移位寄存器、液晶显示器栅极驱动装置及液晶显示器制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种移位寄存器、液晶显示器栅极驱动装置及液晶显示器，通过将少量的薄膜晶体管以及一电容的合理布局，使负责控制栅极信号输出端充电的薄膜晶体管不直接与时钟信号输入端连接，而是与直流高电平信号输入端、控制电路、放电电路连接，从而可避免该薄膜晶体管产生交流功耗，降低了栅极驱动阵列即移位寄存器的功耗，进而可降低了液晶显示器栅极驱动装置以及液晶显示器的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器
，具体涉及一种移位寄存器、液晶显示器栅极驱动装置及液晶显示器。
技术介绍
栅极驱动阵列(GOA :Gate Drive on Array),即移位寄存器,其基本概念是将液晶显示器(IXD Panel)的栅极驱动(Gate driver)集成在玻璃基板上,形成对面板的扫描驱动。相比传统的生产工艺，其不仅节省了成本，而且显示器(Panel)可以做到两边对称的美观设计，实现显示器窄边框的设计，并有利用显示器产能和良率提升也较有利。但是，现有GOA单元的设计存在一定的问题，例如由于非晶硅(a-Si)长期工作阈值电压漂移(Vth shift)所带来的电路寿命缩短的问题等。此外，由于a-Si的迁移率较低，为了满足电路中一些薄膜晶体管(TFT Thin FilmTransistor)较高离子(Ion)的要求,只能通过增大TFT的沟道宽度来满足，这样会带来空间上的尺寸增加和功耗的增加。而且，由于传统方式GOA单元需要非常大的TFT为栅极信号输出端(OUTPUT)信号充电，并且该TFT直接与时钟信号输入端相连，由于TFT中存在寄生电容，因此现有GOA单元中的TFT交本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器，其特征在于，包括 一控制电路、一放电电路和一控制栅极信号输出端充电的第一薄膜晶体管TFTl组成； 第一薄膜晶体管TFTl的源极与直流高电平信号输入端连接，第一薄膜晶体管TFTl的栅极分别与所述控制电路、所述放电电路连接，第一薄膜晶体管TFTl的漏极分别与栅极信号输出端、所述放电电路连接。2.根据权利要求I所述的移位寄存器，其特征在于，所述控制电路由第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和一电容组成，其中 第二薄膜晶体管TFT2的源极和栅极均与栅极信号输入端连接，第二薄膜晶体管TFT2的漏极分别与第三薄膜晶体管TFT3的栅极、所述电容的第一端、所述放电电路连接； 第三薄膜晶体管TFT3的源极与第一时钟信号输入端连接，第三薄膜晶体管TFT3的漏极分别与所述电容的第二端、第一薄膜晶体管TFTl的栅极、所述放电电路连接。3.根据权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述放电电路由第四薄膜晶体管TFT4、第五薄膜晶体管TFT5、第六薄膜晶体管TFT6和第七薄膜晶体管TFT7组成，其中 第四薄膜晶体管TFT4的源极与所述控制电路连接，第四薄膜晶体管TFT4的栅极分别与重置信号输入端、第六薄膜晶体管TFT6的栅极连接，第四薄膜晶体管TFT4的漏极分别与直流低电平信号输入端连接、第五薄膜晶体管TFT5的漏极、第六薄膜晶体管TFT6的漏极、第七薄膜晶体管TFT7的漏极连接； 第五薄膜晶体管TFT5的源极分别与所述控制电路、第一薄膜晶体管TFTl的栅极连接，第五薄膜晶体管TFT5的栅极分别与第二时钟信号输入端、第七薄膜晶体管TFT7的栅极连接; 第六薄膜晶体管TFT6的源极分别与第一薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙阳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：