辐射探测用的卤化物闪烁体制造技术

技术编号:14683762 阅读:156 留言:0更新日期:2017-02-22 17:15
本发明专利技术涉及辐射探测用的卤化物闪烁体。具体地,公开了一种卤化物闪烁体材料。所述材料是单晶的且具有式A3MBr6(1‑x)Cl6x(如Cs3CeBr6(1‑x)Cl6x)或AM2Br7(1‑x)Cl7x(如CsCe2Br7(1‑x)Cl7x)的组成,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。更进一步地,公开了上述组成的卤化物闪烁体材料的制备方法。在一个实例中,混和高纯度起始卤化物(如CsBr、CeBr3、CsCl和CeCl3),并将其熔融以合成具有闪烁体材料所需组成的化合物。闪烁体材料的单晶随后通过Bridgman方法从所合成的化合物生长。公开的闪烁体材料适于制造用于例如医学成像和国土安全的闪烁体探测器。

【技术实现步骤摘要】
分案申请本申请是2011年5月9日提交的中国申请号为201110175721.2的在先申请的分案申请。对相关申请的交叉引用本申请要求2010年5月10日提交的美国临时申请序列号61/332,934的权益。本申请也涉及共同受让的与本申请同日提交的名为“辐射探测用的氯化物闪烁体(CHLORIDESCINTILLATORFORRADIATIONDETECTION)”的非临时美国专利申请,并要求于2010年5月10日提交的美国临时申请序列号61/332,972和与本申请同日提交的名为“辐射探测用的碘化物闪烁体(IODIDESCINTILLATORFORRADIATIONDETECTION)”的非临时美国专利申请的权益,并要求于2010年5月10日提交的美国临时申请序列号61/332,945的权益。所有申请在此引入作为参考。
本公开内容涉及用于在安全成像、医学成像、颗粒物理学以及其它应用中探测电离辐射的闪烁体材料,所述电离辐射例如是X-射线、γ-射线和热中子辐射。本公开内容特别涉及卤化物闪烁体材料。某些方案也涉及这些闪烁体材料的具体组合物、其制备方法以及利用这些闪烁体材料作为组分的设备。
技术介绍
闪烁体材料(其对冲击辐射(impingingradiation)如X-射线、γ-射线和热中子辐射产生响应发出光脉冲)用于探测器中,这些探测器在医学成像、颗粒物理学、地质勘探、安全和其它相关领域有广泛的应用。关于选择闪烁体材料的考虑一般包括但不限于亮度(luminosity)、衰减时间和发射波长。虽然已经制备了许多种闪烁体材料,但仍一直需要更优的闪烁体材料。
技术实现思路
本公开内容通常涉及卤化物闪烁体材料和制备这些闪烁体材料的方法。在一个方案中,卤化物闪烁体材料是单晶的且具有式A3MBr6(1-x)Cl6x的组成,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。在另一方案中,卤化物闪烁体材料是单晶的且具有式AM2Br7(1-x)Cl7x的组成,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。这些闪烁体材料的特殊实例包括单晶Cs3CeBr6(1-x)Cl6x和CsCe2Br7(1-x)Cl7x。更特别的例子包括各式的断点成员:Cs3CeBr6和CsCe2Br7,即,x=0;和Cs3CeCl6和CsCe2Cl7,即,x=1。本公开内容的另一方面涉及制备上述组成的卤化物闪烁体材料的方法。在一个实例中,混和高纯度起始卤化物(如CsBr、CeBr3、CsCl和CeCl3),并将其熔化以合成具有所需闪烁体材料组成的化合物。单晶闪烁体材料通过Bridgman方法从所合成的化合物生长,其中将包含所合成的化合物的密封安瓿以受控的速度从热区域至冷区域输送通过受控的温度梯度,从而由熔融的合成化合物形成单晶闪烁体。附图说明图1示出了根据本专利技术一方面制备的单晶Cs3CeCl6。图2示出了(a)Cs3CeCl6,(b)CsCe2Cl7,(c)Cs3CeBr6和(d)CsCe2Br7单晶的辐射发光光谱;X-射线源:钨,35kV,0.1mA。图3示出了(a)Cs3CeCl6,(b)Cs3CeBr6,(c)CsCe2Cl7和(d)CsCe2Br7单晶的闪烁衰减时间谱;所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图4示出了(a)CsCe2Cl7和(b)CsCe2Cl7晶体的能谱,(归一化的,BGO标准样品在波段no.100有光峰);所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图5示出了CsCe2Br7单晶的能谱,(归一化的,BGO标准样品在波段no.100有光峰)。图6示出了CsCe2Br7单晶的闪烁衰减时间谱;所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图7示出了Cs3CeBr6单晶的闪烁衰减时间谱;所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图8示出了CsCe2Br7的X-射线激发的辐射发光光谱;图9示出了Cs3CeBr6的X-射线激发的辐射发光光谱;图10分别示出Cs3CeBr6和CsCe2Br7晶体的能谱(归一化的,BGO标准样品在波段no.100有光峰);所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图11示出了Cs3CeBr6单晶的闪烁衰减时间谱;所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图12示出了CsCe2Br7单晶的闪烁衰减时间谱;所述谱使用137Csγ-射线源(662keV)测量。图13分别示出了CsCe2Br7和Cs3CeBr6的X-射线激发的辐射发光光谱。具体实施方式I.概述无机闪烁体通常用于核和高能物理研究、医学成像、国土安全以及地质勘探。这些材料一般对于探测具有充分的阻止能力、高亮度、室温下高光谱能量分辨率以及短衰减时间。某些铈掺杂的卤化物如LaCl3:Ce和LaBr3:Ce,室温下对γ-射线探测具有令人满意的闪烁性能。闪烁体的其它合意性能在于能进行中子-γ识别,这在核不扩散应用方面是重要的。包含钆、锂和硼的材料用于快速和有效地区分中子和γ-射线。本公开内容的一方面中,卤化物闪烁体材料是单晶的且具有式A3MBr6(1-x)Cl6x的组成,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。在另一方案中,卤化物闪烁体材料是单晶的且具有式AM2Br7(1-x)Cl7x的组成,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。这些闪烁体材料的特殊实例包括单晶Cs3CeBr6(1-x)Cl6x和CsCe2Br7(1-x)Cl7x。更特别的例子包括各式的端点成员:Cs3CeBr6和CsCe2Br7,即,x=0;和Cs3CeCl6和CsCe2Cl7,即,x=1。已知Cs3CeCl6、Cs3CeBr6、CsCe2Cl7和CsCe2Br7是相合熔融(congruently-melting)的化合物并且因此适合由熔体来进行晶体的实际生长。上述材料具有足够高的密度,预期具有迅速的闪烁衰减和由于Ce的5d-4f发光而具有高的光输出,这使它们非常适合在例如医学成像和国土安全的应用中用于γ射线和/或X-射线探测。本公开内容的另一方面涉及上述组成的卤化物闪烁体材料的制造方法。在一个实例中,混和高纯度起始卤化物(如CsBr、CeBr3、CsCl和CeCl3),并将其熔融以合成具有闪烁体材料所需组成的化合物。闪烁体材料的单晶然后通过Bridgman方法从所合成的化合物生长,其中将包含所合成的化合物的密封安瓿从热区域至冷区域以受控的速度输送通过受控的温度梯度,来由熔融的合成化合物形成单晶闪烁体。本公开内容的另一方面中,上述闪烁体材料用于通过闪烁进行辐射探测。例如,辐射探测器能包括上述闪烁体,其响应于冲击辐射产生光子。闪烁体光耦合到光子探测器,如光电倍增管(PMT),其经设置以接收通过闪烁体产本文档来自技高网...
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【技术保护点】
含单晶的闪烁体材料,所述单晶具有下式的组成,A3MBr6(1‑x)Cl6x,或者具有下式的组成:AM2Br7(1‑x)Cl7x其中,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。

