【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体散射光学测量领域，具体涉及一种基于支持向量机的纳米结构特征尺寸快速提取方法，它适用于对半导体纳米结构的特征尺寸进行快速、精确地测量。
技术介绍
为了实现纳米制造工艺的可操作性、可重复性和可扩展性，保证基于纳米科技的产品满足可靠性、一致性、经济型和规模性生产等方面的要求，在纳米制造过程中对纳米结构的三维形貌参数进行快速、非破坏性、低成本的测量具有重要的意义。这些待测的纳米结构三维形貌包括特征线宽(特征尺寸)、高度、周期和侧壁角等。在半导体光学测量领域中，光学散射仪(Scatterometry)是一种最为常见的特征 尺寸测量设备。光学散射仪的测量过程包括正向光学特性建模和逆向求取两个部分。正向光学特性建模是对待测纳米结构的几何模型进行光学散射场仿真，获取仿真光谱。逆向求取部分则包括将测量光谱与仿真光谱不断进行对比，在一定的评价函数下相似度最高的仿真光谱对应的模型结构参数即认为是待测纳米结构的参数值。在光学散射仪的逆向参数提取部分，最常用的就是基于库匹配的方法。该方法首先要求针对某个待测结构模型建立一个仿真光谱数据库，该数据库中每一条独立的光谱对应...
【技术保护点】
一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，其特征在于，该方法包括下述过程：第1步？确定每一个待提取参数的取值范围，生成子光谱数据库；利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练；第2步？利用训练完毕的支持向量机对测量光谱进行映射，映射到一个对应的子光谱数据库；第3步？利用搜索算法对所述对应的子光谱数据库展开搜索，找出结果最优的一条仿真光谱，该仿真光谱对应的仿真结构参数值即为待提取的纳米结构特征尺寸值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，朱金龙，张传维，陈修国，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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