【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置，属于直流弧放电等离子体
技术介绍
目前许多国家，尤其是工业发达国家，高度重视太阳能及其它可再生能源的发展。 处于太阳能电池产业链前端的制造设备(包括材料提纯硅片制造设备、电池制造的PECVD 设备、组件制造设备及相关的检测仪器等)随着太阳能电池产业的兴起得到了长足发展， 其中市场最大、用量最多的PEVD制造设备的发展尤为迅速。PECVD设备中最关键、最核心的部件是等离子体源，它直接决定了太阳能电池的产能、自动化程度以及电池的有效使用面积。随着太阳能电池市场的迅猛发展，对等离子体源品质的要求也越来越高，特别是对其低能和高密度的要求。目前市场上广泛使用的是射频等离子体源，这种等离子体源在提高等离子体密度的同时，必须增加射频电源的电压，但这样做会造成鞘层电势和轰击到基片上离子的能量也将随之增加，而高能量的离子的轰击将导致沉积薄膜的溅射和薄膜的损伤。因此，现有的等离子体发生器的使用效果还不够理想。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足而提供一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置，该装置既能保证产生高...
【技术保护点】
１．一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置，包括放电腔室（５）、阴极（２）和阳极（９），阳极（９）接地，阴极（２）与直流电源连接，其特征在于：阴极（２）为钨阴极，共一根，插装在放电腔室（５）的顶部中央，其尖端部分位于放电腔室（５）中，在放电腔室（５）的底部设有绝缘层（７），在绝缘层（７）下设有水冷铜板（１０），绝缘层－水冷铜板交错叠加５－８次，各绝缘层（７）和水冷铜板（１０）的中心孔连通构成放电通道（１５），在第一个水冷铜板（１０）内设有供气体源进入的气体源接口（８），设有拉瓦尔喷嘴（１６）的阳极（９）安装在最下面绝缘层（７）的下方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：成都科尚科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90
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