本发明专利技术涉及用于施加在光传感器层(4)上的闪烁器层(1)、使用根据本发明专利技术预先准备的闪烁器层(1)所制造的用于离子辐射的成像显示的X光检测器或X光检测器元件、用于施加在光传感器层(4)上的这样的闪烁器层(1)的预先准备方法、以及用于离子辐射的成像显示的X光检测器或X光检测器元件的制造方法。根据本发明专利技术，通过在闪烁器层(1)的生产中在该闪烁器层(1)上涂敷带有保护层(3)的粘合剂层(2)，从而改进制造过程。这可以逐层进行，为此也可使用已包含作为保护薄膜的所述保护层(3)的传递粘性带(3，2，8)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于施加在光传感器层上的闪烁器层、用于对由相应的预先准备的闪烁器层产生的离子辐射进行成像检测的X光检测器或X光检测器元件、用于施加在光传感器层上的这样的闪烁器层的准备方法、以及用于离子辐射的成像检测的X光检测器或X光检测器元件的制造方法。
技术介绍
参考文献US 2008/0206917A1。在该文献中公开了在成像显示的范围中用于离子辐射的这样的辐射检测器的制造方法。在此，借助于由粘合剂层和两个包围此粘合剂层的保护薄膜所组成的传递粘性带，在揭去一个保护薄膜后将粘合剂层层叠在光传感器层上。 在直接跟随其后的处理过程中，将仍保留的第二保护薄膜从传递粘性带或从位于光传感器层上的粘合剂层揭去，并且在真空下将闪烁器层敷设在提供有粘合剂层的光传感器层上并与之粘合。在此，有问题的是，特别地由于必须产生真空，在所述文献中所公开的加工过程是很昂贵的。此外，在此方法中，在第一粘合过程中形成的但仍相对小的气隙由于第二粘合过程中的真空的作用而被放大。
技术实现思路
因此，本专利技术的任务是找到用于X光检测器或X光检测器元件的替代的制造方法，其中更简单地形成在闪烁器层和光传感器层之间的组合。特别地，也提供了如下可能性，即使得位置上分开地制造闪烁器层，并且如需要可被运输到整个传感器的安装位置处，也就是闪烁器层和光传感器层连结的位置处。本专利技术人认识到如下情况在用于借助于离子辐射用于医疗应用或用于NDT(NDT=Non Destructive Testing =无损检测)的成像显示的检测器的制造时,将闪烁器、例如在铝基底或G0S(G0S =硫氧化钆=Gd2O2S)增强膜上的CsI:Tl，布置在例如CMOS阵列(CMOS=Complementary Metal Oxide Semiconductor =互补性氧化金属半导体)或 CCD 阵列(CCD = Charge Coupled Device =电荷稱合器件)的光传感器的上方，特别地利用无定形硅技术(a-Si)布置。闪烁器层仅被压上或被粘合。粘合具有的优点是将更多的光从闪烁器耦合到光传感器内。同时也制造检测器的闪烁器制造商将两个部件在纯净的空间环境中粘合。同样情况也适用于从OEM制造商处购买闪烁器的检测器制造商。这些制造商至少对闪烁器进行抽样检验形式的进厂检验，然后将闪烁器粘合在光传感器上。对于为不具有自身的闪烁器生产的检测器制造商提供产品的闪烁器制造商，另外存在问题。一方面，闪烁器层特别是CsI层对于空气湿度很敏感。例如，闪烁器层内的针可能被流散或腐蚀基底，以此使成像质量恶化。另一方面，专利技术人已经认识到，在制造过程中，特别地对于检测器制造商会更为简单，如果粘合剂层已处于所提供的闪烁器层上，并且在揭去保护薄膜之后可直接与光传感器层粘人口 O根据本专利技术，因此可通过在生产闪烁器层时在闪烁器层上涂敷带有保护层的粘合剂层，而使制造过程容易。其可逐层进行，但为此也可使用传递粘性带，所述传递粘性带如需要则已包含作为保护薄膜的保护层。如果使用带有包围了粘合剂层的双重保护薄膜的传递粘性带，则首先去除一个保护薄膜并且将剩余的带有粘合剂层的传递粘性带粘合在闪烁器表面上。补充地，在此也可在第二步骤中将另外的保护层，例如将聚对二甲苯和/或例如带有Ti02、Al203、Si0或SiNx的无机保护层施加在传递粘性带上。替代地，但也可使得传递粘性带已构造为带有此附加的保护层。在本申请的意义中，闪烁器层在此理解为基底与沉积在其上的闪烁器材料的已知的组合，所述闪烁器材料例如为CsI:Tl，如需要则提供有附加的保护层，其中基底侧总是背离粘合剂层。相应地，在本申请的意义中，光传感器层理解为逐像素地由光信号产生电子信 号的每个层结构。根据此基本构思，本专利技术人建议了一种闪烁器层，所述闪烁器层被预先准备以施加在光传感器层上，以便使用在用于离子辐射的成像显示的检测器中，其中闪烁器层在至少一侧上具有粘合剂层，在所述粘合剂层上向外施加了可揭去的特别是保护薄膜的保护层，所述保护层在将闪烁器层与光传感器层粘合前才被去除。优选地，可在已经施加保护层之后，即在与光传感器层连结之前，对闪烁器层进行光电测试。以此，可避免可能的昂贵的明显大量的废品。此外，本专利技术人建议了用于离子辐射的成像检测的X光检测器或X光检测器元件，所述X光检测器或X光检测器元件通过如下方式制造，即从带有至少单侧所施加的粘合剂层的闪烁器层揭去特别是保护薄膜的保护层，并且然后直接将闪烁器层与光传感器层的光敏侧粘合，其中粘合剂层位于闪烁器层和光传感器的光敏侧之间。