集成加速度和磁传感器的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及一种集成加速度和磁传感器的封装结构及其封装方法，其包括第一晶圆、键合在第一晶圆正面上方的第二晶圆以及设置于第二晶圆上的磁传感器。其中第一晶圆上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构。第二晶圆上设有与第一腔体配合的第二腔体，第二腔体的尺寸大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。本发明专利技术将三轴加速度传感器和三轴磁传感器集成到同一个封装结构，实现了六轴传感器的高度集成，有利于传感器功能的进一步集成与开发。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种传感器封装结构和方法，尤其涉及ー种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法。
技术介绍
随着消费类电子功能的日益扩展，传感器的应用逐步普及，影像传感器、加速度传感器、磁传感器等等已经成为ー些手持类电子设备的标配。但是这些不同功能的传感器往往以独立的产品出现在手持类电子设备中，如两轴或三轴加速度传感器、两轴或三轴磁传感器、陀螺仪等；并且即便是单ー传感器产品，其尺寸也相对较大，如加速度传感器产品尺寸为3x3mm。目前市场上鲜有将两种或多种传感器集成到同一封装体中的产品，即使有个别集成产品面世，也是5x5mm或者3x3mm的大尺寸产品。多个单ー传感器的使用不仅大大降低了产品组装的效率，也浪费了 PCB板上的大 量空间，増加了产品成本，限制了传感器产品的普及和推广。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，现有传感器集成产品匮乏且封装尺寸较大、成本较高，本专利技术g在提供ー种集成两种多轴传感器的超小尺寸封装结构和封装方法。为了解决上述技术问题，本专利技术所提出的技术方案是ー种集成加速度和磁传感器的封装结构，其包括 第一晶圆，其上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构，第一晶圆的正面设有金属焊盘； 第二晶圆，其键合在所述第一晶圆的上方，其开设有用干与第一腔体配合的第二腔体，且第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸； 金属导线，其由所述金属焊盘引出并再分布到键合后的第一晶圆的背面 磁传感器，其设置于所述第二晶圆上。进ー步的，在不同实施方式中，其中磁传感器设置于所述第二腔体的ー侧。进ー步的，在不同实施方式中，其中加速度传感器为三轴加速度传感器。进ー步的，在不同实施方式中，其中加速度传感器为三轴热式加速度传感器。进ー步的，在不同实施方式中，其中第一腔体和第二腔体内密封有O. 5 — 4个大气压的重气。进ー步的，在不同实施方式中，其中磁传感器为三轴磁传感器。进ー步的，本专利技术的又ー个方面，提供了ー种集成加速度和磁传感器的封装方法，其包括有以下步骤准备第一晶圆，其上设置驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器；对所述第一晶圆的正面进行刻蚀，以释放加速度传感器的机械结构，并形成第一腔体，第一晶圆的正面上在第一腔体以外的位置设置金属焊盘； 准备第二晶圆，其设置有磁传感器，对其进行加工形成与所述第一腔体配合的第二腔体，第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸； 将第一晶圆与第二晶圆进行键合，键合后第二晶圆在第一晶圆的上方，第二腔体在第一腔体的上方； 将第一晶圆正面的金属焊盘引出至背面，将引出的金属导线在背面进行再分布； 在第一晶圆的背面设置焊球。进ー步的，在不同实施方式中，其中在晶圆键合之后，金属焊盘引出之前，还包括对所述第一晶圆进行减薄的步骤。进ー步的，在不同实施方式中，其中第一晶圆与第二晶圆间的键合方式可以为共晶键合、金属热压合、环氧密封结合中的ー种。进ー步的，在不同实施方式中，其中将金属焊盘引出至第一晶圆背面的方式为侧壁引线エ艺或硅通孔エ艺。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是本专利技术将三轴加速度传感器和三轴磁传感器集成到同一个封装结构，由于封装采用先进的晶圆级封装技术，集成后的六轴封装结构尺寸比原先单个三轴加速度传感器或三轴磁传感器的封装尺寸还要小，不仅实现了六轴传感器的高度集成，还实现了超小尺寸2x2x1mm的集成封装，而且也实现了封装成本的最小化。本专利技术的出现有利于传感器功能的进ー步集成与开发，拓展了传感器的应用。附图说明图I是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装结构的其中一个实施例的示意 图2是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装结构的另ー个实施例的示意 图3是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装方法中第一晶圆和第二晶圆加工好之后的不意 图4是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装方法中第一晶圆和第二晶圆键合在一起的不意 图5是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装方法中金属焊盘引出的示意图；和 图6是本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装方法中焊球形成的示意图。