本发明专利技术提供一种显示单元，该显示单元能够防止第二电极的断裂，并且减少通过有机层的泄漏电流。该显示单元包括在平面基板上的多个有机发光器件。该多个有机发光器件的每一个都依次具有第一电极、具有对应于第一电极的开口的绝缘膜、至少形成在开口中的第一电极上的且由包括发光层的多个层构成的有机层以及第二电极。绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分由开口的侧面与基板的平面形成的倾角，且该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括有机发光器件的显示单元。
技术介绍
有机发光器件具有依次设置在基板之上的第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极。在第一电极和第二电极之间施加直流电压的情况下，在发光层中产生电子-空穴复合，并且产生光。在各器件之间，提供分隔各器件的绝缘膜。绝缘膜设置有对应于第一电极的开口。开口的边通常具有相对于基板平面的倾角(锥角)。过去，对于绝缘膜的形状，已经提出了( I)减小倾角(例如，如日本未审查专利申请公开No. 11-97182所述)以及(2)使倾角接近直角(例如，如日本专利No. 3247388所述)。
技术实现思路
然而，在如前述(I)的情况“减少倾角”使倾角一概很小的情况下，如果采用有机发光器件的驱动电路作为电容(例如，日本未审查专利申请公开No. 2007-148129所描述)，则 在驱动晶体管的阈值电压纠正操作中，微小的泄漏电流从第一电极通过有机层流向第二电极，由此驱动晶体管的源电位偏移。结果，存在产生亮度不均匀性的缺点。同时，在如前述情况(2)使倾角变大以使该倾角大致为直角的情况下，存在产生第二电极的断裂和不发光的可能性。考虑到前述情况，在本专利技术中，所希望的是提供能够防止第二电极的断裂和减少通过有机层的泄漏电流的显示单元。根据本专利技术的实施例，提供的显示单元包括在平坦基板上的多个有机发光器件。多个有机发光器件的每一个都依次具有第一电极；绝缘膜，具有对应于第一电极的开口 ；有机层，至少形成在开口中的第一电极上，并且由包括发光层的多个层组成；以及第二电极。绝缘膜在该开口的周围的一部分中具有低锥度部分(low taper section),该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。“倾角”是指位于从开口的侧面的端部到具有最大厚度的部分的区域中的每个点处的倾角中的最大角。在根据本专利技术实施例的显示单元中，绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此，在低锥度部分之外的部分中，倾角大并且减少了通过有机层的泄漏电流。同样，在低锥度部分中，防止了第二电极的断裂。在根据本专利技术实施例的显示单元中，绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此，可以防止第二电极的断裂，并且可以减少通过有机层的泄漏电流。特别是，该实施例适合于采用以有机发光器件作为电容的驱动电路的情况，并且可以抑制亮度不均匀性的产生。通过下面的描述，本专利技术的其它和进一步的目的、特征和优点将变得更加明显易懂。附图说明图I是图解根据本专利技术第一实施例的显示单元构造的示意图；图2是图解图I所不像素电路的不例的等效电路不意·图3是图解图I所示显示区域构造的截面图；图4是图解图3所示有机层结构的截面图；图5是图解图3所示第一电极、辅助配线和绝缘膜的位置关系示例的平面图；图6A和6B是沿着图5的VI-VI线剖取的截面图及其照片；图7A和7B是沿着图5的VII-VII线剖取的截面图及其照片；图8是用于说明泄漏电流流过的路径的截面图；图9是用于说明泄漏电流的大小根据绝缘膜的开口的倾角而变化的截面图；图10是用于说明倾角的定义的截面图；图11是图解图3所不绝缘I旲和有机层的位置关系不例的平面图；图12是沿着图11的XII-XII线剖取的截面图；图13是沿着图11的XIII-XIII线剖取的截面图；图14是图解偏移图11的有机层的沉积位置的情况的平面图；图15是图解采用有机发光器件作为电容进行阈值电压纠正操作的电路图；图16是根据本专利技术第二实施例的显示单元的显示区域的平面图；图17是沿着图16的XVII-XVII线剖取的截面图；图18是图解包括前述实施例的显示单元的模块的示意性构造的平面图；图19是图解前述实施例的显示单元的第一应用示例的外观的透视图；图20A是图解第二应用示例从前侧看的外观的透视图，而图20B是第二应用示例从后侧看的外观的透视图；图21是图解第二应用不例的外观的透视图；图22是图解第四应用示例的外观的透视图；图23A是第五应用示例打开状态下的主视图，图23B是其侧视图，图23C是第五应用示例闭合状态下的主视图，图23D是其左侧视图，图23E是其右侧视图，图23F是其俯视图，而图23G是其仰视图；以及图24是图解本专利技术修改示例的平面图。