一种550kV盆式绝缘子嵌件制造技术

技术编号:7947694 阅读:283 留言:0更新日期:2012-11-05 22:28
本实用新型专利技术涉及一种550kV盆式绝缘子嵌件,包括圆柱形导电极,沿导电极的圆周面上分布设置有环形的沟槽,还包括凸块和屏蔽罩,沿导电极圆周面的中部位置设置有环形凸块,凸块外侧呈弧形,凸块内侧与导电极连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状;在凸块外部套设有屏蔽罩,屏蔽罩通过螺钉与凸块连接,凸块的外侧弧形端部与屏蔽罩内壁留有间隙。本实用新型专利技术具有结构简单、合理,具有高密封性能和均匀电场的特点。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型的550kV盆式绝缘子嵌件。技术背景国家经济的大力发展离不开电能的支持。由于城市规划的用地紧张以及地价上涨等原因,传统的敞开式电站建设越来越不适应发展的需求,而封闭的组合电器由于占地面积小,供电可靠,不受外界环境干扰等特点,逐渐应用于城市的电网建设中。为了减少输电过程中电能的损耗,需要将输电线路提高输电等级,目前电网的互联多采用550kV。由于550kV输电线路电压等级高,供电能量大,一旦550kV线路出现故障,影响范围极广,因此,对组合电器的绝缘件要求极为严格。高压电器的绝缘件设计不仅需要足够的绝缘距离,对于其内部的及沿面的电场分布要求也极为严格。在高压电器中,为了实现气室的分隔,以及实现导体的支撑,需要大量的盆式绝缘子。因此,盆式绝缘子如何设计,其形状和内部嵌件结构变得极为重要。盆式绝缘子的嵌件需要和环氧树脂紧密结合,否则,很可能在机械受力时,导致出现间隙,气体从间隙中流过,盆式绝缘子的分隔气室功能失效,为此,嵌件的表面高低不平,多有沟槽。但是,从另一方面讲,在设计盆式绝缘子的嵌件时,还需考虑绝缘子内部的电场,嵌件的高低不平会导致绝缘子内部的电场强度偏高,在耐压时,很可能导致其内部击穿,从而导致绝缘失效,造成电力事故。因此,合适的设计绝缘子的嵌件至关重要。
技术实现思路
本技术为了克服上述缺陷提供了一种结构简单、合理,具有高密封性能和均匀电场的550kV盆式绝缘子嵌件。本技术采用的技术方案是一种550kV盆式绝缘子嵌件,包括圆柱形导电极,沿导电极的圆周面上分布设置有环形的沟槽,其特征是还包括凸块和屏蔽罩,沿导电极圆周面的中部位置设置有环形凸块,凸块外侧呈弧形,凸块内侧与导电极连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状;在凸块外部套设有屏蔽罩,屏蔽罩通过螺钉与凸块连接,凸块的外侧弧形端部与屏蔽罩内壁留有间隙。所述的屏蔽罩为环形壳体,屏蔽罩的截面中,其外侧呈圆弧形,其内侧的两个边部均紧贴导电极,其中的一个边部设置若干螺钉与凸块进行连接。本技术保留了传统绝缘子嵌件即导电极上的环形沟槽,确保与环氧树脂粘结,形成密封面,阻止SF6气体流动,同时又在分布有沟槽的圆周面的中部位置设置屏蔽罩,利用屏蔽罩形成对沟槽的屏蔽,降低沟槽处的电场强度,设置凸块是为了方便安装屏蔽罩,使屏蔽罩与导电极连接牢固,便于制造和安装,也有利于均匀电场。附图说明图I为本技术的示意图。具体实施方式现结合附图对本技术作进一步描述,图I为本技术的一种实施例,包括圆柱形导电极3、凸块2和屏蔽罩1,沿导电极3的圆周面上分布设置有环形的沟槽,沿导电极3圆周面的中部位置设置有环形凸块2,凸块2外侧呈弧形,凸块2内侧与导电极3连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状。在凸块2外部套设有屏蔽罩1,屏蔽罩I将凸块2罩于其内部,屏蔽罩I通过螺钉与凸块2进行连接,凸块2的外侧弧形端部与屏蔽罩I内壁留有间隙。本实施例中的屏蔽罩I为环形壳体,屏蔽罩I的截面中,其外侧呈圆弧形,其内侧的两个边部均紧贴导电极3,其中的一个边部设置若干螺钉与凸块2进行连接。本技术由于保留了传统绝缘子嵌件即导电极3上 的环形沟槽,确保与环氧树脂粘结,形成密封面,阻止SF6气体流动,密封可靠,同时又在分布有沟槽的圆周面的中部位置设置屏蔽罩1,利用屏蔽罩I形成对沟槽的屏蔽,降低沟槽处的电场强度,提高了绝缘子的可靠性和设备的稳定性;设置凸块2是为了方便安装屏蔽罩1,使屏蔽罩I与导电极3连接牢固,便于制造和安装,也有利于均匀电场。本技术具有结构简单、合理,具有高密封性能和均匀电场的特点。权利要求1.一种550kV盆式绝缘子嵌件,包括圆柱形导电极,沿导电极的圆周面上分布设置有环形的沟槽,其特征是还包括凸块和屏蔽罩,沿导电极圆周面的中部位置设置有环形凸块,凸块外侧呈弧形,凸块内侧与导电极连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状;在凸块外部套设有屏蔽罩,屏蔽罩通过螺钉与凸块连接,凸块的外侧弧形端部与屏蔽罩内壁留有间隙。2.根据权利要求I所述的550kV盆式绝缘子嵌件,其特征是所述的屏蔽罩为环形壳体,屏蔽罩的截面中,其外侧呈圆弧形,其内侧的两个边部均紧贴导电极,其中的一个边部设置若干螺钉与凸块进行连接。专利摘要本技术涉及一种550kV盆式绝缘子嵌件,包括圆柱形导电极,沿导电极的圆周面上分布设置有环形的沟槽,还包括凸块和屏蔽罩,沿导电极圆周面的中部位置设置有环形凸块,凸块外侧呈弧形,凸块内侧与导电极连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状;在凸块外部套设有屏蔽罩,屏蔽罩通过螺钉与凸块连接,凸块的外侧弧形端部与屏蔽罩内壁留有间隙。本技术具有结构简单、合理,具有高密封性能和均匀电场的特点。文档编号H01B17/40GK202512973SQ20122013546公开日2012年10月31日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日专利技术者宫瑞磊, 王兆珉, 王峰, 肖风良 申请人:山东泰开高压开关有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种550kV盆式绝缘子嵌件,包括圆柱形导电极,沿导电极的圆周面上分布设置有环形的沟槽,其特征是:还包括凸块和屏蔽罩,沿导电极圆周面的中部位置设置有环形凸块,凸块外侧呈弧形,凸块内侧与导电极连接,其连接处为无尖角的圆弧过渡状;在凸块外部套设有屏蔽罩,屏蔽罩通过螺钉与凸块连接,凸块的外侧弧形端部与屏蔽罩内壁留有间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宫瑞磊肖风良王峰王兆珉
申请(专利权)人:山东泰开高压开关有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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