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本发明涉及一种提高类单晶晶体质量的方法，具有以下步骤：（1）硅片清洗，（2）硅片漂洗，（3）硅片表面处理：在硅片表面形成氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜厚度>70nm，形成钝化硅片；（4）高纯石英板表面处理：高纯石英板的纯度>4N，将高纯石英板置...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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