【技术特征摘要】
2010.05.10 US 61/332934;2011.05.02 US 13/0986421.含单晶的闪烁体材料,所述单晶具有下式的组成,A3MBr6(1-x)Cl6x,或者具有下式的组成:AM2Br7(1-x)Cl7x其中,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb或其任意组合组成,和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。2.根据权利要求1的闪烁体材料,其中x基本为0或x=1。3.根据权利要求2的闪烁体材料,当用662keV的γ-射线激发时,具有是锗酸铋(BGO)光输出的至少约4倍的光输出。4.含单晶的闪烁体材料,所述单晶具有下式的组成,A3MBr6(1-x)Cl6x,或者具有下式的组成:AM2Br7(1-x)Cl7x,其中,0≤x≤1,其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成,和M基本由Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。5.根据权利要求4的闪烁体材料,其中x基本为0或x=1。6.根据权利要求5的闪烁体材料,当用662keV的γ-射线激发时,具有是锗酸铋(BGO)光输出的至少约4倍的光输出。7.制备闪烁体材料的方法,所述方法包括:合成具有下式的组成的化合物,A3MBr6(1-x)Cl6x,或者...

【专利技术属性】
技术研发人员:K杨M朱拉夫勒瓦CL梅彻尔P斯祖伊茨恩斯基
申请(专利权)人:美国西门子医疗解决公司田纳西大学研究基金会
类型:发明
国别省市:美国;US

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