【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种利用直流弧放电产生NH3+SiH4高密度等离子体的装置,属于太阳能电池
技术介绍
目前等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备广泛应用于晶体硅太阳能电池片制造过程中的减反射膜氮化硅(SixNy)薄膜的制备,是太阳能电池生产线上的关键设备之一。等离子体源是PECVD沉积设备中最关键、最核心的部件,它直接决定了薄膜的产能、自动化程度以及电池的有效使用面积。直流多级弧放电等离子体源因为可以在实现高速的沉积率(20nm/s)的同时保证薄膜的各方面性能而得到越来越广泛的关注和使用。目前晶硅电池生产中使用的PECVD装置是通过阴极处注入Ar而产生高密度等离子体,然后高密度Ar 等离子体离化从阳极拉瓦尔喷嘴出口处喷出的NH3气源形成Ar+NH3等离子体,最后从阳极喷出的八^順3等离子体离化从阳极正下方一定距离的中空圆环中喷出的SiH4气源,最终形成Ar+NH3+SiH4S相非平衡等离子体。在实际使用过程中,喷出SiH4气源的圆环与阳极的距离对SiH4的离化有很大影响。随着等离子体源工艺参数的改变,为了获得高SiH4离化率的同时保证薄膜的良好性能,需不断调整圆环和阳极之间的距离,这就使得减反射薄膜的制备工艺更加复杂。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足而提供一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置,该装置既能产生NH3+SiH4高密度等离子体,又能简化减反射薄膜的制备工艺。为达到上述目的,本技术采用的解决方案是该等离子体发生装置包括放电腔室、阳极、铈钨阴极、绝缘层、水冷铜板和拉瓦尔喷嘴,在放电腔室的底部设有绝缘层,在绝缘层下设 ...
【技术保护点】
一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置,包括放电腔室(7)、阳极(16)、铈钨阴极(2)、绝缘层(13)、水冷铜板(12)和拉瓦尔喷嘴(17),在放电腔室(7)的底部设有绝缘层(13),在绝缘层(13)下设有水冷铜板(12),绝缘层?水冷铜板上下交错叠加3?7次,每个水冷铜板(12)上设有冷却水的进口(8)、出口(15)及通道,阳极(16)位于绝缘层?水冷铜板的叠加层下,其上设有拉瓦尔喷嘴(17),其特征在于:a.在放电腔室(7)的上方设有一阴极本体(3),阴极本体(3)通过耐高温的绝缘管(6)与放电腔室(7)的顶部连接,铈钨阴极(2)套装于阴极本体(3)和绝缘管(6)中,其上端穿出阴极本体(3)位于密封罩(1)内,其下端穿出绝缘管(6)位于放电腔室(7)内,在阴极本体(3)上设有逆变直流电源的接头(5)、氩气、氢气的导入口(10)和冷却水的进口(4)及出口(11);b.所述绝缘层?水冷铜板叠加层的最下面一层为水冷铜板(12),该水冷铜板(12)与阳极(16)直接接触,其上设有氨气气源的导入口(14)和通道;c.在阳极(16)上设有硅烷气源的导入口(9)及通道,在拉瓦尔喷嘴( ...
【技术特征摘要】
1.一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置,包括放电腔室(7)、阳极(16)、铈钨阴极⑵、绝缘层(13)、水冷铜板(12)和拉瓦尔喷嘴(17),在放电腔室(7)的底部设有绝缘层(13),在绝缘层(13)下设有水冷铜板(12),绝缘层-水冷铜板上下交错叠加3-7次,每个水冷铜板(12)上设有冷却水的进口(8)、出口(15)及通道,阳极(16)位于绝缘层-水冷铜板的叠加层下,其上设有拉瓦尔喷嘴(17),其特征在于 a.在放电腔室(7)的上方设有一阴极本体(3),阴极本体(3)通过耐高温的绝缘管(6)与放电腔室(7)的顶...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈波,
申请(专利权)人:成都科尚科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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