在根据本专利技术的此X光检测器或X光检测器元件中，与光传感器层粘合前，在已经施加粘合剂层和保护层的情况下，闪烁器层可以通过X光激励来接受光电测试。有利地，在以上所述的设备中，可使用另外的在外部施加的聚对二甲苯层来密封保护层。此外，建议了一种准备用于施加在光传感器层上的特别是闪烁器片(Szintillatorchip)的闪烁器层的方法,所述方法具有如下方法步骤-提供闪烁器层，-在闪烁器层的至少一侧上施加粘合剂层，-在至少一个粘合剂层上施加特别是保护薄膜的保护层。在本专利技术的范围内也建议了一种用于离子辐射的成像检测的X光检测器或X光检测器元件的制造方法，所述方法具有如下步骤-提供闪烁器层，-在闪烁器层的至少一侧上施加粘合剂层，和-在至少一个粘合剂层上施加特别是保护薄膜的保护层，-去除保护层，-将闪烁器层与光传感器层粘合。可例如在闪烁器层上刮铺(aufgerakelt)或通过丝网印刷来施加粘合剂层。在此，特别地有利地，可使用膏状或液体粘合剂。最后，特别有利的是借助于传递粘性带将粘合剂层施加在闪烁器层上，其中，传递粘性带由至少一个粘合剂层和将粘合剂层单侧覆盖的保护层或将粘合剂层双侧覆盖的两个保护层形成。如果传递粘性带具有双侧保护层，则在施加粘合剂层前必须去除保护层中的一个。此外，在工作流程中的施加粘合剂层和保护层，可以通过下述方式实现包括粘合剂层和保护层的传递粘性带借助粘合剂层被施加在闪烁器层上，并且直至马上将闪烁器层与光传感器层粘合之前将保护层保留在粘合剂层上。 根据本专利技术，传递粘性带被层叠，其中为此可使用至少一个滚子或固定的刮板。此外，可在保护层上施加用于密封空气和水蒸气的封闭的另外的保护层，所述保护层是由聚对二甲苯和/或由特别地含有Ti02、A1203、SiO或SiNx的无机材料所制成的另外的保护层。附图说明在下文中，将借助于附图进一步描述本专利技术，其中仅图示了对于理解本专利技术所必须的特征。使用如下附图标号1 :闪烁器层；2粘合剂层；2. I:粘合剂珠(Klebstoffraupe) ；3 :保护薄膜/保护层；4 :光传感器层；5 :测量元件；6 :运输装置；7 :制造装置;8 :保护薄膜/保护层；9 :保护层；10 :刮板；11 :滚子；12 :CCD-基片(CCD = ChargeCoupled Device =电荷稱合器件)或 CMOS-基片(CMOS = Complementary Metal OxideSemiconductor =互补金属氧化物半导体)；1至IX :方法步骤。各图为图I示出了由光传感器层和闪烁器层构成的检测器层的制造方法的示意性图示；图2示出了由光传感器层和闪烁器层构成的检测器层的通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2010.11.26 DE 102010062033.51.一种闪烁器层(I)，所述闪烁器层⑴被预先准备以施加在光传感器层⑷上，以便使用在用于离子辐射的成像显示的检测器内，其中，该闪烁器层(I)在至少一个侧上具有粘合剂层(2)，在所述粘合剂层(2)上向外施加了可揭去的保护层(3)，所述保护层(3)在将该闪烁器层(I)与光传感器层(4)粘合前才被去除。2.根据前述权利要求I所述的闪烁器层(I)，其特征在于，所述闪烁器层(I)在被施加保护层(3)之后接受光电测试。3.一种用于离子辐射的成像检测的X光检测器或X光检测器元件，其如下被制造从至少单侧带有所施加的粘合剂层(2)的闪烁器层(I)揭去保护层(3)，并且然后直接将所述闪烁器层(I)与光传感器层(4)的光敏侧粘合，其中，所述粘合剂层(2)位于该闪烁器层(I)和光传感器⑷的光敏侧之间。4.根据前述权利要求3所述的X光检测器或X光检测器元件，其特征在于，在施加了粘合剂层(2)和保护层(3)的情况下，在与所述光传感器层(4)粘合前，所述闪烁器层(I)接受光电测试。5.根据前述权利要求I至4中任一项所述的设备，其特征在于，所述保护层(3)借助附加的在外部施加的聚对二甲苯层(9)被密封。6.一种准备用于施加在光传感器层(4)上的闪烁器层(I)(特别是闪烁器片)的方法，所述方法具有如下方法步骤 6.I.提供所述闪烁器层(I)， 6.2.在该闪烁器层(I)的至少一侧上施加粘合剂层(2)， 6.3.在至少一个粘合剂层(2)上施加保护层(3)。7.—种制造用于离子辐射的成像检测的X光检测器或X光检测器元件的方法，所述方法具有如下方法步骤 7.1.提供闪烁器层(1)， 7.2.在所述闪烁器层(I)的至少一侧上施加粘合剂层(2)，和 7.3.在至少一个粘合剂层(2)上施加保护层(3)， 7.4.去除所述保护层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：M福克斯，K洛瓦克，A普雷斯勒，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：
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