锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种光电材料技术领域的锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：步骤一，取氧化铅，氧化锡，混合，加入油酸和十八烯，得溶液A；步骤二，取硒粉，加入三正辛基膦，加热，得溶液B；步骤三，将溶液B注入到溶液A中，加热，纯化，得到锡掺杂硒化铅纳米粒子。本发明专利技术的方法无污染，反应条件温和简单，对设备的要求简单，适合工业化大规模生产；制备的锡掺杂硒化铅纳米粒子的带隙能可随掺锡比例变化而变化；当锡含量从0上升至42%时，带隙能从1.61eV下降至0.79eV，并且基本呈现线性关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电材料
，具体涉及ー种。
技术介绍
近年来，由于其相对较窄的能带间隙和较大的激子玻尔半径，IV-VI族半导体被认为是太阳电池薄膜吸光层的潜在替代材料。其中，硒化锡(SnSe)、硒化铅(PbSe)、碲化铅 (PbTe)等ニ元化合物的相关研究已经被广泛地报道。然而，光电器件在应用方面最重要的性质之一就是连续可调的能带间隙，这却是硒化铅等ニ元化合物难以实现的。如果对硒化铅进行锡掺杂，就能够很好地通过成分的变化对带隙能进行调节。经对现有技术的文献检索发现，Harman T. C.等在《Applied Physics letters))(应用物理快报)1969年第14卷第11期第333 334页发表的文章“Temperature andcompositional dependence of laser emission in PbSnSe”(温度和成分对锡惨杂硒化铅的激光发射特性的影响)，进而，磁控溅射、热蒸镀等多种锡掺杂硒化铅制备的方法已经被陆续研发出来，但这些方法反应条件严苛。因此，ー种可大量制备，成本低廉，环境友好的锡掺杂硒化铅纳米粒子制备方法，对于本领域具有重要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，取氧化铅，氧化锡，混合，加入油酸和十八烯，加热，得溶液A；步骤二，取硒粉，加入三正辛基膦，加热，得溶液B；步骤三，将溶液B注入到溶液A中，加热，纯化，得到锡掺杂硒化铅纳米粒子。

【技术特征摘要】
1.一种锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤一，取氧化铅，氧化锡，混合，加入油酸和十八烯，加热，得溶液A ； 步骤二，取硒粉，加入三正辛基膦，加热，得溶液B ； 步骤三，将溶液B注入到溶液A中，加热，纯化，得到锡掺杂硒化铅纳米粒子。2.根据权利要求I所述的锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，其特征是，所述氧化铅氧化锡=(O. 125 2) :1 ;所述硒粉氧化铅和氧化锡的总和=1:1 ;所述比例为摩尔比。3.根据权利要求I所述的锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，其特征是，步骤一中，所述加入的油酸和十八烯的总摩尔数...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏浩，苏言杰，任兴龙，张亚非，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：