【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体散射光学测量领域，具体涉及一种改进的基于支持向量机的纳米结构特征尺寸快速提取方法，相对于传统的基于支持向量机的纳米结构特征尺寸提取方法，该方法能获得更加鲁棒的提取结果。它适用于对半导体纳米结构的特征尺寸进行快速、精确地测量。
技术介绍
在纳米制造工艺过程中，对纳米结构的三维形貌参数进行快速、非破坏性、低成本的测量，对保持纳米产品的可靠性、一致性、经济性和规模生产方面具有重要的意义。这些待测的纳米结构三维形貌包括特征线宽(特征尺寸)、高度、周期和侧壁角等。光学散射仪(Scatterometry)是一种基于光学原理的半导体纳米结构特征尺寸测量设备。光学散射仪的测量过程包括正向光学特性建模和逆向求取两个部分。正向光学特性建模是对待测纳米结构的几何模型进行光学散射场仿真，获取仿真光谱。逆向求取部分则包括将测量光谱与仿真光谱不断进行对比，在一定的评价函数下相似度最高的仿真光谱对应的模型结构参数即认为是待测纳米结构的参数值。在光学散射仪的逆向参数提取部分，最常用的就是基于库匹配的方法。该方法首先要求针对某个待测结构模型建立一个仿真光谱数据库，该数据库中每...
【技术保护点】
一种改进的基于支持向量机的半导体纳米结构特征尺寸的方法，该方法包括下述过程：第1步确定每一个待提取参数的取值范围，生成子光谱数据库；利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练；第2步对每一个待提取参数利用第1步中的训练光谱重复训练多个支持向量机，每一个待提取参数对应的每一个支持向量机的训练终止条件均不相同；第3步利用每一个待提取参数对应的多个支持向量机，对测量光谱进行映射；第4步找出每一个待提取参数对应的所有支持向量机映射结果中出现次数最高的一个，该映射结果对应的子区间即被认为是此待提取参数最有可能出现的取值区间；第5步按照第4步的方法，确定所有待提取参数的子取值区...
【技术特征摘要】
1.一种改进的基于支持向量机的半导体纳米结构特征尺寸的方法，该方法包括下述过程: 第I步确定每一个待提取参数的取值范围，生成子光谱数据库；利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练； 第2步对每一个待提取参数利用第I步中的训练光谱重复训练多个支持向量机，每一个待提取参数对应的每一个支持向量机的训练终止条件均不相同； 第3步利用每一个待提取参数对应的多个支持向量机，对测量光谱进行映射； 第4步找出每一个待提取参数对应的所有支持向量机映射结果中出现次数最高的一个，该映射结果对应的子区间即被认为是此待提取参数最有可能出现的取值区间； 第5步按照第4步的方法，确定所有待提取参数的子取值区间，建立一个子光谱数据库； 第6步在所述的子光谱数据库中找出与测量光谱最为相似的仿真光谱，该仿真光谱对应的结构参数值即认为是待测结构的参数值。2.根据权利要求1所述的改进的基于支持向量机的半导体纳米结构特征尺寸的方法，其特征在于，第I步中，训练光谱的获取方法: 将每一个待提取参数对应一个支持向量机，每一个待提取参数的取值范围被划分成多少个子取值范围，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，朱金龙，张传维，陈修国，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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