具体实施例方式以下将参考附图详细描述本专利技术的实施例。第一实施例图I图解了根据本专利技术第一实施例的显示单元的构造。显示单元用作超薄有机发光彩色显示单元等。在显示单元中，例如，稍后描述的多个有机发光器件10RU0G和IOB(在下文通常称为“有机发光器件EL”)在显示区域110中设置成矩阵状态，该显示区域110形成在由玻璃、硅(Si)晶片或树脂等制作的基板11上。在显示区域110的周边形成作为信号部的水平选择器121和作为扫描部的光扫描器131、驱动扫描器132及电源线扫描器133。在显示区域110中，多条信号线SL设置在列方向上，并且多条扫描线WS和DS以及多条电源线VL设置在行方向上。包括有机发光器件EL (10R、10G和IOB (子像素)之一)的像素电路140设置在每条信号线SL和每条扫描线WS和DS之间的每个交叉点。每条信 号线SL连接到水平选择器121。视频信号Sig从水平选择器121提供给信号线SL。每条扫描线WS连接到光扫描器131。每条扫描线DS连接到驱动扫描器132。每条电源线VL连接到电源线扫描器133。图2图解了像素电路140的示例。像素电路140是有源驱动电路，该有源驱动电路具有取样晶体管(sampling transistor) Tl、驱动晶体管T5、在取样晶体管Tl和驱动晶体管T5之间的像素电容Cl、连接在驱动晶体管T5和阴极电位(Vcat)之间的有机发光器件EL和连接在驱动晶体管T5和电源线VL之间的开关晶体管(switching transistor) T4。取样晶体管Tl响应于从扫描线WS提供的控制信号而导通，并且进行从信号线SL提供到像素电容Cl中的视频信号Sig的信号电位Vsig的取样。像素电容Cl响应视频信号Sig的取样的信号电位Vsig在驱动晶体管T5的栅极G和源极S之间施加输入电压Vgs。驱动晶体管T5响应输入电压Vgs将输出电流Ids提供到有机发光器件EL(10R、10G和10B)。根据输出电流Ids,有机发光器件EL发射对应于视频信号Sig的信号电位Vsig的亮度的光。开关晶体管T4响应于从扫描线DS提供的控制信号而导通。在发光期间，开关晶体管T4将驱动晶体管T5连接到电源线VL。不发光期间，开关晶体管T4不导通，并且使驱动晶体管T5与电源线VL分开。提供到有机发光器件EL的输出电流Ids对驱动晶体管T5的阈值电压Vth具有依赖性。为了消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖性，光扫描器131和驱动扫描器132进行纠正像素电容Cl的纠正操作和将视频信号Sig的信号电位Vsig写入纠正的像素电容Cl的取样操作。水平选择器121在纠正操作期间给信号线SL提供固定的电位Vofs。之后，水平选择器121转换到对应于取样操作的信号电位Vs本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示单元，包括：在基板上的多个有机发光器件，其中所述多个有机发光器件的每一个都依次具有第一电极、具有对应于所述第一电极的开口的绝缘膜、至少形成在所述开口中的所述第一电极上的且由包括发光层的多个层组成的有机层、和第二电极，所述有机层还形成在所述开口的侧面和所述绝缘膜上并且在所述绝缘膜之上具有端部，所述第二电极形成在所述有机层上，该绝缘膜在所述开口的周围的一部分中具有低锥度部分，所述低锥度部分具有由所述开口的侧面和所述基板的前面形成的倾角，该倾角小于所述开口的周围的其它部分中的倾角，以及该低锥度部分分别形成在所述开口的两个相对的边。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤冈弘文，广升泰信，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：
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