到其栅极的第二端；第二晶体管，具有连接到第一布线的第一端，和经过第三开关元件连接到栅极的第二端；第ー电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极，和连接到该第一晶体管的栅极的另ー个电极；第二电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极，和连接到该第二晶体管的栅极并经过第四开关元件连接到第一电容器的另ー个电极的另ー个电极；以及发光元件，具有经过第五开关元件连接到第一晶体管的第二端的ー个电扱。 本专利技术的显示器件的另ー个特征包括像素，其包括第一晶体管，具有连接到第一布线的第一端，和经过第一开关元件连接到其栅极的第二端；第二晶体管，具有连接到第一布线的第一端，和经过第二开关元件连接到第二布线并经过第三开关元件连接到其栅极的第二端；第一电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极，和连接到该第一晶体管的栅极的另ー个电极；第二电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极，和连接到该第二晶体管的栅极并经过第四开关元件连接到第一电容器的另ー个电极的另ー个电极；以及发光元件，具有经过第五开关元件连接到第一晶体管的第二端的ー个电扱。在本专利技术的显示器件中，第一晶体管的沟道长度可以比第二晶体管的沟道长度更长。第一晶体管的沟道宽度可以比第二晶体管的沟道宽度更宽。本专利技术提供了ー种具有像素的显示器件的驱动方法，该显示器件包括第一晶体管，第二晶体管，第一电容器，其保持对应于流经其中的电流的第一晶体管的栅源电压，以及与第一电容器容性稱合的第二电容器，其中进行在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作，在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作，以及容性地耦合保持在第一电容器中的电压和保持在第二电容器中的电压的操作。在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作和在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作可以同时进行。本专利技术提供了ー种具有像素的显示器件的驱动方法，该显示器件包括第一晶体管，具有连接到第一布线的第一端和经过第一开关元件连接到第二布线并经过第二开关元件连接到其栅极的第二端；第二晶体管，具有连接到第一布线的第一端和经过第三开关元件连接到其栅极的第二端；第二电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极和连接到该第ニ晶体管的栅极的另ー个电极；第一电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极和连接到该第一晶体管的栅极并经过第四开关元件连接到第二晶体管的栅极和该第二电容器的另一个电极的另ー个电极；以及发光元件，具有经过第五开关元件连接到第一晶体管的第二端的一个电极，其中进行在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作，在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作，以及容性地耦合保持在第一电容器中的电压和保持在第二电容器中的电压的操作。在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作和在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作可以同时进行。本专利技术提供了ー种具有像素的显示器件的驱动方法，该显示器件包括第一晶体管，具有连接到第一布线的第一端和经过第一开关元件连接到其栅极的第二端；第二晶体管，具有连接到第一布线的第一端和经过第二开关元件连接到第二布线并经过第三开关元件连接到其栅极的第二端；第ニ电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极和连接到该第一晶体管的栅极的另ー个电极；第一电容器，具有连接到该第一布线的ー个电极，和连接到该第一晶体管的栅极并经过第四开关元件连接到第二电容器的另ー个电极的另ー个电极；以及发光元件，具有经过第五开关元件连接到第一晶体管的第二端的一个电极，其中进行在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作，在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作，以及容性地耦合保持在第一电容器中的电压和保持在第二电容器中的电压的操作。在第一电容器中获得第一晶体管的栅源电压的操作和在第二电容器中获得第二晶体管的栅源电压的操作可以同时进行。各种模式的开关可以用作本专利技术中所描述的开关。例如，可以使用电开关、机械开关等等。这就是说，它可以是任何事物，只要它能控制电流。它可以是晶体管、ニ极管(例如，PN ニ极管、PIN ニ极管、肖特基ニ极管、连接成ニ极管的晶体管等等)、闸流晶体管、或利用它们配置的逻辑电路。