本实用新型专利技术涉及一种无可控硅异常保护线路，包括异常采样模块、高频振荡模块、保护线路动作模块和防重启模块，保护线路动作模块由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样，实现通过整流效应及不对称功率测试的电子镇流器异常保护线路；本实用新型专利技术保护线路动作模块包括由两个三极管搭建可控硅电路的连接方式，PNP三极管的基极与射极分别与NPN三极管的集电极与基极相连，PNP三极管的集电极与基极之间和NPN三极管基极与射极之间采用RC滤波电路，稳压管触发连接NPN三极管的基极，与保护线路有电感双向采样与该保护线路动作模块之间组合使用，使其能通过整流效应及不对称功率测试。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种采用两个三极管替代可控硅，电感电流双重采样，可以通过整流效应及不对称功率的无可控硅异常保护线路。
技术介绍
随着电子镇流器的广泛应用，电子镇流器将会在各种环境中工作，如潮湿、高温、低温等恶劣条件，为使电子镇流器在这些复杂的环境中电子镇流器保护线路都能正常エ作，不会出现误动作，这要求异常保护线路具有良好的抗干扰性能。现行电子镇流器为通过认证要求的整流效应及不对称功率，采用了较为复杂的保护电路模式，如集成运放IC进行异常信号进行采集，需配合周边复杂的外围电路才可以实现整流效应及不对称功率的测试通过。因其电路结构复杂，可靠性较低，且成本高，性价比较低。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的主要目的在于提供一种采用两个三极管替代可控硅，电感电流双重采样，可以通过整流效应及不对称功率的无可控硅异常保护线路，成本低，性价比高。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块、高频振荡模块、保护线路动作模块和防重启模块，所述保护线路动作模块由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样。在本技术的具体实施例子中，所述保护线路动作模块包括由ー个PNP三极管和ー个NPN三极管这两个三极管搭建可控硅电路的连接方式，PNP三极管的基极与射极分别于NPN三极管的集电极与基极相连，PNP三极管的集电极与基极之间和NPN三极管基极与射极之间采用RC滤波电路，稳压管触发连接NPN三极管的基板，与保护线路有电感双向采样与该保护线路动作模块之间组合使用，使其能通过整流效应及不对称功率测试。在本技术的具体实施例子中，所述保护线路动作模块采用稳压管触发使NPN三极管导通，使PNP三极管和NPN三极管形成正反馈，迅速饱和。本技术的积极进步效果在于本技术提供的无可控硅异常保护线路具有以下优点本技术由两个小封装三极管替代可控硅构成电子镇流器保护线路，可以エ作在各种潮湿、高低温环境中，不会出现误动作及不能及时进入保护现象，性价比更高。附图说明图I是本技术提供的异常保护电路的框图。图2是本技术提供的异常保护电路的原理图。具体实施方式以下结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。图I是本技术提供的异常保护电路的框图，图2是本技术提供的异常保护电路的原理图。如图I和2所示，本技术包括异常采样模块I、高频振荡模块2、保护线路动作模块3和防重启模块4，保护线路动作模块3由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样，实现通过整流效应及不对称功率测试的电子镇流器异常保护线路。所述保护线路动作模块3包括由两个三极管搭建可控硅电路的连接方式，PNP三极管的基极与射极分别于NPN三极管的集电极与基极相连，PNP三极管的集电极与基极之间和NPN三极管基极与射极之间采用RC滤波电路，R15、C17与R16、C18，稳压管触发连接 NPN三极管的基极，与保护线路有电感双向采样与该保护线路动作模块之间组合使用，使其能通过整流效应及不对称功率测试。所述保护线路动作模块采用稳压管触发使NPN三极管Q4导通，使两个三极管Q3 及Q4形成正反馈，迅速饱和。所述异常采样模块I由具有一个初级绕组和两个相位相反的次级绕组组成的谐振电感L3，信号采样由L3的两个次级绕组分别通过R12、D15和R12-1、D15-1两路整流后经R13限流给小电解E14充电，R14对小电解放电。电解E14所维持的电压可以通过调节限流电阻R13及R14，使镇流器在正常工作时不会触发保护；当处于异常状态时，小电解的充电速度远大于放电速度，达到ZDl触发电压，当ZDl产生的触发小电流使三极管Q4导通， 使其集电极点位拉低促使PNP三极管Q3导通，Q3的发射极电流流入Q4的基极，就这样Q3 及Q4形成正反馈，以致Q3和Q4迅速进入饱和，使得A点与地之间阻抗极低，这样给电解 E14流经一个阻抗很低的回路，如图2中带箭头的线所示，此时在下管磁环驱动3和4端产生上负下正的电势使得下管迅速关断，破坏了两个三极管件的谐振，使镇流器停止工作；同时，通过二极管D17将启动电容Cll电位拉低，使得Cll电容上的电压不足以触发DB3使镇流器重新开始工作，到达镇流保护的目的。本技术由两个小封装三极管替代可控硅构成电子镇流器保护线路，可以工作在各种潮湿、高低温环境中，不会出现误动作及不能及时进入保护现象，性价比更高。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内，本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块（1）、高频振荡模块（2）、保护线路动作模块（3）和防重启模块（4），其特征在于：所述保护线路动作模块（3）由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样。
【技术特征摘要】
1.一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块(I)、高频振荡模块(2)、保护线路动作模块(3)和防重启模块(4)，其特征在于所述保护线路动作模块(3)由两个小功率三极管搭建可控硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾贤华，滕德根，
申请(专利权)人：欧普照明有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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