具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。请參见图I所示，本专利技术涉及的ー种集成加速度和磁传感器的封装结构的第一实施例100，其包括第一晶圆11和第二晶圆21。其中第一晶圆11上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路(未显示)，第一晶圆11上还开设有第一腔体12，第一腔体12中设有加速度传感器的机械结构。此外，第一晶圆11的正面在第一腔体12之外还设置有金属焊盘13。第二晶圆21，其键合在第一晶圆11的上方。其上开设有用干与第一腔体12配合的第二腔体22，并且第二腔体22沿晶圆表面的宽度大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。磁传感器3设置在第二晶圆21的第二腔体22的ー侧。键合后的第一晶圆11的背面设置金属导线14，其由金属焊盘13引出并再分布到第一晶圆11的背面。其中，焊盘引出方式采用的是侧壁引线エ艺。进ー步的，如 图2所示，其图示了本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器的封装结构的第二实施例200，其结构与第一实施例的结构类似，也包括第一晶圆31和第二晶圆41。其与第一实施例的不同在于其金属焊盘33引出金属导线34的方式不同，其为在第一晶圆31上打孔引出，是通过硅通孔(TSV)エ艺实现，而第一实施例的焊盘引出是通过侧壁引线エ艺实现。进ー步的，如图3 — 6所示，本专利技术还提供了ー种制造本专利技术涉及的集成加速度和磁传感器封装结构的封装方法，其包括有以下步骤 I、第一晶圆与第二晶圆准备和加工(如图3所示) 准备第一晶圆11，在本实施方式中，其为CMOS晶圆，在其上设置驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路(未显示)以及加速度传感器的结构电路(未显示)。对第一晶圆11的正面进行干法或湿法刻蚀，以释放加速度传感器的机械结构，并形成第一腔体12，在第一晶圆11的正面上除第一腔体12以外的位置设置金属焊盘13。准备第二晶圆21，在本实施方式中，其为盖帽晶圆(Cap wafer)，具体可以是硅片。对其进行刻蚀形成与第一腔体11配合的第二腔体22，并且第二腔体22沿晶圆表面的宽度大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。其中刻蚀方式可以采用干法刻蚀或湿法刻蚀。而磁传感器3是设置在第二晶圆21的第二腔体22的ー侧。2、第一晶圆与第二晶圆键合(如图4所示) 将第一晶圆11与第二晶圆21进行键合，键合后第二晶圆21在第一晶圆11的上方，第ニ腔体22在第一腔体12的上方。其中CMOS晶圆与盖帽晶圆进行键合是晶圆间的键合(wafer to wafer bonding)。而采用的键合方式可以包括但不限于，共晶键合，例如，Au-Sn> Cu-Sn> Au-Si等；金属热压合，例如，Au-Au、Al-Al等。也可采用环氧进行密封结合，例如，EPOXY公司的353ND、353ND-T坐寸ο此外，当加速度传感器为热式加速度传感器吋，键合过程中还会将一定气压的重气密封在第一腔体12和第二腔体22之内。其中重气是指分子量较大的气体，可以使用的气体包括但不限于，例如，SF6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于：其包括：第一晶圆，其上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构，第一晶圆的正面设有金属焊盘；第二晶圆，其键合在所述第一晶圆的上方，其开设有用于与第一腔体配合的第二腔体，且第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸；金属导线，其由所述金属焊盘引出并再分布到键合后的第一晶圆的背面；磁传感器，其设置于所述第二晶圆上。

【技术特征摘要】
1.一种集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于其包括 第一晶圆，其上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构，第一晶圆的正面设有金属焊盘； 第二晶圆，其键合在所述第一晶圆的上方，其开设有用于与第一腔体配合的第二腔体，且第二腔体的尺寸大于或等于所述加速度传感器机械机构的尺寸； 金属导线，其由所述金属焊盘引出并再分布到键合后的第一晶圆的背面； 磁传感器，其设置于所述第二晶圆上。2.根据权利要求I所述的集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于所述磁传感器设置于所述第二腔体的一侧。3.根据权利要求I所述的集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于所述加速度传感器为三轴加速度传感器。4.根据权利要求3所述的集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于所述加速度传感器为三轴热式加速度传感器。5.根据权利要求4所述的集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于所述第一腔体和第二腔体内密封有O. 5 — 4个大气压的重气。6.根据权利要求I所述的集成加速度和磁传感器的封装结构，其特征在于所述磁传感器为三轴磁传感器。7.一种制造如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东敏，刘海东，段志伟，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：