因此，在应用晶体管作为开关的情况中，由于其仅作为开关工作，因此并不特别限定其极性(导电类型)。然而，当截止电流优选为小时，有利地使用具有较 小截止电流的极性的晶体管。例如，提供有LDD区的晶体管、具有多棚极结构的晶体管等等具有小的截止电流。此外，期望在作为开关的晶体管的源极端电位接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括栅极、第一端和第二端；第二晶体管，包括栅极、第一端和第二端；第三晶体管，包括栅极、第一端和第二端；第四晶体管，包括栅极、第一端和第二端；第五晶体管，包括栅极、第一端和第二端；第一电容器，包括一个电极和另一个电极；第二电容器，包括一个电极和另一个电极；电源线，其中所述电源线连接到所述第一晶体管的所述第一端、所述第二晶体管的所述第一端、所述第一电容器的所述一个电极以及所述第二电容器的所述一个电极，其中所述第一电容器的所述另一个电极连接到所述第一晶体管的所述栅极，其中所述第一晶体管的所述第二端通过第一开关连接到所述第一晶体管的所述栅极，其中所述第二电容器的所述另一个电极连接到所述第二晶体管的所述栅极，其中所述第二晶体管的所述第二端通过第二开关连接到所述第二晶体管的所述栅极，其中所述第一电容器的所述另一个电极和所述第一晶体管的所述栅极通过第三开关连接到所述第二电容器的所述另一个电极和所述第二晶体管的所述栅极。

【技术特征摘要】
2005.09.16 JP 2005-2693231.一种半导体器件，包括 第一晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第二晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第三晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第四晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第五晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第一电容器，包括一个电极和另ー个电极； 第二电容器，包括一个电极和另ー个电极； 电源线， 其中所述电源线连接到所述第一晶体管的所述第一端、所述第二晶体管的所述第一端、所述第一电容器的所述ー个电极以及所述第二电容器的所述ー个电极， 其中所述第一电容器的所述另ー个电极连接到所述第一晶体管的所述栅扱， 其中所述第一晶体管的所述第二端通过第一开关连接到所述第一晶体管的所述栅扱， 其中所述第二电容器的所述另ー个电极连接到所述第二晶体管的所述栅扱， 其中所述第二晶体管的所述第二端通过第二开关连接到所述第二晶体管的所述栅扱，其中所述第一电容器的所述另ー个电极和所述第一晶体管的所述栅极通过第三开关连接到所述第二电容器的所述另ー个电极和所述第二晶体管的所述栅扱。2.—种半导体器件，包括 第一晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第二晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第三晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第四晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第五晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第六晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第七晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第一电容器，包括一个电极和另ー个电极； 第二电容器，包括一个电极和另ー个电极；以及 电源线， 其中所述电源线连接到所述第一晶体管的所述第一端、所述第一电容器的所述ー个电极、所述第二晶体管的所述第一端以及所述第二电容器的所述ー个电极， 其中所述第一电容器的所述另ー个电极连接到所述第一晶体管的所述栅扱， 其中所述第一电容器的所述另ー个电极和所述第一晶体管的所述栅极连接到所述第六晶体管的所述第一端， 其中所述第一晶体管的所述第二端连接到所述第四晶体管的所述第一端， 其中所述第四晶体管的所述第二端连接到所述第一晶体管的所述栅扱， 其中所述第一晶体管的所述第二端连接到所述第三晶体管的所述第一端， 其中所述第一晶体管的所述第二端连接到所述第七晶体管的所述第一端， 其中所述第二电容器的所述另ー个电极连接到所述第二晶体管的所述栅扱， 其中所述第二电容器的所述另ー个电极和所述第二晶体管的所述栅极连接到所述第六晶体管的所述第二端 其中所述第二晶体管的所述第二端连接到所述第五晶体管的所述第一端，以及 其中所述第五晶体管的所述第二端连接到所述第二晶体管的所述栅扱。3.一种半导体器件，包括 第一晶体管，包括栅极、第一端和第二端； 第二晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅崎敦司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：