一种提高类单晶晶体质量的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高类单晶晶体质量的方法，具有以下步骤：（1）硅片清洗，（2）硅片漂洗，（3）硅片表面处理：在硅片表面形成氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜厚度>70nm，形成钝化硅片；（4）高纯石英板表面处理：高纯石英板的纯度>4N，将高纯石英板置于氢氟酸、氟化铵、去离子水配置的溶液中浸泡，溶液配比：V氢氟酸：V氟化铵：V去离子水=1：7：5，浸泡时间>3min（5）高纯石英板清洗，（6）高纯石英板喷涂，（7）铺放。本发明专利技术使得类单晶晶锭少子寿命得到明显提高，晶锭绝对收益提高4%，同时经过表面处理的高纯石英板可以多次利用，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
70年代以来，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家掀起了开发利用太阳能的热潮。晶硅太阳电池因为可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点，成为太阳电池的主要品种在光伏市场居统治地位。就其晶体形态而言，主要有单晶硅、多晶硅及非晶硅三大类。非晶硅电池成本低、生产效率高但转换效率也较低且由于非晶硅的S-W效应，致使其性能稳定性较差；单晶硅的电池转换效率高、稳定性好，但拉制工艺相对复杂，且对原料要求较严，导致成品电池成本偏高；多晶硅制造工艺简单、成本低廉、生产效率高，但相对直拉单晶硅，铸锭多晶硅的电池效率要小1-2%，其主要原因是由于铸锭多晶硅中存在大量的晶界和位错等缺陷，它们在硅禁带中引入深能级，成为少数载流子的强复合中心，降低太阳能电池 的光电转换效率，而光电效率的降低必将导致成品电池成本升闻。目前光伏行业广泛采用籽晶诱导方法铸锭生产单晶向、大晶粒的铸锭晶硅(类单晶)，如专利CN 101654805A，从而降低晶界和位错密度，改善晶体质量，提高电池效率，降低成品电池成本。但此方法存在一定的缺陷，即在铸锭生产过程中，由于籽晶长期与坩埚接触，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高类单晶晶体质量的方法，其特征在于具有以下步骤 (1)硅片清洗原生硅片去除表面杂质和油污； (2)硅片漂洗用超纯水漂洗经清洗过的硅片后吹干； (3)硅片表面处理利用等离子体增强化学气相沉积法或低压化学气相沉积法处理硅片，在娃片表面形成氮化娃钝化膜，氮化娃钝化膜厚度>70nm,形成钝化娃片； (4)高纯石英板表面处理高纯石英板的纯度MN，将高纯石英板置于氢氟酸、氟化铵、去离子水配置的溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：张驰，熊震，付少永，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：