一种无可控硅异常保护线路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无可控硅异常保护线路，包括异常采样模块、高频振荡模块、保护线路动作模块和防重启模块，保护线路动作模块由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样，实现通过整流效应及不对称功率测试的电子镇流器异常保护线路；本实用新型专利技术保护线路动作模块包括由两个三极管搭建可控硅电路的连接方式，PNP三极管的基极与射极分别与NPN三极管的集电极与基极相连，PNP三极管的集电极与基极之间和NPN三极管基极与射极之间采用RC滤波电路，稳压管触发连接NPN三极管的基极，与保护线路有电感双向采样与该保护线路动作模块之间组合使用，使其能通过整流效应及不对称功率测试。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种采用两个三极管替代可控硅，电感电流双重采样，可以通过整流效应及不对称功率的无可控硅异常保护线路。
技术介绍
随着电子镇流器的广泛应用，电子镇流器将会在各种环境中工作，如潮湿、高温、低温等恶劣条件，为使电子镇流器在这些复杂的环境中电子镇流器保护线路都能正常エ作，不会出现误动作，这要求异常保护线路具有良好的抗干扰性能。现行电子镇流器为通过认证要求的整流效应及不对称功率，采用了较为复杂的保护电路模式，如集成运放IC进行异常信号进行采集，需配合周边复杂的外围电路才可以实现整流效应及不对称功率的测试通过。因其电路结构复杂，可靠性较低，且成本高，性价比较低。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的主要目的在于提供一种采用两个三极管替代可控硅，电感电流双重采样，可以通过整流效应及不对称功率的无可控硅异常保护线路，成本低，性价比高。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块、高频振荡模块、保护线路动作模块和防重启模块，所述保护线路动作模块由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样。在本技术的具体实施例子中，所述保护线路动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块（1）、高频振荡模块（2）、保护线路动作模块（3）和防重启模块（4），其特征在于：所述保护线路动作模块（3）由两个小功率三极管搭建可控硅原理替代可控硅，组合电感双向采样。

【技术特征摘要】
1.一种无可控硅异常保护线路，所述保护线路包括异常采样模块(I)、高频振荡模块(2)、保护线路动作模块(3)和防重启模块(4)，其特征在于所述保护线路动作模块(3)由两个小功率三极管搭建可控硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾贤华，滕德根，
申请(专利权)人：欧普照明有限公司，
类型：实用新型
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