本发明专利技术涉及一种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺，属于集成电路封装技术领域；本发明专利技术先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封，在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，同时，简单易行，生产效率高，降低成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种扁平封装件塑封エ序中的改良エ艺，尤其是ー种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作エ艺，属于集成电路封装
技术介绍
集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装(即AAQFN)是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。 无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊エ艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技木，具备批量生产能力，将大大縮小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的问题，本专利技术提供ー种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作エ艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，同时降低成本。为了实现上述目的，本专利技术采用ー种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作エ艺，先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用ニ次塑封的方法，具体制作エ艺按照如下步骤进行第一歩、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μηι 200 μ m,粗糙度Ra O. IOum O.30um ；第二步、划片；第三步、采用粘片胶上芯；第四歩、压焊；第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；第六步、后固化；第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。所述的方法中的第二步中150μπι以上的晶圆采用普通QFN划片工艺；厚度在150μπι以下晶圆，采用双刀划片机及其エ艺；所述的方法中的第三步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换；所述的方法中的第八步二次塑封中使用30 32um颗粒度的塑封料填充；所述的方法中的第四步、第六步、第九步、均与常规AAQFNエ艺相同。本专利技术的有益效果本专利技术先在框架上先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，在一次塑封的塑封料和框架间形 成更加有效的防拖拉结构，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，同吋，简单易行，生产效率高，降低成本。附图说明图I为本专利技术中引线框架剖面图；图2为本专利技术中上芯后广品首I]面图；图3为本专利技术中压焊后产品剖面图；图4为本专利技术中一次塑封后产品剖面图；图5为本专利技术中框架背面蚀刻后产品剖面图。图中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-塑封体、6-蚀刻凹槽。具体实施例方式下面结合附图1-5和实施例对本专利技术做进ー步说明，以方便技术人员理解。实施例I先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具体制作エ艺按照如下步骤进行第一歩、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50 μ m,粗糙度Ra O. IOum ；第二步、采用双刀划片机及其エ艺进行划片；第三步、采用粘片胶上芯；第四步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行压焊；第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；第六步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化；第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封；使用30um颗粒度的塑封料填充；第九步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。实施例2先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具体制作エ艺按照如下步骤进行第一歩、晶圆减薄厚度为130 μ m，粗糙度Ra为O. 20um ；第二步、采用双刀划片机及其エ艺进行划片；第三步、采用胶膜片(DAF)上芯；第四步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行压焊；第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；第六步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化；第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；、第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封；使用31um颗粒度的塑封料填充；第九步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。实施例3先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具体制作エ艺按照如下步骤进行第一歩、晶圆减薄厚度为200 μ m,粗糙度Ra为O. 30um ；第二步、采用普通QFN划片エ艺进行划片；第三步、采用胶膜片(DAF)上芯；第四步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行压焊；第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；第六步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化；第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封；使用32um颗粒度的塑封料填充；第九步、采用与常规AAQFNエ艺相同的方法进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。传统冲压框架在塑封エ序塑封料填充后，由于框架本身平整光滑，塑封料与框架之间的结合度低，极易出现分层的情况，封装件可靠性得不到保证。本专利技术采用的不同于以往的塑封エ艺，先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法在框架与一次塑封料、二次塑封料之间形成有效的防拖拉结构，大大降低封装件分层情况的发生几率，极大提高产品可靠性，优于传统AQQFN产品的塑封效果。权利要求1.一种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺，其特征在于先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具体制作工艺按照如下步骤进行 第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O. IOum O. 30um ； 第二步、划片； 第三步、采用粘片胶上芯； 第四步、压焊； 第五步、采用传统塑封料进行一次塑封； 第六步、后固化； 第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内； 第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封； 第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于腐蚀、喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺，其特征在于：先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先喷砂后刷绿漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具体制作工艺按照如下步骤进行：第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra？0.10um～0.30um；第二步、划片；第三步、采用粘片胶上芯；第四步、压焊；第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；第六步、后固化；第七步、框架背面蚀刻凹槽；用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、刷磨、刷绿漆、二次塑封；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗育光，郭小伟，崔梦，蒲鸿鸣，李万霞，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：
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